0703pMOSCSAmp Analog Circuits by Prof.Nagendra Krishnapura English English (auto-generated)

0703pMOSCSAmpYouTube↗ IA↗(long shot)
People & Blogs 964 views 4 likes 0 dislikes 22 Aug 2015

Analog Circuits by Prof.Nagendra Krishnapura 1.8K subscribers N/A YouTube↗

ಈಗ, ನಾವು pMOS ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ ಬಳಸಿ ಸಾಮಾನ್ಯ ಮೂಲ ಆಂಪ್ಲಿಫೈಯರ್ ಅನ್ನು ಪ್ರಯತ್ನಿಸುತ್ತೇವೆ ಮತ್ತು ನಿರ್ಮಿಸುತ್ತೇವೆ ಫಾರ್

now I'll try and build a common source amplifier using a PMO's transistor

ವಿವರಣೆ, ನಾನು pMOS ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಅನ್ನು ಬಳಸುತ್ತೇನೆ, ಅವರ μpcox ಉತ್ಪನ್ನವು 25 μA / V2, ಮತ್ತು ನಾನು

for illustration I will use a PMO's transistor whose mu PC ox product is 25 micro ampere per volt square and I will

ಆಯ್ಕೆ ಮಾಡುತ್ತೇನೆ ಪ / ಎಲ್ = 4. ಆದ್ದರಿಂದ, ಇದು ಏನು ಮಾಡುತ್ತದೆ μpcox (W / L) = 100 μA / V2, nMOS ಗೆ

choose WL equals 4 so what this does is to have mu P seok's WL equals 100 micro ampere per volt square the same as for

ಸಮನಾಗಿರುತ್ತದೆ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್. ಆದ್ದರಿಂದ,

the N Mo's transistor so this is just

ಇದು ಕೇವಲ ಅನುಕೂಲಕರವಾಗಿದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ನಾವು ಈಗಾಗಲೇ

convenient so we can use the results

ಲೆಕ್ಕ ಹಾಕಿದ ಫಲಿತಾಂಶಗಳನ್ನು ನಾವು ಬಳಸಬಹುದು ಮತ್ತು

that we already calculated and so on and

ಹೀಗೆ. ಮತ್ತು ಪಿಎಂಒಎಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ನ ಮಿತಿ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮತ್ತೆ 1 ವಿ ಎಂದು ನಾನು ಭಾವಿಸುತ್ತೇನೆ

I'll also assume that the threshold

nMOS ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ನಂತೆಯೇ ಇರುತ್ತದೆ, ಆದರೆ ದಯವಿಟ್ಟು

voltage of the PMO's transistor is 1 volt again the same as in MOS transistor

occox μncox ವಿಭಿನ್ನವಾಗಿರುತ್ತದೆ ಎಂಬುದನ್ನು ನೆನಪಿನಲ್ಲಿಡಿ.

but please do keep in mind that mu P cos

ಅವರು ಈ ನಿಖರ ಅನುಪಾತ 1: 4 ನಲ್ಲಿ ಇರಬಹುದು.

mu n cos will be different and they may not be in this exact ratio 1 to 4 and

ಮತ್ತು ಈ W / L ನೀವು ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಅನ್ನು

also there is wyl if you are designing

ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸುತ್ತಿದ್ದರೆ ವೇರಿಯಬಲ್, ನೀವು W / L

an integrated circuit is variable okay

ಅನ್ನು ಹೊಂದಬಹುದು ಇದು ಒಂದು ಅಥವಾ ಯಾವುದನ್ನಾದರೂ

you can have W wells which are very

ಹೋಲುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ನೀವು 1000 ಮತ್ತು 10000 ಅನ್ನು

small like 1 or something and you can have thousands and a 1/10 thousands and

ಹೊಂದಬಹುದು ಆನ್, ಆದರೆ ನಾವು ಅಂದಾಜುಗಾಗಿ

so on okay but we will use these

ಈ ನಿಯತಾಂಕಗಳನ್ನು ಬಳಸುತ್ತೇವೆ. ಸಹಜವಾಗಿ,

parameters for estimation of course for

W / L ನ ಯಾವುದೇ ಮೌಲ್ಯಕ್ಕೆ,

any other value of W well you should be able to calculate the parameters quite easily all right I will assume that the GM I need is 200

ನಿಯತಾಂಕಗಳನ್ನು ನೀವು ಸುಲಭವಾಗಿ ಲೆಕ್ಕಾಚಾರ

micro Siemens so if you calculate with

ಮಾಡಲು ಸಾಧ್ಯವಾಗುತ್ತದೆ. ಮತ್ತು ಜಿಎಂ, ನನಗೆ

this KN of 100 micro ampere per volt

ಬೇಕು ಎಂದು ನಾನು will ಹಿಸುತ್ತೇನೆ

square and VT P of 1 volt you will find

200 μS ಆಗಿದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ನಾವು ಈ 100 μA / V2 ಮತ್ತು

that the source gate voltage has to be 3 volts okay and the source drain voltage

1 ವೋಲ್ಟ್ನ VTP ಯೊಂದಿಗೆ ಲೆಕ್ಕ ಹಾಕಿದರೆ, ನೀವು

has to be greater than or equal to 2

ಅದನ್ನು ಕಂಡುಕೊಳ್ಳುತ್ತೀರಿ ಮೂಲ ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್

volts for it to remain in saturation

3 ವೋಲ್ಟ್ ಆಗಿರಬೇಕು ಮತ್ತು ವಿಎಸ್ಡಿ ≥ 2

region okay just as with n Mo's because

ವಿ ಆಗಿರಬೇಕು, ಅದು ಶುದ್ಧತ್ವದಲ್ಲಿ ಉಳಿಯಲು

now voltages will be defined other way don't get confused just like width and

ಪ್ರದೇಶ. NMOS ನಂತೆಯೇ, ಈಗ ವೋಲ್ಟೇಜ್‌ಗಳನ್ನು

moss if this voltage if the difference

ಬೇರೆ ರೀತಿಯಲ್ಲಿ ವ್ಯಾಖ್ಯಾನಿಸಲಾಗುವುದು ಏಕೆಂದರೆ ಗೊಂದಲಕ್ಕೀಡಾಗಬೇಡಿ

between this and that becomes very small that is if the difference tends to get squeezed then it goes into triode region if the difference is large it will be in

