0704pMOSCSAmpSwingLimits Analog Circuits by Prof.Nagendra Krishnapura Bangla English (auto-generated)

0704pMOSCSAmpSwingLimitsYouTube↗ IA↗(long shot)
People & Blogs 837 views 5 likes 0 dislikes 22 Aug 2015

Analog Circuits by Prof.Nagendra Krishnapura 1.8K subscribers N/A YouTube↗

আমরা দেখেছি যে পিএমওএস ট্রানজিস্টরের(pMOS

we have seen that a common source

Transistor) সাহায্যে একটি সাধারণ সোর্স প্রসপেক্টরকে

amplifier using P Mo's transistor has the same small signal picture as that

একই ছোট্ট সিগন্যাল ছবি দেখা যাচ্ছে

using an in MOS transistor and its characteristics are also lastly the same

যে এনএমওএস ট্রানজিস্টর(nMOS Transistor) এবং এর চরিত্রগত

any differences between these two are only in the parameter values okay

ব্যবহার করেও শেষ পর্যন্ত একই. এই দুটি

because my own Seahawks is different from your PC ox and vtp is different

মধ্যে কোন পার্থক্য শুধুমাত্র প্যারামিটার

from VT n you have to use different

(parameters) মান কারণ μpcox এবং VTP থেকে ভিন্ন

component values to get the same performance or if you do use the same component values let's say the same load

VTN থেকে পার্থক্য।

resistance and so on and the same

আপনি একই পারফরম্যান্স (performance) পেতে বিভিন্ন

operating point you will get a different value of gain okay but qualitatively

উপাদান মান ব্যবহার করতে হবে, অথবা আপনি একই উপাদান মান ব্যবহার করতে হলে, একই লোড

there is no difference in the small signal picture okay now let's look at the large signal characteristic of the

রোধ (résistance) এবং তাই বলা যাক এবং একই অপারেটিং পয়েন্ট আপনি লাভের একটি ভিন্ন মান পাবেন, কিন্তু গুণগতভাবে ছোট সংকেত ছবির মধ্যে কোন পার্থক্য নেই।

amplifier with namely the swing limits

এখন, আসুন আমরা স্লাইডের সীমাবদ্ধতার সাথে

এম্প্লিফায়ার্স (amplifiers) ড সংকেত বৈশিষ্ট্যটি দেখি। এখন, এটি পিএমওএসের সাধারণ উত্স এক্সপ্লিফার,

okay now this is the be most common

এবং এই ক্ষেত্রে শুধু সরলতা জন্য,

source amplifier and in this case just for simplicity I will remove this RS

আমি এই Rs. সরিয়ে ফেলব।

okay although the calculations are

যদিও হিসাবগুলি ঠিক একই সাথে Rs ছাড়াও,

exactly the same even with RS we always get this additional division of voltage

আমরা সবসময় এই বিন্যাসের অতিরিক্ত বিভাজন

between RS n r1 parallel r2 ok I will eliminate that and I also assume that c1

পেতে Rs এবং ( R1 ║ R2 ). আমি যে পরিত্যাগ করব

and c2 are very large so that we can consider them to be short circuits okay

এবং আমি অনুমান করি যে C1 এবং C2 খুব বড়

so let's say this is 3 mega ohm this is

তাই আমরা তাদের শর্ট সার্কিট হতে বিবেচনা

21 my goal so that this voltage is 3

করতে পারি।

volts and already is 100 kilo ohms and

সুতরাং, এই 3 MΩ বলা যাক, এই 21 MΩ তাই এই

RL is also 100 kilos okay this is just

ভোল্টেজ 3 ভোল্ট, এবং RD 100 KΩ এবং RL 100 KΩ হয়।

for illustration now this voltage v SD

এটি শুধু দৃষ্টান্তের জন্য ।

in the question condition is 4 volts

এখন, এই ভোল্টেজ VSD -র সঙ্কোচনীয় অবস্থায়

okay now why do we have limits on the

4 ভোল্ট।

signal swing the transistor can go

এখন কেন আমরা সংকেত সুইং উপর সীমা আছে,

either into the triode region or in to cut off so because of this the value of

ট্রানজিস্টার ট্রিওড অঞ্চলে(Triode Region) বা কাটা

input VI that you can apply to the

মধ্যে যেতে পারেন।

circuit is limited okay so now we will

তাই, এই কারণে, ইনপুট vi এর মান আপনি সার্কিটে

investigate this for the P Mo's common source amplifier the conditions are

প্রয়োগ করতে পারেন সীমিত। সুতরাং, এখন, আমরা পিএমওএস (pmos) সাধারণ

exactly the same the condition to remain in saturation is that VSD has to be

উত্স এম্প্লিফায়ার্স (amplifiers) জন্য এই অবস্থা

greater than or equal to B as g minus VT

পরীক্ষা একই অবস্থা একই হবে। স্যাচুরেশন থাকা অবস্থায় শর্ত হল VSD(total) >= ( VSG(total) - VTP ). হতে হবে।

