0208MOSSmallSignalChar Analog Circuits by Prof.Nagendra Krishnapura English (auto-generated) English

0208MOSSmallSignalCharYouTube↗ IA↗(long shot)
People & Blogs 2.6K views 5 likes 0 dislikes 09 Jul 2015

Analog Circuits by Prof.Nagendra Krishnapura 1.8K subscribers N/A YouTube↗

we are now familiar with the large signal model of the mos transistor in

MOS ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ನ ದೊಡ್ಡ ಸಿಗ್ನಲ್ ಮಾದರಿಯೊಂದಿಗೆ

this lesson we will look at the small

ನಾವು ಈಗ ಪರಿಚಿತರಾಗಿದ್ದೇವೆ. ಈ ಪಾಠದಲ್ಲಿ, ನಾವುಸಣ್ಣ

signal model okay

ಸಿಗ್ನಲ್ ಮಾದರಿಯನ್ನು ನೋಡುತ್ತದೆ. ಈಗ, ದೊಡ್ಡ ಸಿಗ್ನಲ್ ಮಾದರಿಯನ್ನು ಇಲ್ಲಿ ನೀಡಲಾಗಿದೆ, ಸಣ್ಣದುಸಹಜವಾಗಿ ಸಿಗ್ನಲ್ ಮಾದರಿ, ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ಪಾಯಿಂಟ್ ಅನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಿರುತ್ತದೆ; ಮತ್ತು ಪ್ರತಿ ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿ,

ನಾವು ಹೊಂದಿದ್ದೇವೆಸಣ್ಣ ಸಿಗ್ನಲ್ ನಿಯತಾಂಕಗಳಿಗೆ ವಿಭಿನ್ನ ಅಭಿವ್ಯಕ್ತಿ. ಈಗ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಆಸಕ್ತಿಯ

now a large signal model is given here the small signal model of those depends

ಪ್ರದೇಶಇದು, ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ ಪ್ರದೇಶ. ಸಹಜವಾಗಿ ಕತ್ತರಿಸಿದಾಗ, ಪ್ರವಾಹವು ಶೂನ್ಯವಾಗಿ ಏನೂ ಇಲ್ಲ,ಆದ್ದರಿಂದ

on the operating point and in each region we will have a different

ಸಣ್ಣ ಸಿಗ್ನಲ್ ಮಾದರಿಯಲ್ಲಿ ಏನೂ ಇಲ್ಲ, ಸಣ್ಣ ಸಿಗ್ನಲ್

expression for the small signal

ಪ್ರವಾಹ, ಹೆಚ್ಚುತ್ತಿರುವಪ್ರವಾಹವೂ ಶೂನ್ಯವಾಗಿರುತ್ತದೆ.

parameters ok now the region of most

ಈಗ, ಈ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ, ಟ್ರಯೋಡ್ ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿ,

interest to us is this the saturation region in cut off of course there is

ಕೆಲವು ಇರುತ್ತದೆಹೆಚ್ಚುತ್ತಿರುವ ಮಾದರಿ ಮತ್ತು ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್

nothing the current is zero so there is

ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿ ಮತ್ತೊಂದು ಹೆಚ್ಚುತ್ತಿರುವ ಮಾದರಿ

nothing in the small signal model the

ಇರುತ್ತದೆ.ಆದ್ದರಿಂದ, ನಾವು ಈಗ ಇವುಗಳನ್ನು

small signal current the incremental

ಪರಿಗಣಿಸುತ್ತೇವೆ.ಮೊದಲಿಗೆ, ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿನ

current is also 0 ok now in this case in

ಸಣ್ಣ ಸಿಗ್ನಲ್ ಏರಿಕೆ ಮಾದರಿಯನ್ನು ನಾವು ನೋಡುತ್ತೇವೆ. ಇದುಡ್ರೈನ್ ಪ್ರವಾಹದ ಸಂಪೂರ್ಣ

the triode region there will be some

ಅಭಿವ್ಯಕ್ತಿ ಮತ್ತು ಸಹಜವಾಗಿ, ಯಾವುದು

incremental model and in the saturation

ಚಿಕ್ಕದಾಗಿದೆ ಎಂದು ನಮಗೆ ತಿಳಿದಿದೆಸಿಗ್ನಲ್

that region there will be another incremental model ok so we will consider

ಮಾದರಿಯು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಈ ನಾಲ್ಕು ಅಂಶಗಳನ್ನು

these now

ಒಳಗೊಂಡಿರುತ್ತದೆ, y 2 2, y 1 1, y 1 2 vಎರಡು, ಇಲ್ಲಿ ಇದು ವಿ ಎರಡು ಮತ್ತು ವೈ 2 1 ವಿ ಒಂದು, ಅಲ್ಲಿ

first we look at a small signal incremental model in the saturation region okay this is the complete