ಈ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ವೇಳೆ nMOS ನಂತೆ, ಈ ವ್ಯತ್ಯಾಸವು

saturation region you can calculate the exact values in case of n Mo's the drain

ಮತ್ತು ಅದು ತುಂಬಾ ಚಿಕ್ಕದಾಗಿದ್ದರೆ

voltage can go below the gate voltage but not by more than one threshold

ಅದು ವ್ಯತ್ಯಾಸವು ಹಿಂಡಿದ

voltage in case of P Mo's the drain

ನಂತರ ಅದು ಟ್ರಯೋಡ್ ಪ್ರದೇಶಕ್ಕೆ ಹೋಗುತ್ತದೆ.

voltage can go above the gate voltage but not by more than one threshold

ವ್ಯತ್ಯಾಸವು ದೊಡ್ಡದಾಗಿದ್ದರೆ, ಅದು

voltage okay

ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿರುತ್ತದೆ. ಡ್ರೈನ್‌ನ nMOS ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ ನೀವು ನಿಖರವಾದ ಮೌಲ್ಯಗಳನ್ನು ಲೆಕ್ಕ ಹಾಕಬಹುದು

so that's what the saturation condition means now first step is to bias it just

ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ಗಿಂತ ಕೆಳಗೆ ಹೋಗಬಹುದು,

like with the N Mo's transistor we use

ಆದರೆ 1 ಮಿತಿಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚು ವೋಲ್ಟೇಜ್ನಿಂದ ಅಲ್ಲ;

constant vgs biasing just for illustration okay so we want vs z equals

ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ pMOS, ಡ್ರೈನ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ಗಿಂತ ಮೇಲಕ್ಕೆ ಹೋಗಬಹುದು, ಆದರೆ 1 ಮಿತಿಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿಲ್ಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್. ಆದ್ದರಿಂದ,

3 volts so i lose 3 volts here and we

ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ ಸ್ಥಿತಿಯ ಅರ್ಥವೇನೆಂದರೆ. ಮೊದಲ ಹೆಜ್ಜೆ ಅದರಂತೆಯೇ ಪಕ್ಷಪಾತ ಮಾಡುವುದು

want v is d of some value so let me

nMOS ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್, ನಾವು ವಿವರಣೆಗಾಗಿ

assume that it is 4 volts so this will

ಸ್ಥಿರವಾದ VGS0 ಪಕ್ಷಪಾತವನ್ನು ಬಳಸುತ್ತೇವೆ.

set up the operating point of the

ಆದ್ದರಿಂದ, ನಾವು ವಿಎಸ್ಜಿ 0 = 3 ವೋಲ್ಟ್ಗಳನ್ನು ಬಯಸುತ್ತೇವೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ನಾನು ಇಲ್ಲಿ 3 ವೋಲ್ಟ್‌ಗಳನ್ನು

transistor in the saturation region okay vs d equals 4 volts and vs g equals 3 volts and clearly vs d is more than v HD

ಬಳಸುತ್ತೇನೆ ಮತ್ತು ನಮಗೆ ಕೆಲವು ಮೌಲ್ಯದ ವಿಎಸ್‌ಡಿ 0 ಬೇಕು. ಆದ್ದರಿಂದ, ಅವಕಾಶ

minus V key okay now this is how you set

ಅದು 4 ವೋಲ್ಟ್ ಎಂದು ನಾನು ಭಾವಿಸುತ್ತೇನೆ.

up the operating point and let me

ಆದ್ದರಿಂದ, ಇದು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ನ ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ಪಾಯಿಂಟ್

imagine that the small signal picture of

ಅನ್ನು ಹೊಂದಿಸುತ್ತದೆ ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ ಪ್ರದೇಶ

the common source amplifier is like this

VSD0 = 4 V ಮತ್ತು VSG0 = 3 ವೋಲ್ಟ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಸ್ಪಷ್ಟವಾಗಿ

I have some input source VI and just for illustration initially I will assume

VSD0 VSG0 - VT ಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಾಗಿದೆ. ಈಗ ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ಪಾಯಿಂಟ್ ಅನ್ನು ನೀವು ಹೇಗೆ

that there is no source resistance RS so

ಹೊಂದಿಸುತ್ತೀರಿ, ಮತ್ತು ಅದರ ಸಣ್ಣ ಸಿಗ್ನಲ್ ಚಿತ್ರ ಎಂದು imagine ಹಿಸೋಣ ಸಾಮಾನ್ಯ ಮೂಲ ವರ್ಧಕವು ಈ ರೀತಿಯಾಗಿದೆ. ನನ್ನ ಬಳಿ ಕೆಲವು ಇನ್ಪುಟ್

VI will be applied as vgs to the MOS transistor we have the control source GM vgs and will have the load resistor RL and just like before from our experience

ಮೂಲ vi ಇದೆ ಮತ್ತು ಕೇವಲ ವಿವರಣೆಗಾಗಿ

we know that there could be an extra

ಆರಂಭದಲ್ಲಿ ನಾನು ಯಾವುದೇ ಮೂಲ ಪ್ರತಿರೋಧ ಆರ್ಎಸ್

resistance here for the sake of biasing and there could also be extra resistance

ಇಲ್ಲ ಎಂದು ಭಾವಿಸುತ್ತೇನೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, vi ಅನ್ನು

is here for the sake of biasing okay

vGS ಆಗಿ ಅನ್ವಯಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಎಂಒಎಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್

so now the question is how to combine the signal picture with this operating

ನಮ್ಮಲ್ಲಿ ನಿಯಂತ್ರಣ ಮೂಲ ಜಿಎಂ * ವಿಜಿಎಸ್ ಇದೆ ಮತ್ತು ನಮ್ಮಲ್ಲಿ ಲೋಡ್ ರೆಸಿಸ್ಟರ್ ಆರ್ಎಲ್

point picture okay we've already gone through this so that's why I'm going to go a little quick but you should be able