p and the condition to avoid cut off i will say white not cut off is that I d

অবস্থা কাটাতে এড়াতে আমি বলব যে, লেখাটি

is greater than 0 and these refer to not the operating point values but the total

খালি না করা হল যে ID(total) > 0 এবং এইগুলি

quantities when the signal is applied okay so what we have to do is similar to

অপারেটিং পয়েন্ট মান নয়, তবে সংকেত

what we did in case of the n MOS

প্রয়োগ করা হলে মোট পরিমাণ।

amplifiers okay we have to first find

তাই, আমাদের যা করতে হবে তা হলো এনএমওএস

the total voz total VSD and total ID and

এমপ্লিফায়ারের ক্ষেত্রে আমরা কি করেছি, প্রথমে আমাদের VSG(total) , VSD(total) এবং ID(total), খুঁজে বের করতে হবে এবং এই শর্তাবলী প্রয়োগ করতে হবে।

apply these conditions okay add the operating point we have vs g

অপারেটিং বিন্দুতে, আমরা VSG0 = 3 ভোল্ট এবং

equals 3 volts and we as d equals 4

VSD0 = 4 ভোল্টের সমান। অথবা যদি আপনি মাটির ভোল্টেজগুলি উল্লেখ

volts ok or if you refer the voltages to

করেন, গেট ভোল্টেজটি 21 ভোল্টে থাকে, এবং

ground the gate voltage is at 21 volts

ভোল্টেজটি আঁকা করে 20 ভোল্ট।

and the drain voltage is at 20 volts

কখনও কখনও স্যাচুরেশন ট্রিওড সীমার জন্য,

sometimes for the saturation triode

আপনি VG(total) এবং VD(total) এর পরিবর্তে VGS(total)

boundary you specify the conditions in terms of easy and VD instead of V GSN

এবং VDS(total) এর পরিবর্তে শর্তটি নির্দিষ্ট

VDS okay that's also possible so i have

করে দিতে পারেন, তাই আমি সেইসব জিনিসগুলিকে

written those things down as well and the current ID is 200 micro amperes that

নিচেও লিখে রেখেছি। বিদ্যুত্প্রবাহ ID 200 μA অবশ্যই, নিচে প্রবাহিত হয়।

is of course flowing downwards okay so

সুতরাং, আপনি এই মনের মধ্যে রাখা উচিত

you have to keep this in mind that this ID in a P Mo's transistor is flowing

যে একটি পিএমওএস ট্রানজিস্টর নিচে ID র নিচে প্রবাহিত।

downwards okay now when the signal via

এখন যখন সিগন্যাল (signal) vi প্রয়োগ করা হয়, এই নোডের ভোল্টেজটি কুইজেন্ট ভোল্টেজ হবে যা 21 ভোল্ট প্লাস vi, কারণ যদি আপনি vi প্রয়োগ করেননি বা যদি আপনি vi 0 তে সেট

is applied the voltage at this node would be the quiescent voltage which is 21 volts plus VI okay because if you don't apply VI or if you set we 820 this

করেন তবে এটি মাটির সাথে একটি 21 ভোল্ট

is at 21 volts with respect to ground remember when I say voltage at some node it is with reference to the common

। মনে রাখবেন, যখন আমি কিছু নোড এ ভোল্টেজের (voltages) বলুন, এটি সার্কিট(Circuit), এর সাধারণ স্থল নোডের

ground node of the circuit so it's at 21 volts plus VI ok now this point is 24 volts above the ground because of the