ಇದು ವಿ ಒಂದು. ಮತ್ತು ಅದು ನಮಗೆ ತಿಳಿದಿದೆMOS ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್, y 1 1 ಮತ್ತು y 1 2 ಶೂನ್ಯವಾಗಿರುತ್ತದೆ, ಏಕೆಂದರೆ ಗೇಟ್ ಪ್ರವಾಹವು ಶೂನ್ಯವಾಗಿರುತ್ತದೆ.

expression for the brain current and of

ಆದ್ದರಿಂದ, ಇದುಪ್ರತಿರೋಧವು ಓಪನ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಆಗಿದೆ,

course we know what the small signal model consists of in general it consists

ಮತ್ತು ಈ ಪ್ರಸ್ತುತ ಮೂಲವು ಶೂನ್ಯವೂ ಸಹ

of these four elements y22 y11 y12 way

ತೆರೆದ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಆಗಿದೆ. ಮತ್ತು ವೈ 21 ವಿ ಒಂದಕ್ಕೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದಂತೆ ನಾನು ಎರಡು ಭಾಗಶಃ ವ್ಯುತ್ಪನ್ನವಾಗಿದೆ ಅಥವಾ ನಾನು ಡ್ರೈನ್ ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದೇನೆವಿ ಜಿ ಎಸ್ ಗೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದಂತೆ

ಗೇಟ್ ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್. ಮತ್ತು ನಾವು ಸುಲಭವಾಗಿ

to where this is way too and y 2 1 v1

ಬೇರ್ಪಡಿಸುವ ಮೂಲಕ ಪಡೆಯಬಹುದುಇದು ಮತ್ತು

where this is v1 and we know that in a MOS transistor y 1 1 and y 1 2 are 0

ಇದು m n n ox W ಗೆ L ಬಾರಿ V G S ಮೈನಸ್ V T. ಗೆ ಸಮಾನವಾಗಿರುತ್ತದೆ.ಮತ್ತು

because the gate current is 0 so this

ನಾವು MOS ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಅನ್ನು ಉಲ್ಲೇಖಿಸಿದಾಗ, ನಾವು ಸಾಮಾನ್ಯ ಪರಿಭಾಷೆ y 2 1 ಅನ್ನು ಬಳಸುವುದಿಲ್ಲ,

resistance is an open circuit and this current source is 0 also an open circuit

ನಾವುಇದನ್ನು g m ಎಂದು ಉಲ್ಲೇಖಿಸಿ. ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ,

and y 2 1 is the partial derivative of i 2 with respect to be 1 or ID the drain current with respect to vgs the gate source voltage and that we can easily

g m ಎಂಬುದು ಟ್ರಾನ್ಸ್ ವಾಹಕತೆಯ ಸಂಕೇತವಾಗಿದೆಪೋರ್ಟ್ ಒಂದರಿಂದ ಪೋರ್ಟ್ ಎರಡಕ್ಕೆ ವರ್ಗಾವಣೆ ನಡೆಸುವಿಕೆ; ಮತ್ತು ಈ y 2 1 ಅನ್ನು g m in ಎಂದು ಉಲ್ಲೇಖಿಸಲಾಗುತ್ತದೆMOS

get by differentiating this and it is

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ನ ಸಂದರ್ಭ ಮತ್ತು ಅದರ

equal to me on seahawks W by L times vgs

ಅಭಿವ್ಯಕ್ತಿಯನ್ನು ಇಲ್ಲಿ ನೀಡಲಾಗಿದೆ. ನೀವು ಸ್ಪಷ್ಟವಾಗಿ ನೋಡಬಹುದುಅದು ಆಪರೇಟಿಂಗ್

minus VT okay and when we refer to a MOS

ಪಾಯಿಂಟ್ ಅನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಿರುತ್ತದೆ. ಈಗ, ನಾವು ತೆಗೆದುಕೊಂಡ ಮೌಲ್ಯಗಳಿಗೆ mu n C.ಆಕ್ಸ್ ಡಬ್ಲ್ಯೂ ಬೈ ಎಲ್ ಪ್ರತಿ

transistor we do not use the generic terminology y21 we refer to this as GM

ವೋಲ್ಟ್ ಚೌಕಕ್ಕೆ 100 ಮೈಕ್ರೊಅಂಪಿಯರ್ಸ್, ಮತ್ತು ಥ್ರೆಶೋಲ್ಡ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ವಿ ಟಿ ಒಂದಾಗಿದೆವೋಲ್ಟ್.