ಇದೆ ಮತ್ತು ಕೇವಲ ನಮ್ಮ ಅನುಭವದಿಂದ ಮೊದಲಿನಂತೆ

to again follow the same logic that we did with the N most common source

ಇಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚುವರಿ ಪ್ರತಿರೋಧವಿರಬಹುದು ಎಂದು ನಮಗೆ ತಿಳಿದಿದೆ ಪಕ್ಷಪಾತದ ಸಲುವಾಗಿ ಮತ್ತು ಪಕ್ಷಪಾತದ ಸಲುವಾಗಿ ಇಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚುವರಿ

amplifier

ಪ್ರತಿರೋಧಗಳು ಸಹ ಇರಬಹುದು. ಆದ್ದರಿಂದ, ಈಗ, ಈ ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ಪಾಯಿಂಟ್ ಚಿತ್ರದೊಂದಿಗೆ ಸಿಗ್ನಲ್

and also show already because we're going to use it anyway this is GM v GS and this is Regius okay now remember already is what we use for

ಚಿತ್ರವನ್ನು ಹೇಗೆ ಸಂಯೋಜಿಸುವುದು ಎಂಬುದು

biasing on the drain side and RL is the

ಪ್ರಶ್ನೆ. ನಾವು ಈಗಾಗಲೇ ಈ ಮೂಲಕ ಹೋಗಿದ್ದೇವೆ ಅದಕ್ಕಾಗಿಯೇ

load we a see couple to the common source amplifier we already learnt all these things so we are going to use them

ನಾನು ಸ್ವಲ್ಪ ಬೇಗನೆ ಹೋಗುತ್ತಿದ್ದೇನೆ,

we know them and we'll use them

ಆದರೆ ನಿಮಗೆ ಸಾಧ್ಯವಾಗುತ್ತದೆ ನಾನು ಮಾಡುವ nMOS ಸಾಮಾನ್ಯ

okay so first let me show this vsg of

ಮೂಲ ವರ್ಧಕದೊಂದಿಗೆ ನಾವು ಮಾಡಿದ ಅದೇ ತರ್ಕವನ್ನು ಮತ್ತೆ ಅನುಸರಿಸಲು ಆರ್ಡಿಯನ್ನು ಸಹ ತೋರಿಸಿ ಏಕೆಂದರೆ ನಾವು ಅದನ್ನು ಹೇಗಾದರೂ ಬಳಸಲಿದ್ದೇವೆ

three volts and the P Mo's transistor okay and to bias on the drain side we'll have this Rd okay and let me imagine

ಇದು ಜಿಎಂ * ವಿಜಿಎಸ್ ಮತ್ತು ಇದು ವಿಜಿಎಸ್, ಆರ್ಡಿ ನೆನಪಿಡಿ ಡ್ರೈನ್ ಸೈಡ್ನಲ್ಲಿ

that this is 100 kilo ohm and I have to

ಪಕ್ಷಪಾತಕ್ಕಾಗಿ ನಾವು ಬಳಸುತ್ತೇವೆ ಮತ್ತು

connect the supply voltage I will still

ಆರ್ಎಲ್ ಲೋಡ್ ಆಗಿದೆ. ನಾವು ಸಾಮಾನ್ಯರಿಗೆ

call it VDD like that okay now we know

ಒಂದೆರಡು ಮೂಲ ವರ್ಧಕ; ನಾವು ಈಗಾಗಲೇ

that for VSD equals three volts the

ಈ ಎಲ್ಲ ವಿಷಯಗಳನ್ನು ಕಲಿತಿದ್ದೇವೆ. ಆದ್ದರಿಂದ,

drain current of the most transistor will be 200 micro amperes and this will

ನಾವು ತಿಳಿದಿರುವ ಅವುಗಳನ್ನು ನಾವು ಬಳಸಲಿದ್ದೇವೆ

be 20 volts and we wanted 4 volts across

ಅವುಗಳನ್ನು ನಾವು ಬಳಸುತ್ತೇವೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ಮೊದಲು ನಾನು ಈ VSG0 ಅನ್ನು 3 ವೋಲ್ಟ್‌ಗಳು ಮತ್ತು pMOS ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್

the MOS transistor so this VDD will be 24 volts okay now like before I don't want to use two separate DC sources we

ಮತ್ತು ತೋರಿಸುತ್ತೇನೆ ಡ್ರೈನ್ ಸೈಡ್ನಲ್ಲಿ

know what to do this is also generated

ಪಕ್ಷಪಾತವು ಈ ಆರ್ಡಿ ಅನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ.

from the higher source VDD using a

ಮತ್ತು ಇದು 100 KΩ ಎಂದು ನಾನು imagine ಹಿಸೋಣ, ಮತ್ತು

voltage divider okay again because we know all this I will go

ನಾನು ಹೊಂದಿದ್ದೇನೆ ಪೂರೈಕೆ ವೋಲ್ಟೇಜ್

quickly through these things so I'll use

ಅನ್ನು ಸಂಪರ್ಕಿಸಲು ನಾನು ಅದನ್ನು ಇನ್ನೂ

a voltage divider across the supply and

ವಿಡಿಡಿ ಎಂದು ಕರೆಯುತ್ತೇನೆ. ಈಗ, VSG0 = 3 ವೋಲ್ಟ್‌ಗಳು,

this will provide the source gate voltage bias this is

MOS ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ನ ಡ್ರೈನ್ ಪ್ರವಾಹವು 200 μA ಆಗಿರುತ್ತದೆ ಎಂದು ನಮಗೆ ತಿಳಿದಿದೆ ಮತ್ತು ಇದು 20 ವೋಲ್ಟ್ ಆಗಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ನಾವು MOS ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ನಾದ್ಯಂತ 4 ವೋಲ್ಟ್‌ಗಳನ್ನು

vsg let me call this r2 and this is r1 then the voltage vs z is nothing but VD D times r2 by r1 plus r2 because this