রেফারেন্স সঙ্গে।সুতরাং, এটি 21 V + vi ।

power supply so V as g you can easily

এখন, এই বিন্দুটি বিদ্যুত্প্রবাহ সরবরাহের কারণে মাটির উপরে 24 ভোল্ট।

see is if you calculate the total

সুতরাং, VSG(total), আপনি সহজেই দেখতে পারেন যদি আমরা হিসাব করে মোট পরিমাণ VSG(total), 24

quantity vs g total is 24 volts minus

ভোল্ট বিয়োগ গেট ভোল্টেজ যা আপনাকে

the gate voltage which tells you that it

বলে যে এটি 3 ভোল্ট - vi । এটি সম্পর্কে

is 3 volts minus VI ok another way to

আরেকটি উপায় বিবেচনা করা হয় যে যদি vi এর

think about it is that if VA it has a

একটি ইতিবাচক মান থাকে তবে এই ভোল্টেজ

positive value then this voltage increases and the source voltage is

বৃদ্ধি এবং সোর্স ভোল্টেজ একই থাকে।

remaining the same ok so the source gate

তাই, সোর্স গেট ভোল্টেজ আসলে হ্রাস হয় কারণ

voltage actually reduces because the

গেটটি ইতিমধ্যেই যাচ্ছে আপনি এখানে

gate is going up so already you see the

এনএমওএস (nMOS) সাধারণ সোর্স এক্সপ্লিফায়ারের

crucial difference here in case of an

ক্ষেত্রে এখানে ভিন্ন ভিন্ন দেখতে পাবেন

most common source amplifier I mean three volts plus VI or the quiet

এইটি 3 V + vi বা VGS0 + vi । এখন আমরা একটি মাইনাস পিএমওএস (pmos) (VSG(total) = 3 V- vi ) আছে এখন, এখানে

vgs plus VI now we have a minus ok now the voltage here at the drain the

ভোল্টেজটি কুইজেন্ট ভোল্টেজটি 20 টি ভোল্টেজ

quiescent voltage is 20 volts okay and

এবং ড্রেনের ক্রমবর্ধমান ভোল্টেজ যা আমরা ছোট সংকেত ছবি থেকে পেয়েছি।

what is the incremental voltage at the drain that we get from the small signal picture okay so we have VI and this is

সুতরাং, আমাদের vi , আছে, এবং এটি গেট, ড্রেন এবং এমওএস ট্রানজিস্টর সোর্স; আমরা RD এবং RL এলাম। সুতরাং, vGS = vi । সুতরাং, এটি gm* vGS এবং গ্রিডের

the gate drain and source of the mos transistor we have rd and RL so VG s equals VI okay so this is GM vgs and the

সাথে ড্রেনের ভোল্টেজ যা ছোট সংকেত স্থলটি

হল - gm* (RD ║ RL ) * vGS । এবং এই বিশেষ ক্ষেত্রে,

drain voltage with respect to ground which is the small signal ground is

gm 200 μS,, এবং RD এবং RL 100 KΩ । তাই, এটি নিখুঁতভাবে

minus GM rd parallel RL x VG s ok and in

- 200 μS * ( 50 KΩ) = - 10 * vi । সুতরাং, ড্রেনের ক্রমবর্ধমান ভোল্টেজটি

this particular case GM is 200 micro

- 10 * vi ।সুতরাং, এখানে বৃদ্ধিশীল ভোল্টেজটি

siemens and rd and RL are 100 kilo ohms

ড্রেনের - 10 * vi হয়। সুতরাং, মোট ভোল্টেজটি (20 V - ( 10 * vi ) ). । সুতরাং, VSD(total), আপনি দেখতে পারেন 24 ভোল্ট মাইনাস এই,

so this turns out to be minus 200 times 50 so that is minus 10 times VI okay so the incremental voltage at the drain

24 ভোল্ট মাইনে এই পুরো পরিমাণ।

is minus 10 VI so the incremental voltage here is minus 10 times VI at the

সুতরাং, VSD(total), 4 V + 10* vi আবার আপনি আবার চিহ্নের বিপরীত দিকে দেখুন এবং অবশেষে,

drain so the total voltage is 20 volts minus 10 times VI okay so VSD you can

ক্রমবর্ধমান ড্রেন বিদ্যুত্প্রবাহ

see is 24 volts minus this 24 volts

কি আপনি দেখতে পারেন যে ক্রমবর্ধমান ড্রেন

minus this whole quantity so VSD total

বিদ্যুত্প্রবাহ gm* vGS ড্রেন থেকে উত্স

is 4 volts plus VI again you see a

যাচ্ছে, কিন্তু এখানে মোট ড্রেন বিদ্যুত্প্রবাহ স্রোত থেকে নিষ্কাশন করা হয়, বৃদ্ধিশীল

reversal of sign okay and finally what is the incremental drain current you can

ড্রেন বিদ্যুত্প্রবাহ gm* vGS যাচ্ছেড্রেন। সুতরাং, বিদ্যুত্প্রবাহ ড্রেন থেকে বেরিয়ে

see that this incremental drain current GM vgs is going from drain to source but here the total drain current is going from source to drain okay the