in general GM is the symbol for trans

ವಿ ಜಿ ಎಸ್ ಎರಡು ವೋಲ್ಟ್ಗೆ ಸಮನಾಗಿರುವುದನ್ನು ನೀವು ಬಹಳ ಸುಲಭವಾಗಿ ನೋಡಬಹುದು, ಗ್ರಾಂ

conductance ok that is the transfer conductance from Port 1 2 for 2 and this

ಮೀ ನೂರು ಆಗಿರುತ್ತದೆಮೈಕ್ರೋ ಸೀಮೆನ್ಸ್. ಆವರಣದಲ್ಲಿ ಈ ಪದವು ವಿ ಜಿ ಎಸ್ ಮೈನಸ್ ವಿ ಟಿ ಒಂದು ವೋಲ್ಟ್ ಆಗಿರುತ್ತದೆ, ಇದುಸ್ಥಿರವು ಪ್ರತಿ ವೋಲ್ಟ್ ಚೌಕಕ್ಕೆ

y21 will be referred to as GM in the

ನೂರು ಮೈಕ್ರೊಅಂಪಿಯರ್ ಆಗಿದೆ, ಆದ್ದರಿಂದ

context of the mos transistor and its

ಟ್ರಾನ್ಸ್ ವಾಹಕತೆ ನೂರುಪ್ರತಿ ವೋಲ್ಟ್

expression is given here you can clearly

ಅಥವಾ ನೂರು ಮೈಕ್ರೋ ಸೀಮೆನ್ಗಳಿಗೆ ಮೈಕ್ರೊಅಂಪಿಯರ್.ಮತ್ತು

see that it depends on the operating point ok now for the values we had taken

y 2 2, ಇದು V D S ಅಥವಾ V ಎರಡು ಗೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದಂತೆ

where mu and cos W by L is 100 micro

I d ನ ಭಾಗಶಃ ಉತ್ಪನ್ನವಾಗಿದೆ ಕೋರ್ಸ್, ಶೂನ್ಯ, ಏಕೆಂದರೆ ಈ ಅಭಿವ್ಯಕ್ತಿಯಲ್ಲಿ ನೀವು ವಿ ಡಿ ಎಸ್ ಮೇಲೆ

ampere per volt square and the threshold

ಯಾವುದೇ ಅವಲಂಬನೆಯನ್ನು ಕಾಣುವುದಿಲ್ಲ. ನಾವು

voltage VT is 1 volt and very easily see

ಮಾಡುತ್ತೇವೆಇದು ಅಂದಾಜು ಮಾತ್ರ ಎಂದು ನಂತರ ನೋಡಿ, ಇದು ನಿಖರವಾಗಿ ಶೂನ್ಯವಾಗುವುದಿಲ್ಲ,

that for VG s equals two words GM will

ಆದರೆ ನಾವು ಪರಿಗಣಿಸುತ್ತೇವೆಆ ಅಂಶವು ನಂತರ. ಮತ್ತೆ MOSFET ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ, ನಾವು ಜೆನೆರಿಕ್ ಅನ್ನು

be 100 micro siemens ok this term in parenthesis here vgs minus VT will be 1

ಬಳಸುವುದಿಲ್ಲ y 2 2 ನಂತಹ ಪರಿಭಾಷೆ; ಇದನ್ನು g d s ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು ಮೂಲ ವಾಹಕತೆಗೆ

volt this constant is hundred micro

ಹರಿಯುತ್ತದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ಈಗ ನಾವುಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್

ampere per volt square so the

ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿ ನೋಡಬಹುದು, MOS ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ನ

trans-canada consists hundred micro

ಮಾದರಿ ತುಂಬಾ ಸರಳವಾಗಿದೆ. ಈ ಎರಡುಹೇಗಾದರೂ ಶೂನ್ಯ,

ampere per volt or 100 micro siemens

ಮತ್ತು y 2 2 ಅಥವಾ g d s ಸಹ ಶೂನ್ಯವಾಗಿರುತ್ತದೆ.