ಬಯಸುತ್ತೇವೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ಈ ವಿಡಿಡಿ ಇರುತ್ತದೆ

VSD is across r2 okay

ಈಗ 24 ವೋಲ್ಟ್‌ಗಳು, ಎರಡು ಪ್ರತ್ಯೇಕ ಡಿಸಿ

so we can adjust the ratio r2 by r1 plus

ಮೂಲಗಳನ್ನು ಬಳಸಲು ನಾನು ಬಯಸುವುದಿಲ್ಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ವಿಭಾಜಕವನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಹೆಚ್ಚಿನ

r2 to be the appropriate value so that

ಮೂಲ ವಿಡಿಡಿಯಿಂದ ಇದನ್ನು ಸಹ ಉತ್ಪಾದಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ

we get three volts that's quite easy okay for instance I could pick r1 to be

ಏಕೆಂದರೆ ನಾವು ಇವೆಲ್ಲವನ್ನೂ ತಿಳಿದುಕೊಳ್ಳಿ

twenty one mega ohm and out to be three

ನಾನು ಈ ವಿಷಯಗಳ ಮೂಲಕ ಬೇಗನೆ ಹೋಗುತ್ತೇನೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ನಾನು ವೋಲ್ಟೇಜ್ ವಿಭಾಜಕವನ್ನು ಅಡ್ಡಲಾಗಿ

mega ohm and I will get three volts across this okay in this circuit the operating point is established we have a

ಬಳಸುತ್ತೇನೆ ಪೂರೈಕೆ ಮತ್ತು ಇದು

source drain voltage of four volts and a

ಮೂಲ ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಪಕ್ಷಪಾತವನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ

source gate voltage of three volts and we have to add the input voltage and

ಇದು ವಿಎಸ್ಜಿ 0 ಈ ಆರ್ 2 ಅನ್ನು ಕರೆಯಲು ನನಗೆ ಅವಕಾಶ ಮಾಡಿಕೊಡುತ್ತದೆ ಈ ಆರ್ 1 ನಂತರ ವೋಲ್ಟೇಜ್

also connect the load resistance how do we add the input it's the usual AC coupling stuff we have VI and connect a

ವಿ ಎಸ್ಜಿ ಏನೂ ಅಲ್ಲ, ಆದರೆ ವಿಡಿಡಿ * (ಆರ್

capacitor c1 to couple it so that if you

2 / (ಆರ್ 1 + ಆರ್ 2)) ಏಕೆಂದರೆ ಈ ವಿಎಸ್ಜಿ 0 ಅಡ್ಡಲಾಗಿರುತ್ತದೆ

choose c1 to be sufficiently large at this point you will get the quiescent gate voltage plus the input voltage the input voltage will get added to it okay

ಆರ್ 2. ಆದ್ದರಿಂದ, ನಾವು R2 / (R1 + R2) ಅನುಪಾತವನ್ನು

similarly the load resistance RL which has to be ground reference that is it's

ಸೂಕ್ತ ಮೌಲ್ಯವಾಗಿ ಹೊಂದಿಸಬಹುದು. ಆದ್ದರಿಂದ,

one terminal has to be ground is AC

ನಾವು 3 ಪಡೆಯುತ್ತೇವೆ ಸ್ತಬ್ಧವಾಗಿರುವ ವೋಲ್ಟ್‌ಗಳು ಉದಾಹರಣೆಗೆ ನಾನು R1 ಅನ್ನು 21 ಮೆಗಾ ಓಮ್

coupled to the drain of the transistor okay this is c2 okay

ಮತ್ತು R2 ಅನ್ನು 3 MΩ ಎಂದು ಆಯ್ಕೆ ಮಾಡಬಹುದು ಮತ್ತು

and so far I have not shown the ground for this supply voltage in case of the NMOS transistor circuit we had grounded

ಈ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ನಲ್ಲಿ ನಾನು 3 ವೋಲ್ಟ್ಗಳನ್ನು

the source of the MAS transistor that is

ಪಡೆಯುತ್ತೇನೆ ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ಪಾಯಿಂಟ್ ನಮ್ಮ ಮೂಲವನ್ನು

even in the operating point picture okay so you we had this as ground and this is

ಸ್ಥಿರಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ 4 ವೋಲ್ಟ್ಗಳ ವೋಲ್ಟೇಜ್

perfectly possible if we call this

ಮತ್ತು 3 ವೋಲ್ಟ್ಗಳ ಮೂಲ ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್

ground this point will be at minus 24 volts and there are many circuits which will work with negative supply voltages

ಅನ್ನು ಹರಿಸುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ನಾವು ಇನ್ಪುಟ್

okay but in case of integrated circuits

ಅನ್ನು ಸೇರಿಸಬೇಕಾಗಿದೆ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮತ್ತು ಲೋಡ್

and these more circuits in general it is

ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಸಹ ಸಂಪರ್ಕಿಸುತ್ತದೆ. ನಾವು ಇನ್ಪುಟ್ ಅನ್ನು ಹೇಗೆ ಸೇರಿಸುತ್ತೇವೆ?

common to use the negative side of this voltage supply as ground so that you

ಇದು ನಾವು ಹೊಂದಿರುವ ಸಾಮಾನ್ಯ ಎಸಿ ಜೋಡಣೆಯ

think of the circuit as being operated with a positive supply voltage so this

ವಿಷಯವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಸಂಪರ್ಕಿಸುತ್ತದೆ

side is ground and this is quite common

ಕೆಪಾಸಿಟರ್ ಸಿ 1 ಅದನ್ನು ಒಂದೆರಡು ಮಾಡಲು ನಾವು

whenever you have a single supply it's not a rule but it is quite common okay so when you have a single supply you