আসছে - gm* vGS । সুতরাং, মোট ড্রেন বিদ্যুত্প্রবাহ

incremental drain current is GM times vgs going into the drain ok so the

200 μA - gm* vGS or - gm* vi কারণ এই ক্ষেত্রে vi এবং

incremental current coming out of the drain is minus GM times v GS okay so the total drain current is 200 micro amperes

vGS একই।

minus GM vgs or minus GM VI because in

এটি 200 μA - 200 μS * vi । তাই, আপনি এই লক্ষণগুলির মধ্যে গুরুত্বপূর্ণ পার্থক্যগুলি দেখেন।

this case VI and vgs are the same ok

সুতরাং, এর মানে প্রথম কি আমাদের স্যাচুচার অঞ্চলের ট্রানজিস্টর রাখার চেষ্টা করা

here is 200 micro amperes minus 200 micro siemens times VI okay so you see

যাক।

that the crucial differences lie in

এটি স্যাচুচার -তে থাকবে যদি VSD(total) >= VSG(total) - VT, এবং VSD(total) 4 volts + 10 * vi । এবং সাধারনত, এটি

these signs so what does that mean first let's try to keep the transistor in saturation region it will be in

অপারেটিং পয়েন্টে VSD0 হবে, আমি কুইজেন্ট পয়েন্ট হিসাবে Q হিসাবে এটি লিখব এবং এম্প্লিফায়ার্স (amplifiers) gm* (RD ║ RL ) * vi . । এবং যদি আপনার কিছু Rs থাকে তবে আপনাকে

saturation f vs d is greater than V as g minus VT and VSD total is

Rs এবং (R1 ║R2 ). অন্তর্ভুক্ত করতে হবে।

four volts plus ten times VI and in

এটি VSG(total) এর চেয়েও বেশি যা এই ক্ষেত্রে

general it will be VSD add the operating point I'll read it as q4 question point

3 ভোল্টস - vi এবং বিয়োগের ভোল্টেজের চেয়ে

plus the gain of the amplifier GM times

কম। এক ভোল্ট। এবং সাধারণ পদে, এটি VSD0 + gm (RD ║ RL )* vi > VSG0 - vi - VTP

already parallel RL times VI and if you have some RS you also have to include the division between RS and r1 parallel

লিখবো। আবার যদি আপনি আরএস এবং R 1 এর মধ্যে R 2 এর সমান্তরালে বিভক্ত থাকেন তবে আপনাকে

r2 this has to be greater than v SD total which is 3 volts minus VI in this

এটি অন্তর্ভুক্ত করতে হবে যে এখানে থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ বাদ দিন।

case okay and minus the threshold

আমি এই থেকে কি পেতে পারি।

voltage which is 1 volt and in general

তাই, আমি অন্য দিকে এটিকে নিয়ে যাই, আমি 11*vi > 3 V - 1 V - 4 V = - 2 V বা vi > - 2/ 11 V হতে পারে।

terms it will be greater than the quiescent source gate voltage okay and I'll write minus VI again if you have a division between RS and r1 parallel r2

you have to include that here minus the

এখন, যদি আপনি এনএমওএস (nMOS) সাধারণ সোর্স

threshold voltage okay so what do I get

এক্সপ্লিফারের ক্ষেত্রে প্রত্যাহার করে থাকেন,

out of this so i get i take this to the

তবে স্যাচুরেশন অবস্থা vi জন্য ঊর্ধ্ব সীমা

other side i get 11 we i should be

জন্য সেটিং ছিল।

greater than or equal to 3 volt minus 1

এখন, এটা vi জন্য নিম্ন সীমা সেট করা হয়।

volt minus 4 volt which is minus 2 volts

আপনি দেখতে পারেন যে vi > - 2 /11 ভোল্টের

okay or VA has to be greater than minus

হতে হবে। কেন এটা এখানে ঘটে vi হিসাবে ছোট হয়ে

two x 11 volts now if you recall in case

যায়, গেট ভোল্টেজ ছোট হয়ে যায় যদি

of the most common source amplifier the saturation condition was setting the

গেট ভোল্টেজটি ছোট হয়ে যায়, তবে সোর্স

upper limit for VI okay now it sets the

গেট ভোল্টেজটি বড় এবং বিদ্যুত্প্রবাহ ট্রানজিস্টর বৃদ্ধির মাধ্যমে।

lower limit for VI okay you can see that

যেহেতু ট্রানজিস্টর বৃদ্ধির মাধ্যমে

via has to be greater them minus two x

বিদ্যুত্প্রবাহ ড্রেন ভোল্টেজ বাড়ায় কারণ এটি বিদ্যুত্প্রবাহ RD এবং RL এর সমান্তরাল