okay and y 2 2 which is the partial

ಆದ್ದರಿಂದ, ಇದು ಓಪನ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಕೂಡ ಆಗಿದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ದಿMOS ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಕೇವಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ನಿಯಂತ್ರಿತ

derivative of ID with respect to VDS or

ಪ್ರಸ್ತುತ ಮೂಲವನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ, ಅದರ ಮೌಲ್ಯವು ಇರುತ್ತದೆಇದನ್ನು ನೀಡಲಾಗಿದೆ.ಆದ್ದರಿಂದ,

v2 okay is of course zero because you

ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿನ MOS ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ನ ಸಣ್ಣ ಸಿಗ್ನಲ್ ಹೆಚ್ಚಳದ ಮಾದರಿ. ನಾವು ಹೆಚ್ಚುತ್ತಿರುವ

can see no dependents on VDS in this

ವೋಲ್ಟೇಜ್ ವಿ ಒಂದನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ, ಇದನ್ನು

expression okay we will later see that

ಸಹಜವಾಗಿ ವಿ ಜಿ ಎಸ್ ಎಂದು ಉಲ್ಲೇಖಿಸುತ್ತದೆ

this is only approximate this will not

MOSFET ನ ಪರಿಭಾಷೆಯೊಂದಿಗೆ ಸ್ಥಿರತೆ. ವೋಲ್ಟೇಜ್

be exactly zero but we will consider that aspect later okay and again in the context of the MOSFET we don't use

ವಿ ಎರಡು ವಿ ಡಿ ಎಸ್, ಮತ್ತು ಈ ಪ್ರವಾಹವು g m ಪಟ್ಟು V G S, ಮತ್ತು ವಾಹಕತೆಯು ಶೂನ್ಯವಾಗಿರುತ್ತದೆ.

generic terminology like why 22 this is

ಒಂದು ಇರುತ್ತದೆ ಇಲ್ಲಿ ನಡವಳಿಕೆ, ಆದರೆ ಡ್ರೈನ್

called GDS third rain source conductors ok

ಪ್ರವಾಹವು ಡ್ರೈನ್ ಮೂಲದ ಮೇಲೆ ಅವಲಂಬಿತವಾಗಿಲ್ಲದ ಕಾರಣ ವೋಲ್ಟೇಜ್, ಈ ವಾಹಕತೆಯು ಶೂನ್ಯವಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಮತ್ತು g m ಗಾಗಿ ಅಭಿವ್ಯಕ್ತಿಯನ್ನು

so now

we can see in saturation region the model of the mos transistor is very simple these two are anyway 0 and Y to do our GDS is also 0 okay so this is

mu C ox W ನಿಂದ ನೀಡಲಾಗುತ್ತದೆ ಎಲ್ ಬಾರಿ ವಿ ಜಿ ಎಸ್

also an open circuit so the mos transistor simply consists of a voltage controlled current source whose value is given by this ok so the small signal

ಮೈನಸ್ ವಿ ಟಿ. ಆದ್ದರಿಂದ, ನೀವು ಒಂದು ನಿರ್ದಿಷ್ಟ

incremental model of the mos transistor in saturation region we will have the incremental voltage v1 which of course we refer to as vgs

ಲೋಡ್ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದರೆ ಮತ್ತು ನೀವು ಬಯಸಿದರೆ ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಲಾಭವನ್ನು ಪಡೆದುಕೊಳ್ಳಿ, g m ನ ಮೌಲ್ಯವನ್ನು ಹೇಗೆ ಲೆಕ್ಕ ಹಾಕಬೇಕೆಂದು

keeping in consistency with the

terminology of the MOSFET the voltage v2

ನಿಮಗೆ ತಿಳಿದಿದೆ; ತದನಂತರ ನೀವು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್

will be BDS and this current is GM times

ಅನ್ನು ಯಾವ ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ಪಾಯಿಂಟ್ ಹೊಂದಿಸಬೇಕು

v GS and the conductance is zero ok

ಎಂಬುದನ್ನು ಕಂಡುಹಿಡಿಯಬಹುದು.ನಾವು ನಂತರ ಆಂಪ್ಲಿಫಯರ್ ಉದಾಹರಣೆಗೆ ಬರುತ್ತೇವೆ, ಈಗ ನಾವು ಸಣ್ಣ ಸಂಕೇತವನ್ನು