ಈ ಹಂತದಲ್ಲಿ ಸಿ 1 ಅನ್ನು ಸಾಕಷ್ಟು ದೊಡ್ಡದಾಗಿ

think of this bottom rail as ground and now poor rail as the supply voltage

ಆಯ್ಕೆ ಮಾಡಿದರೆ ನೀವು ತಿನ್ನುವೆ

there are exceptions to this sometimes you do have circuits which run off

ಕ್ವೆಸೆಂಟ್ ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮತ್ತು ಇನ್ಪುಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್

negative voltage but most of the time

ಅನ್ನು ಪಡೆಯಿರಿ, ಇನ್ಪುಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅದನ್ನು ಅದಕ್ಕೆ ಸೇರಿಸುತ್ತದೆ. ಅಂತೆಯೇ, ಲೋಡ್ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ಆರ್ಎಲ್ ಅಂತಹ ಒಂದು ಟರ್ಮಿನಲ್ ಆಗಿರುವ

this is what we do okay so we will still call this the ground on the bottom side and this upper rail will still be at 24 volts okay now as far as incremental

ನೆಲದ ಉಲ್ಲೇಖವಾಗಿರಬೇಕು ಪ್ರತಿರೋಧಕದ ಒಳಚರಂಡಿಗೆ

picture is concerned this and this are both at ground okay and is RL it's

ನೆಲದ ಎಸಿ ದಂಪತಿ ಇರಬೇಕು ಇದು ಸಿ 2 ಮತ್ತು ಇಲ್ಲಿಯವರೆಗೆ ನಾನು ತೋರಿಸಿಲ್ಲ ಈ ಪೂರೈಕೆ ವೋಲ್ಟೇಜ್ಗಾಗಿ ನೆಲ. ಎನ್ಎಂಒಎಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ನ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ,

connected to the common reference node of the circuit which is ground which is on this side okay

ನಾವು ನೆಲಸಮ ಮಾಡಿದ್ದೇವೆ ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ಪಾಯಿಂಟ್ ಚಿತ್ರದಲ್ಲಿರುವ MOS ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ನ

so that's the complete Primus common

ಮೂಲ. ಆದ್ದರಿಂದ, ನಾವು ಇದನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದೇವೆ ನೆಲ ಮತ್ತು ನಾವು ಈ ನೆಲವನ್ನು ಕರೆದರೆ ಈ ಹಂತವು -24 ವೋಲ್ಟ್ ಮತ್ತು

source amplifier okay I have VI and is a couplet to this point

negative ಣಾತ್ಮಕ ಪೂರೈಕೆ ವೋಲ್ಟೇಜ್‌ಗಳೊಂದಿಗೆ ಕೆಲಸ ಮಾಡುವ ಅನೇಕ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳು ಇವೆ. ಆದರೆ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಈ ಎಂಒಎಸ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ

which is the gate and I have a couple the Lord to the drain

ಇದನ್ನು ಬಳಸುವುದು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿದೆ

okay only thing is note that the voltage

ಈ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಸರಬರಾಜುದಾರರ negative ಣಾತ್ಮಕ ಭಾಗ. ಆದ್ದರಿಂದ,

here is not the source gate voltage the source gate voltage is the voltage between these two points okay don't get confused by that

ನೀವು ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಎಂದು ಭಾವಿಸುತ್ತೀರಿ

but otherwise things are the same okay

ಸಕಾರಾತ್ಮಕ ಪೂರೈಕೆ ವೋಲ್ಟೇಜ್ನೊಂದಿಗೆ

the small signal picture of this will be

ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ಈ ಭಾಗವು

exactly the same as before yeah again as I mentioned this side is what is

ನೆಲವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಇದು ಸ್ತಬ್ಧ ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿದೆ

grounded okay in the N Mo's case the source of the

ನೀವು ಒಂದೇ ಸರಬರಾಜುದಾರರನ್ನು ಹೊಂದಿರುವಾಗ ಅದು ನಿಯಮವಲ್ಲ,

most transistor was the common reference node and in this case the common reference node is towards the drain side

ಆದರೆ ಇದು ತುಂಬಾ ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ನೀವು ಯಾವಾಗ ಒಂದೇ ಪೂರೈಕೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿರಿ, ಈ ಕೆಳಗಿನ

okay this is because we prefer to operate with positive supply voltages okay

ರೈಲುಗಳನ್ನು ನೆಲ ಮತ್ತು ಅಪ್ ರೈಲು ಪೂರೈಕೆ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಎಂದು ನೀವು ಭಾವಿಸುತ್ತೀರಿ

this is the reference node or ground okay now if you draw the incremental

ಇದಕ್ಕೆ ವಿನಾಯಿತಿಗಳಿವೆ ಕೆಲವೊಮ್ಮೆ ನೀವು ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳನ್ನು

picture of this will have VI and I'll

ಹೊಂದಿದ್ದು ಅದು ನಕಾರಾತ್ಮಕವಾಗಿ ಚಲಿಸುತ್ತದೆ

still show c1 by the way just for

ವೋಲ್ಟೇಜ್, ಆದರೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಮಯ ನಾವು ಇದನ್ನು

simplicity I didn't show the internal resistance of the source VI but actually

ಮಾಡುತ್ತಿದ್ದೇವೆ, ನಾವು ಇನ್ನೂ ಈ ನೆಲವನ್ನು

I can add it it is not very difficult to include so I'll have RS over there so

ಕೆಳಭಾಗ ಎಂದು ಕರೆಯುತ್ತೇವೆ ಮತ್ತು ಮೇಲಿನ ರೈಲು

that means I love RS over here okay and

ಇನ್ನೂ 24 ವೋಲ್ಟ್‌ಗಳಲ್ಲಿರುತ್ತದೆ. ಈಗ ಹೆಚ್ಚುತ್ತಿರುವ

as far as the MOS transistor is concerned nothing has changed okay so

ಚಿತ್ರಕ್ಕೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದಂತೆ ಮತ್ತು ಇದು ಎರಡೂ ನೆಲದಲ್ಲಿದೆ

this point is the gate and that is the gate and from gate to ground we have r1

ಮತ್ತು ಈ ಆರ್ಎಲ್ ಅನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯ ಉಲ್ಲೇಖ ಟಿಪ್ಪಣಿಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ ಈ ಬದಿಯಲ್ಲಿರುವ ನೆಲದ

parallel r2 because we have r1 over here and r2 there and this point is also incremental ground okay this is r1

ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್. ಆದ್ದರಿಂದ, ಅದು ಸಂಪೂರ್ಣ pMOS ಸಾಮಾನ್ಯ ಮೂಲ ವರ್ಧಕವಾಗಿದೆ, ನಾನು vi ಮತ್ತು I AC ದಂಪತಿಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದೇನೆ

parallel r2 then we have GM x vgs okay remember the small

ಪಾಯಿಂಟ್ ಇದು ಗೇಟ್ ಮತ್ತು ನಾನು ಎಸಿ ಲೋಡ್

signal model of the p MOS is exactly same as they're all the n MOS when we

ಅನ್ನು ಡ್ರೈನ್ಗೆ ಜೋಡಿಸಿದೆ. ಒಂದೇ ಒಂದು ಟಿಪ್ಪಣಿ

write it in terms of vgs and then we

ಇಲ್ಲಿ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮೂಲ ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ಗೆ ಅಲ್ಲ ಮೂಲ ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಆಗಿದೆ ಈ ಎರಡು ಬಿಂದುಗಳ ನಡುವೆ ಅದರಿಂದ ಗೊಂದಲಕ್ಕೀಡಾಗುವುದಿಲ್ಲ, ಆದರೆ ಇಲ್ಲದಿದ್ದರೆ ವಿಷಯಗಳು ಒಂದೇ ಆಗಿರುತ್ತವೆ

have our d from brain to ground we have C to R and RL okay so this is the

ಇದರ ಸಣ್ಣ ಸಿಗ್ನಲ್ ಚಿತ್ರವು ಈ ಭಾಗವನ್ನು

ನಾನು ಹೇಳಿದಂತೆ ಮತ್ತೆ ಮೊದಲಿನಂತೆಯೇ ಇರುತ್ತದೆ

incremental picture of the the most

MOS ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ನ nMOS ಕೇಸ್ ಮೂಲದಲ್ಲಿ

common source amplifier and you can see that it is exactly the same as that of

ಏನು ಆಧಾರವಾಗಿದೆ ಎಂಬುದು ಸಾಮಾನ್ಯ ಉಲ್ಲೇಖವಾಗಿದೆ

the in most common source amplifier and also if the PMO's transistor has nonzero

ನೋಡ್. ಮತ್ತು ಈ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ ಸಾಮಾನ್ಯ ಉಲ್ಲೇಖ ನೋಡ್

lambda it will have a non zero output conductance and that is included or

ಡ್ರೈನ್ ಸೈಡ್ ಕಡೆಗೆ ಇರುತ್ತದೆ, ಇದಕ್ಕೆ

there okay as usual it just appears in

ಕಾರಣ ಸಕಾರಾತ್ಮಕ ಪೂರೈಕೆ ವೋಲ್ಟೇಜ್‌ಗಳೊಂದಿಗೆ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸಲು ನಾವು ಆದ್ಯತೆ ನೀಡಿದ್ದೇವೆ ಇದು ಉಲ್ಲೇಖ ನೋಡ್

parallel with our DN RL okay so as far

ಅಥವಾ ನೆಲ. ಈಗ ನೀವು ಇದರ ಹೆಚ್ಚುತ್ತಿರುವ

as the small signal picture or the incremental picture is concerned everything is exactly the same between P

ಚಿತ್ರವನ್ನು ಸೆಳೆಯುತ್ತಿದ್ದರೆ vi ಇರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು

Mo's and in most cases it's the

ನಾನು ಇನ್ನೂ ಸಿ 1 ಅನ್ನು ತೋರಿಸುತ್ತೇನೆ ಸರಳತೆಗಾಗಿ ನಾನು ಈ ಮೂಲದ ಆಂತರಿಕ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ತೋರಿಸಲಿಲ್ಲ vi, ಆದರೆ ವಾಸ್ತವವಾಗಿ ನಾನು ಅದನ್ನು ಸೇರಿಸಬಹುದು. ಸೇರಿಸುವುದು ತುಂಬಾ

operating point and some other large signal characteristics that will be different we'll see what they are okay

ಕಷ್ಟವಲ್ಲ. ಆದ್ದರಿಂದ, ನಾನು ಅಲ್ಲಿ ರೂ. ಅಂದರೆ ರೂ ಇಲ್ಲಿ ಮತ್ತು MOS ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗೆ

ಸಂಬಂಧಿಸಿದಂತೆ ಏನೂ ಬದಲಾಗಿಲ್ಲ. ಆದ್ದರಿಂದ, ಈ ಹಂತ ಗೇಟ್ ಮತ್ತು ಅದು ಗೇಟ್

now we want c1 and c2 to be shorts and

ಮತ್ತು ಗೇಟ್ನಿಂದ ನೆಲಕ್ಕೆ ನಾವು R1 ║ R2 ಅನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದೇವೆ

we have done this so many times that I

ಏಕೆಂದರೆ ಇಲ್ಲಿ R1 ಮುಗಿದಿದೆ ಮತ್ತು ಅಲ್ಲಿ ಆರ್

will run through it for c1 to be a short

2 ಮತ್ತು ಈ ಹಂತವು ಹೆಚ್ಚುತ್ತಿರುವ ನೆಲವಾಗಿದೆ ಇದು ಆರ್

it's reactance has to be much smaller

ಸಮಾನಾಂತರ ಆರ್ 2 ಆಗಿದ್ದರೆ ನಮಗೆ ಜಿಎಂ *

than the resistance that appears across

vGS ನೆನಪಿಡಿ pMOS ನ ಸಣ್ಣ ಸಿಗ್ನಲ್ ಮಾದರಿಯು

it when the source is radius to zero

nMOS ನಂತೆಯೇ ಇರುತ್ತದೆ. ಯಾವಾಗ ನಾವು ಅದನ್ನು ವಿಜಿಎಸ್ ವಿಷಯದಲ್ಲಿ ಬರೆಯುತ್ತೇವೆ

source is reduced to zero we have our s

ಮತ್ತು ನಂತರ ನಾವು ಡ್ರೈನ್ ನಿಂದ ನೆಲಕ್ಕೆ ಆರ್ಡಿ ಹೊಂದಿದ್ದೇವೆ, ನಮ್ಮಲ್ಲಿ ಸಿ 2 ಮತ್ತು ಆರ್ಎಲ್ ಇದೆ. ಇದು pMOS ಸಾಮಾನ್ಯ ಮೂಲ ವರ್ಧಕದ ಹೆಚ್ಚುತ್ತಿರುವ ಚಿತ್ರವಾಗಿದೆ, ಮತ್ತು