11 volts why does this happen here as VI

সংমিশ্রণে চলে যাচ্ছে। যেহেতু ড্রেন ভোল্টেজটি গেট ভোল্টেজটি হ্রাস

becomes smaller the gate voltage becomes

করে, ড্রেন ভোল্টেজটি বেড়ে যাচ্ছে, তাই

smaller if the gate voltage becomes smaller the source gate voltage becomes

এটি ট্রায়োড দিকে যাচ্ছে অঞ্চল এবং

bigger and the current through the transistor increases as the current

ট্রায়োড অঞ্চল স্যাচুরেশন সীমানাটি আসলে vi এর

through the transistor increases the drain voltage increases because that

জন্য নেতিবাচক সীমা নির্ধারণ করে যাতে

current is going into the parallel combination of our DN RL okay as the

পার্থক্যটি।যেহেতু স্রোত এবং ভোল্টেজগুলির

drain voltage increases the gate voltage

মেরুশিপগুলি উল্টে যায়, তাই এনএমওএসের

is falling the drain voltage is going

তুলনায় পিওএমওএস এর ক্ষেত্রে সুইং

so it's going towards the triode region

সীমা বিপরীত হয়।

and the triode region saturation

এবং আবার আমি এটি সাধারণ শব্দে লিখব

boundary actually sets a negative limit

vi >= ( VSG0 - VSD0- VTP ) / (1+(gm (RD ║ RL )) ) । আমি ইতিমধ্যে

for VI okay so that's the difference because the polarities of currents and

ব্যাখ্যা করেছি কেন এই পদ এনএমওএস (nMOS)

voltages are reversed the swing limits are opposite in case of primos as

1+(gm ) ভোল্টেজ এক ইউনিট দ্বারা পরিবর্তিত

compared to n MOS ok and again I'll

হচ্ছে, কারণ গেনটি ভোল্টেজটি এক ইউনিট

write it in general terms VI has to be

দ্বারা পরিবর্তিত হচ্ছে, তবে ড্রেনটি লাভ ইউনিট দ্বারা পরিবর্তিত হচ্ছে।

greater than or equal to so all these

সুতরাং, গেট ড্রেন ভোল্টেজ এক প্লাস

are greater than or equal to V s G Q

লাভ(Gain) ইউনিট দ্বারা পরিবর্তন করা হয়। এবং যদি আপনি সংখ্যার দিকে তাকান তবে এই

minus vs d q minus VTP divided by 1 plus

পার্থক্যটি প্রশস্ত গেট ড্রেন ভোল্টেজ

GM Rd parallel RL I already explained

বা কুইজেন্ট ড্রেইন গেট ভোল্টেজের নেতিবাচক।

why these terms come about in case of

সুতরাং, যদি ড্রেনটি গেটের নিচে ভাল হয়

the N Mo's amplifier we have 1 plus GM

তবে বিচ্ছেদ বড় হবে এবং আপনি বড়

in the denominator because the gate voltage is changing by one unit whereas

সুইং সীমা পাবেন।

the drain is changing by gain units so

এনএমওএসের ক্ষেত্রে এটি বিপরীত।

the gate drain voltage is changing by 1

আপনি ড্রেন গেট ভোল্টেজ উপরে ভাল থাকা চাই

plus gain units and if you look at the

যে এটি জন্য অনেক ঘর আছে পড়া; এই ক্ষেত্রে,

numerator this difference is the choir sent gate drain voltage or the negative

আপনি ড্রেন ভাল গেট ভোল্টেজ নীচের হতে

of the question drain gate voltage ok so

চান যাতে এটি বাড়ির জন্য অনেক ঘর আছে।

if the drain is well below the gate then the separation will large and you will get a large swing limit ok in case of n

এবং অনুরূপভাবে, যদি আপনি কাটা বন্ধ

MOS it's the opposite you want to have

শর্ত প্রয়োগ করেন, আমরা চাই ID(total) >= 0.