there would be a conductance here but because the drain current has no

ನೋಡೋಣ ಟ್ರಯೋಡ್ ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿ ಅಥವಾ ರೇಖೀಯ ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿ

dependence on the drain source voltage

ಹೆಚ್ಚುತ್ತಿರುವ ಮಾದರಿ. ಪ್ರವಾಹದ ಅಭಿವ್ಯಕ್ತಿ

this conductances zero ok and the expression for GM is given by un sea oaks wy l times vgs minus VT so if you have a certain load resistance and if

mu n C ox W ನಿಂದ L ಬಾರಿ V G S ಮೈನಸ್ V T ಬಾರಿ V D

you want to obtain a certain game you know how to calculate the value of GM and then from that you can figure out what operating point the transistor must

be set ok we will come to the amplifier example later now let us look at the small signal incremental model in the triode region of the linear easy okay

the expression for the current is you NCOs wyl vgs minus VT times VDS minus VDS square by 2 okay now again we will have the same model with y 1 1 and y 1 2

S ಮೈನಸ್ V D S ಚದರ 2 ರಿಂದ. ಈಗ, ಮತ್ತೆ ನಾವು ಅದೇ ಮಾದರಿಯನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದೇವೆ y 1 1 ಮತ್ತು y 1 2 ಶೂನ್ಯವಾಗಿರುತ್ತದೆ.

being 0 we will have y 2 1 v1 which in the terminology of MOSFET is GM times p zs + y2 to which in MOSFET terminology

ನಾವು ವೈ ಅನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದೇವೆ 2 1 ವಿ 1, ಇದು MOSFET ನ ಪರಿಭಾಷೆಯಲ್ಲಿ g m ಬಾರಿ V G S ಆಗಿದೆ; ಮತ್ತು y 2 2, ಇದು MOSFET ಪರಿಭಾಷೆಯಲ್ಲಿ

is GDS and this voltage is radius this

g d s ಮತ್ತು ಈ ವೋಲ್ಟೇಜ್ V D S. ಆಗಿದೆ. ಈ ಟ್ರಾನ್ಸ್

transconductance GM is given by the

ಕಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ g m ಆಗಿದೆನೀವು ಸುಲಭವಾಗಿ ಕೆಲಸ ಮಾಡುವ

partial derivative of ID with respect to vgs which you can easily work out to be we on cos wy l times V D s ok now the conductance GDS which is the partial

ವಿ ಜಿ ಎಸ್‌ಗೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದಂತೆ ಐ ಡಿ ಯ ಭಾಗಶಃ ಉತ್ಪನ್ನದಿಂದ ನೀಡಲಾಗಿದೆtimes ಟ್ ಟು mu n C ox W by L times V D S. ಈಗ, ವಾಹಕತೆ g d s ಇದು ಭಾಗಶಃV D S ಗೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದಂತೆ I D ಯ

derivative ID with respect to VDS is

given by UNC Oaks W by L times vgs minus

ಉತ್ಪನ್ನಗಳನ್ನು mu n C ox W ನಿಂದ L ಬಾರಿ V G S

VT minus VDS ok so let's examine these

ನಿಂದ ನೀಡಲಾಗುತ್ತದೆಮೈನಸ್ ವಿ ಟಿ ಮೈನಸ್ ವಿ ಡಿ ಎಸ್. ಆದ್ದರಿಂದ, ಈ ಎರಡನ್ನು ಸ್ವಲ್ಪ ಹೆಚ್ಚು ವಿವರವಾಗಿ

two in a little more detail but the

ಪರಿಶೀಲಿಸೋಣ, ಆದರೆ g d s ಶೂನ್ಯವಲ್ಲ.ಉತ್ತಮ

point is that GDS is not zero okay we

ಲಾಭವನ್ನು ಒದಗಿಸುವ ಉತ್ತಮ ಆಂಪ್ಲಿಫೈಯರ್‌ಗೆ

evaluated the constraints required for a

ಅಗತ್ಯವಾದ ನಿರ್ಬಂಧಗಳನ್ನು ನಾವು ಮೌಲ್ಯಮಾಪನ ಮಾಡಿದ್ದೇವೆ.