and this resistance okay so the

ನೀವು ಎರಡನ್ನೂ ನೋಡಬಹುದು ಇದು nMOS ಸಾಮಾನ್ಯ ಮೂಲ

reactance of the capacitor c1 1 over

ಆಂಪ್ಲಿಫೈಯರ್ನಂತೆಯೇ ಇರುತ್ತದೆ. ಮತ್ತು

Omega C 1 must be much smaller than RS

ಪಿಎಂಒಎಸ್ ಆಗಿದ್ದರೆ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಶೂನ್ಯೇತರ ಲ್ಯಾಂಬ್ಡಾವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಇದು ಶೂನ್ಯೇತರ output ಟ್‌ಪುಟ್ ವಾಹಕತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು

plus r1 parallel r2 or this means that

ಅದನ್ನು ಸೇರಿಸಲಾಗಿದೆ ಆಕಡೆ . ಎಂದಿನಂತೆ ಇದು

c1 has to be much more than 1 over Omega

ಆರ್ಡಿ ಮತ್ತು ಆರ್ಎಲ್ಗೆ ಸಮಾನಾಂತರವಾಗಿ ಕಾಣಿಸಿಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ಸಣ್ಣ ಸಿಗ್ನಲ್ ಚಿತ್ರ ಅಥವಾ ಹೆಚ್ಚುತ್ತಿರುವ

Prime's RS plus r1 parallel r2 ok now on the

ಚಿತ್ರಕ್ಕೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದಂತೆ ಎಲ್ಲವೂ ಇದೆ pMOS ಮತ್ತು

output side exactly the same thing holds

nMOS ಪ್ರಕರಣಗಳ ನಡುವೆ ಒಂದೇ ಆಗಿರುತ್ತದೆ,

and I'll as usual ignore the zds but if

ಇದು ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ಪಾಯಿಂಟ್ ಮತ್ತು ಇತರವು ವಿಭಿನ್ನವಾಗಿರುವ

it is there it just appears in parallel

ದೊಡ್ಡ ಸಿಗ್ನಲ್ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು. ಅವು ಯಾವುವು ಎಂದು ನಾವು ನೋಡುತ್ತೇವೆ. ಈಗ ನಮಗೆ ಸಿ 1 ಬೇಕು

with Rd the reactance of this capacitor

ಮತ್ತು ಸಿ 2 ಕಿರುಚಿತ್ರಗಳಾಗಿರಬೇಕು ಮತ್ತು ನಾವು ಇದನ್ನು

c2 has to be much smaller than the

ಹಲವು ಬಾರಿ ಮಾಡಿದ್ದೇವೆ, ಸಿ 1 ಆಗಿರಲು ನಾನು ಅದರ

resistance that appears across it which

ಮೂಲಕ ಓಡುತ್ತೇನೆ ಒಂದು ಸಣ್ಣ ಅದು ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯಾಕಾರಿಗಳು

is Rd plus RL ok

ಅದರ ಮೇಲೆ ಗೋಚರಿಸುವ ಪ್ರತಿರೋಧಕ್ಕಿಂತ

so 1 over Omega C 2 is much smaller than

ಚಿಕ್ಕದಾಗಿರಬೇಕು ಮೂಲವನ್ನು ಶೂನ್ಯ ಮೂಲಕ್ಕೆ ಇಳಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಶೂನ್ಯಕ್ಕೆ ನಾವು R ರು ಮತ್ತು ಈ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದೇವೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ದಿ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ C1, 1 / (ω * C1) ≤ Rs + (R1 ║ R2) ನ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯಾತ್ಮಕತೆ

Rd plus RL ok or C 2 has to be much greater than 1 over Omega R times Rd

ಅಥವಾ ಇದರರ್ಥ C1 ≥ 1 / (ω * ರೂ + (ಆರ್ 1 ║ ಆರ್ 2)).

plus RL what we also discussed earlier

ಈಗ side ಟ್ಪುಟ್ ಬದಿಯಲ್ಲಿ ಒಂದೇ ವಿಷಯವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ

that this is the condition that makes

ಮತ್ತು ನಾನು ಎಂದಿನಂತೆ ಮಾಡುತ್ತೇನೆ ಈ ಜಿಡಿಎಸ್

sure that the voltage at the output is the same whether you have C 2 or if it

ಅನ್ನು ನಿರ್ಲಕ್ಷಿಸಿ, ಆದರೆ ಅದು ಇದ್ದರೆ

is really short circuited this

ಅದು ಆರ್ಡಿಗೆ ಸಮಾನಾಂತರವಾಗಿ ಗೋಚರಿಸುತ್ತದೆ .ಇದರ

constraint will make sure of that but sometimes we also need an additional

ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯಾತ್ಮಕತೆ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ ಸಿ 2 ಅದರಾದ್ಯಂತ

constraint especially if the value of Rd

ಕಂಡುಬರುವ ಪ್ರತಿರೋಧಕ್ಕಿಂತ ಚಿಕ್ಕದಾಗಿದೆ, ಅದು

is very high we want this voltage and that voltage to be the same okay from

ಆರ್ಡಿ + ಆರ್ಎಲ್. ಆದ್ದರಿಂದ, 1 / (ω * C2) ≤ (RD + RL) ಅಥವಾ C2

the discussion on swing limits you know that what limits the swing is the voltage at the drain not the output