the drain to be well above the gate voltage so that there is a lot of room

। এবং আবার আগের মতোই ব্যাখ্যা করা যায়,

for it to fall in this case you want the drain to be well below the gate voltage

আমরা সোর্স গেট ভোল্টেজের উপর ভিত্তি করে শর্তটি

so that there is a lot of room for it to rise ok and similarly if you apply the

ব্যবহার করতে পারি যে গেট সোর্স ভোল্টেজটি থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজের চেয়ে বেশি হওয়া

cutoff condition we want ID total to be

উচিত, কিন্তু কনভেনশন দ্বারা আমরা এটি

greater than or equal to 0 and again as I explained earlier we could also have

ব্যবহার করি কারণ আমরা এইটি দ্বিপদী

used the condition based on the source

ট্রানজিস্টর দিয়েও ব্যবহার করতে পারি।

gate voltage that is the source gate voltage should be more than the

এবং মোট ড্রেন বিদ্যুত্প্রবাহ যা কূট বিদ্যুত্প্রবাহ

threshold voltage but by convention we use this because we can also use this

(200 μA - ( 200 μS * vi )) >= 0 হওয়া উচিত।

with bipolar transistors ok and what is

এবং এটি আপনাকে বলে যে vi <= 1 ভোল্ট থেকে

the total drain current that is the

কম বা এর সমান হওয়া উচিত।

question current 200 micro amperes minus

তাই, পূর্বে এনএমওএস সাধারণ সরবরাহকারীর

200 micro siemens

উত্সের ক্ষেত্রে, কাট করা অবস্থা vi

mvi should be greater than or equal to 0

র নিম্ন সীমা আচ্ছাদন করছিল, এখন এটি উপরের

and this tells you that we should be

সীমাতে আরোপিত হয়, কারণ vi টি আরও বেশি

less than or equal to 1 volt so earlier in case of n most common source

ধনাত্মক হয়ে উঠছে কারণ গেট উঠে যায়,

amplifier the cutoff condition was imposing a lower limit on VI now it

উত্স গেট ভোল্টেজ পড়ে এবং ড্রেন বিদ্যুত্প্রবাহ

imposes an upper limit okay because as

হ্রাস যায়; কিছু সময়ে, এটি কাটা ঢোকাতে

we I becomes more and more positive the gate goes up the source gate voltage

হবে। সাধারণ পদে, মোট ড্রেন বিদ্যুত্প্রবাহ

falls okay and the drain current goes on

কুইজেন্ট ড্রেন বিদ্যুত্প্রবাহ - gm* vGS হবে এবং এটি শূন্য থেকে বড় বা সমান হতে হবে।

reducing at some point it will enter cut off okay and in general terms the total drain current would be the quiescent

তাই, এবং আমাদের ক্ষেত্রে vGS সমান vi । সুতরাং,

drain current minus GM times v GS and

এটি gm* vi ; vi <= ID0 / gm আছে সংক্ষিপ্তভাবে, এনএমওএস (nMOS) এবং পিএমওএসের(pMOS) সাধারণ সোর্স এক্সপ্লিফারের

this has to be greater than or equal to 0 so and in our case VG s equals VI so

ছোট সংকেত ছবিটি একই এবং এটি প্রতিটি অন্যান্য ধরনের অ্যামপ্লিফারার ক্ষেত্রে সত্য। যদি আপনি এনএমওএস (nMOS) এবং পিএমওএসের(pMOS)

this is GM times VI so VI has to be less than or equal to ID Q times GM okay in

ছোট সংকেত দেখেন তবে একই হবে; বড় সংকেত

summary the small signal picture of n MOS and P most common source amplifier

অনুযায়ী, তারা ভিন্ন হবে।

is the same and this is true of every other type of amplifier if you look at n

বিশেষত সুইং সীমা বিপরীত হয়।

MOS and p MOS small signal wise they

যদি কিছু সার্কিট(Circuit) স্যাচুরেশন এনএমওএস

will be the same large signal wise they will be different okay the swing limits

(nMOS) পরিবর্ধক উপরের সীমা উপর চাপিয়ে

in particular or the opposite okay if in

হবে; এটি পিএমওএস পরিবর্ধক একটি নিম্ন

some circuit saturation imposes an upper limit in the n MOS amplifier it will

সীমা আরোপ করা হবে এবং একইভাবে কাটা

impose a lower limit in the P Mo's amplifier and similarly for the cutoff

বন্ধ জন্য।

okay