good amplifier that provides a high gain and we saw that y22 or GDS should be 0 but in this case it's not 0 so that's

ಮತ್ತುy 2 2 ಅಥವಾ g d s 0 ಆಗಿರಬೇಕು ಎಂದು ನಾವು

the reason why triode region is not the desired region for operating an amplifier okay you can't do it you can

ನೋಡಿದ್ದೇವೆ, ಆದರೆ ಈ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ, ಅದು

always set the operating point in tryout

0 ಅಲ್ಲ, ಆದ್ದರಿಂದ ಅದು ಕಾರಣವಾಗಿದೆಟ್ರಯೋಡ್

region and try to make it work like an amplifier but it won't be as good an

ಪ್ರದೇಶವು ಆಂಪ್ಲಿಫೈಯರ್ ಅನ್ನು ನಿರ್ವಹಿಸಲು

amplifier and triode region as it would be in saturation region so to do that

ಅಪೇಕ್ಷಿತ ಪ್ರದೇಶವಲ್ಲ. ನೀವು ಅದನ್ನು ಮಾಡಬಹುದು,

we'll compare these quantities between

ನೀವುಟ್ರಯೋಡ್ ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿ ಯಾವಾಗಲೂ ಆಪರೇಟಿಂಗ್

the two regions

ಪಾಯಿಂಟ್ ಅನ್ನು ಹೊಂದಿಸಬಹುದು ಮತ್ತು ಅದನ್ನು ಒಂದು ರೀತಿಯಲ್ಲಿ ಕೆಲಸ ಮಾಡಲು ಪ್ರಯತ್ನಿಸಬಹುದುಆಂಪ್ಲಿಫಯರ್,

saturation region and triode or linear

ಆದರೆ ಇದು ಟ್ರಯೋಡ್ ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿ ಉತ್ತಮವಾದ ಆಂಪ್ಲಿಫೈಯರ್ ಆಗಿರುವುದಿಲ್ಲಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ ಪ್ರದೇಶ.ಆದ್ದರಿಂದ, ಅದನ್ನು ಮಾಡಲು, ನಾವು ಈ ಎರಡು ಪ್ರದೇಶಗಳ ನಡುವಿನ ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ ಅನ್ನು ಹೋಲಿಸುತ್ತೇವೆಪ್ರದೇಶ

region okay so GM value and saturation region is given by neon Seahawks wyl vgs

ಮತ್ತು ಟ್ರಯೋಡ್ ಅಥವಾ ರೇಖೀಯ ಪ್ರದೇಶ. ಆದ್ದರಿಂದ, ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿನ g m ಮೌಲ್ಯವನ್ನು mu n C ನಿಂದ ನೀಡಲಾಗುತ್ತದೆಎತ್ತು ಡಬ್ಲ್ಯೂ ಬೈ ಎಲ್ ವಿ

minus VT and in tryout region is given

ಜಿ ಎಸ್ ಮೈನಸ್ ವಿ ಟಿ; ಮತ್ತು ಟ್ರಯೋಡ್ ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿ,

by me on seahawks wyl times radius and we know that the triode region is

ಇದನ್ನು m n C ox W ನಿಂದ L ಬಾರಿ ನೀಡಲಾಗುತ್ತದೆವಿ ಡಿ ಎಸ್. ಮತ್ತು ಟ್ರಯೋಡ್ ಪ್ರದೇಶವನ್ನು ವಿ ಡಿ

defined by VDS being smaller than vgs

ಎಸ್ ವಿ ವಿ ಜಿ ಎಸ್ ಗಿಂತ ಚಿಕ್ಕದಾಗಿದೆ ಎಂದು

minus VT so it's very obvious that any

ವ್ಯಾಖ್ಯಾನಿಸಲಾಗಿದೆ ಎಂದು ನಮಗೆ ತಿಳಿದಿದೆಮೈನಸ್ ವಿ ಟಿ. ಆದ್ದರಿಂದ, ಟ್ರಯೋಡ್ ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿ ನೀವು

GM that you get in tryout region is going to be smaller than in saturation

ಪಡೆಯುವ ಯಾವುದೇ ಗ್ರಾಂ ಮೀ ಆಗಿರುತ್ತದೆ ಎಂಬುದು

region ok so GM and triode will be less

ಬಹಳ ಸ್ಪಷ್ಟವಾಗಿದೆಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ ಪ್ರದೇಶಕ್ಕಿಂತ ಚಿಕ್ಕದಾಗಿದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ಟ್ರಯೋಡ್‌ನಲ್ಲಿನ g m ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್‌ನಲ್ಲಿ

than the g MN saturation region ok

g m ಗಿಂತ ಕಡಿಮೆಯಿರುತ್ತದೆಪ್ರದೇಶ. ಮತ್ತು ನಮ್ಮ ಮಾದರಿಯ ಪ್ರಕಾರ, ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿನ ಜಿ

and the GDS value and saturation region

ಡಿ ಮೌಲ್ಯವು ಶೂನ್ಯವಾಗಿರುತ್ತದೆ; ನಂತರ ನಾವುಇದು ಶೂನ್ಯೇತರ

is zero according to our model later we

ಸಣ್ಣ ಮೌಲ್ಯ ಎಂದು ನೋಡುತ್ತದೆ. ಮತ್ತು

will see that it is a small non zero value and in tryout region it is me on seahawks wyl vgs minus VT minus VDS okay the value of VDS itself will be between

ಟ್ರಯೋಡ್ ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿ, ಇದು L V ಯಿಂದ mu n C ox W ಆಗಿದೆಜಿ ಎಸ್ ಮೈನಸ್ ವಿ ಟಿ ಮೈನಸ್ ವಿ ಡಿ ಎಸ್ ವಿ ವಿ ಡಿ ಎಸ್ ನ ಮೌಲ್ಯವು ನಡುವೆ ಇರುತ್ತದೆ… ಆದ್ದರಿಂದ,

ok so this radius will be some positive

ಈ ಜಿ ಡಿ ಎಸ್ಕೆಲವು ಸಕಾರಾತ್ಮಕ ಪ್ರಮಾಣವಾಗಿರುತ್ತದೆ;

quantity so GDS entire region is more than in saturation region GM and triode

ಆದ್ದರಿಂದ ಟ್ರಯೋಡ್ ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿನ g d ಗಳು

region is less than in saturation region

ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ ಪ್ರದೇಶಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚಾಗಿದೆ;ಟ್ರಯೋಡ್

so any amplifier that you make with the

ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿನ ಗ್ರಾಂ ಮೀ ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ ಪ್ರದೇಶಕ್ಕಿಂತ

transistor biased and triode region will

ಕಡಿಮೆಯಾಗಿದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ನೀವು ಮಾಡುವ ಯಾವುದೇ

have a smaller gain than if it if it

ಆಂಪ್ಲಿಫಯರ್ಟ್ರಯೋಡ್ ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿ ಪಕ್ಷಪಾತ

were operating in saturation region ok

ಹೊಂದಿರುವ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಅದು ಇದ್ದರೆ ಅದಕ್ಕಿಂತ

and you can also see that in this case

ಕಡಿಮೆ ಲಾಭವನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತಿದೆ.

as VDS goes from zero to vgs minus VT

ಮತ್ತು ಈ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ, ವಿ ಡಿ ಎಸ್ ಶೂನ್ಯದಿಂದ ವಿ ಜಿ ಎಸ್ ಮೈನಸ್ ವಿ ಟಿ, ಜಿ ಡಿ ಎಸ್ ಗೆ ಹೋಗುವುದನ್ನು

gds changes from UNC ox w yl x vgs minus

ಸಹ ನೀವು ನೋಡಬಹುದುmu n C ox W ನಿಂದ L ಬಾರಿ V G S

VT 20 ok and GM changes from you can see this video's will be 0 initially 0 to me

ಮೈನಸ್ V T ಯಿಂದ ಶೂನ್ಯಕ್ಕೆ ಬದಲಾವಣೆಗಳು. ಮತ್ತು g m ನಿಂದ ಬದಲಾಗುತ್ತದೆನೀವು ನೋಡಬಹುದು, ಈ ವಿ ಡಿ ಎಸ್ ಆರಂಭದಲ್ಲಿ ಶೂನ್ಯವಾಗಿರುತ್ತದೆ; ಶೂನ್ಯದಿಂದ mu n C ox W by

and Xerox W by L vgs minus VT so these two change in complementary ways GDS is

L V G S ಮೈನಸ್ವಿ ಟಿ. ಆದ್ದರಿಂದ, ಈ ಎರಡು ಬದಲಾವಣೆಗಳು

maximum when VDS is zero that is the transistor has no voltage across it in fact the value of GDS equals the value