≥ 1 / (ω * (RD + RL)), ಆದರೆ ನಾವು ಮೊದಲೇ ಚರ್ಚಿಸಿದ್ದೇವೆ

voltage okay so if hardy is very large you could end up in a situation where

ನೀವು ಸಿ 2 ಅಥವಾ ಹೊಂದಿದ್ದರೂ output ಟ್‌ಪುಟ್‌ನಲ್ಲಿನ

the voltage swing here is larger than

ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಒಂದೇ ಆಗಿರುತ್ತದೆ ಎಂದು ಖಚಿತಪಡಿಸಿಕೊಳ್ಳುವ

the output voltage if you have that what

ಸ್ಥಿತಿ ಇದು ಇದು ನಿಜವಾಗಿಯೂ ಶಾರ್ಟ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್

it means is that the transistor will go into saturation for a smaller output

ಆಗಿದ್ದರೆ ಈ ನಿರ್ಬಂಧಗಳು ಅದನ್ನು ಖಚಿತಪಡಿಸುತ್ತದೆ,

voltage than you originally thought ok

ಆದರೆ ಕೆಲವೊಮ್ಮೆ ನಾವು ಸಹ ಹೆಚ್ಚುವರಿ ನಿರ್ಬಂಧದ

so that's why we want the drain voltage

ಅಗತ್ಯವಿರುತ್ತದೆ, ವಿಶೇಷವಾಗಿ ಆರ್ಡಿಯ

to be the same as the output voltage and

ಮೌಲ್ಯವು ತುಂಬಾ ಹೆಚ್ಚಿದ್ದರೆ ನಮಗೆ ಈ ವೋಲ್ಟೇಜ್

the condition for that is omegas c2 has

ಬೇಕು ಮತ್ತು ಸ್ವಿಂಗ್ ಮಿತಿಗಳ ಚರ್ಚೆಯಿಂದ

to be much smaller than RL

ಆ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಒಂದೇ ಆಗಿರುತ್ತದೆ ಎಂಬುದು

seto has to be much greater than on over

ನಿಮಗೆ ತಿಳಿದಿದೆ ಸ್ವಿಂಗ್ ಎಂಬುದು ಡ್ರೈನ್ ನಲ್ಲಿನ ವೋಲ್ಟೇಜ್ output ಟ್ಪುಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅಲ್ಲ. ಆದ್ದರಿಂದ,

Omega R L okay and once these conditions

ಆರ್ಡಿ ತುಂಬಾ ದೊಡ್ಡದಾಗಿದ್ದರೆ, ಇಲ್ಲಿ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಸ್ವಿಂಗ್

are satisfied the capacitors do behave

ದೊಡ್ಡದಾದ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿ ನೀವು ಕೊನೆಗೊಳ್ಳಬಹುದು voltage ಟ್ಪುಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ಗಿಂತ. ನೀವು ಅದನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದರೆ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಹೋಗುತ್ತದೆ ನೀವು ಮೂಲತಃ ಅಂದುಕೊಂಡಿದ್ದಕ್ಕಿಂತ

like short circuits

ಸಣ್ಣ output ಟ್‌ಪುಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್‌ನ ಶುದ್ಧತ್ವ. ಆದ್ದರಿಂದ, ಅದಕ್ಕಾಗಿಯೇ ನಾವು ಬಯಸುತ್ತೇವೆ

okay so that's the picture we have and we can easily see that V naught by V a will be minus GM times Rd parallel RL

ಡ್ರೈನ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ the ಟ್ಪುಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮತ್ತು ಸ್ಥಿತಿಗೆ ಸಮನಾಗಿರುತ್ತದೆ 1 / (ω * ಸಿ 2) ≤ (ಆರ್ಎಲ್) ಅಥವಾ ಸಿ 2 ≥ 1 / (ω * (ಆರ್ಎಲ್))

times the voltage division due to the source resistance r1 parallel r2 divided

ಮತ್ತು ಈ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳು ತೃಪ್ತಿಗೊಂಡ ನಂತರ, ಕೆಪಾಸಿಟರ್ ಶಾರ್ಟ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳಂತೆ

by RS plus r1 parallel r2 okay and if

ವರ್ತಿಸುತ್ತದೆ ನಮ್ಮಲ್ಲಿರುವ ಚಿತ್ರ. ಮತ್ತು Vo / vi ಎಂದು ನಾವು ಸುಲಭವಾಗಿ ನೋಡಬಹುದು

you do choose r1 parallel r2 to be much

- gm * (RD ║RL) * (R1 ║R2) / (Rs + (R1 R2)) .ಮತ್ತು ನೀವು R1 ║ R2 >> Rs ಅನ್ನು ಆರಿಸಿದರೆ ಈ ಇಡೀ ವಿಷಯವು - gm * (RD

greater than RS this whole thing will reduce to minus ZM Rd parallel RL okay

RL). ಆದ್ದರಿಂದ, ಸಣ್ಣ ಸಿಗ್ನಲ್ ಪಿಕ್ಚರ್

so the small signal picture wise nothing

ಬುದ್ಧಿವಂತ ಏನೂ ಭಿನ್ನವಾಗಿಲ್ಲ ನಾನು ಅದರ ಮೂಲಕ ಹೋದೆ

is different I just went through it and

ಮತ್ತು ಅದು nMOS ಸಾಮಾನ್ಯ ಮೂಲ ಆಂಪ್ಲಿಫೈಯರ್ನಂತೆಯೇ

it's exactly the same as in the and most

ಇರುತ್ತದೆ. ಈಗ ನಿಜವಾಗಿಯೂ ವಿಭಿನ್ನವಾಗಿದೆ

common source amplifier okay now what is

pMOS ಮತ್ತು nMOS ಸ್ಟಫ್ ನಡುವೆ, ನಾವು ಈ ಕೆಳಗಿನ

really different between PMO's and NMOS stuff we will see in the following

ಪಾಠಗಳಲ್ಲಿ ನೋಡುತ್ತೇವೆ.

lessons okay