ಪೂರಕ ರೀತಿಯಲ್ಲಿ; V d s ಇದ್ದಾಗ g d s ಗರಿಷ್ಠವಾಗಿರುತ್ತದೆ

of g MN saturation region ok and it

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಆಗಿರುವ ಶೂನ್ಯವು ಅದರಾದ್ಯಂತ ಯಾವುದೇ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಹೊಂದಿಲ್ಲ. ಮತ್ತು

reduces to zero whereas GM increases

ವಾಸ್ತವವಾಗಿ, g d s ನ ಮೌಲ್ಯವು ಸಮನಾಗಿರುತ್ತದೆಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿ g m ನ ಮೌಲ್ಯ, ಮತ್ತು ಅದು

from 0 to me on cos WL vgs minus VT ok

ಶೂನ್ಯಕ್ಕೆ ಕಡಿಮೆಯಾಗುತ್ತದೆ, ಆದರೆ g m ನಿಂದ ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆಶೂನ್ಯದಿಂದ

pictorially

ಮು ಎನ್ ಸಿ ಆಕ್ಸ್ ಡಬ್ಲ್ಯೂ ಬೈ ಎಲ್ ವಿ ಜಿ ಎಸ್ ಮೈನಸ್

we'll assume vgs to be fixed and this

ವಿ ಟಿ.ಚಿತ್ರಾತ್ಮಕವಾಗಿ, ನಾವು ವಿ ಜಿ ಎಸ್ ಅನ್ನು

value is me on Seahawks W by L vgs minus VT so GDS starts from here and then

ನಿವಾರಿಸಲಾಗಿದೆ ಎಂದು ಭಾವಿಸುತ್ತೇವೆ, ಮತ್ತು ಈ ಮೌಲ್ಯವು ಎಲ್ ವಿ ಜಿ ಎಸ್ ನಿಂದ ಮು ಎನ್

falls linearly 20 and then it remains 0 thereafter according to our current

ಸಿ ಆಕ್ಸ್ ಡಬ್ಲ್ಯೂ ಆಗಿದೆಮೈನಸ್ ವಿ ಟಿ.

model and GM starts from zero and it

ಆದ್ದರಿಂದ, g d s ಇಲ್ಲಿಂದ ಪ್ರಾರಂಭವಾಗುತ್ತದೆ,

increases linearly and reaches a maximum

ತದನಂತರ ರೇಖೀಯವಾಗಿ ಶೂನ್ಯಕ್ಕೆ ಬೀಳುತ್ತದೆ,

of this value at VDS equal vgs minus VT

ಮತ್ತು ನಂತರ ಅದು ಉಳಿಯುತ್ತದೆನಂತರ ನಮ್ಮ ಪ್ರಸ್ತುತ ಮಾದರಿಯ

and remains constant okay so this is the

ಪ್ರಕಾರ. ಮತ್ತು g m ಶೂನ್ಯದಿಂದ ಪ್ರಾರಂಭವಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಅದು ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆರೇಖೀಯವಾಗಿ ಮತ್ತು ವಿ ಡಿ ಎಸ್ ನಲ್ಲಿ

saturation region and this is the triode or linear region okay

ಈ ಮೌಲ್ಯದ ಗರಿಷ್ಠ ಮಟ್ಟವನ್ನು ತಲುಪುತ್ತದೆ ವಿ ಜಿ ಎಸ್ ಮೈನಸ್ ವಿ ಟಿ ಮತ್ತುಸ್ಥಿರವಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ಇದು ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ ಪ್ರದೇಶ, ಮತ್ತು ಇದು ಟ್ರಯೋಡ್ ಅಥವಾ ರೇಖೀಯ ಪ್ರದೇಶವಾಗಿದೆ.ಆದ್ದರಿಂದ,

ಹೆಚ್ಚಿನ ಟ್ರಾನ್ಸ್ ವಾಹಕತೆ ಮತ್ತು ಕಡಿಮೆ

so you can clearly see that too and have

ಉತ್ಪಾದನೆಯನ್ನು ಹೊಂದಲು ನೀವು ಸ್ಪಷ್ಟವಾಗಿ

highest transconductance and lowest output conductance you have to operate

ನೋಡಬಹುದುನಡವಳಿಕೆ, ನೀವು ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್

in saturation region

ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸಬೇಕು.