BJT AMPLIFIER-2 Basic Electronics English Kannada

BJT AMPLIFIER-2YouTube↗ IA↗(long shot)
People & Blogs 3.7K views 12 likes 0 dislikes 19 Feb 2017

Basic Electronics 6.5K subscribers N/A YouTube↗

बेसिक इलेक्ट्रॉनिक्स में आपका फिर से स्वागत है। आखिरी व्याख्यान में हम एक साधारण

ಬಿಜೆಟಿ (BJT) ಆಂಪ್ಲಿಫಯರ್ (Amplifier)(ಮುಂದುವರಿದ) ಮೂಲ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ಗೆ (electronics)ಸ್ವಾಗತ. ಕೊನೆಯ ಉಪನ್ಯಾಸದಲ್ಲಿ ನಾವು ಒಂದು ಸರಳವಾದ BJT ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ (circuit)ಅನ್ನು ನೋಡುತ್ತಿದ್ದೇವೆ,

ಅದನ್ನು ವರ್ಧಕವಾಗಿ ಬಳಸಬಹುದು.

BJT सर्किट(circuit) को देख रहे थे जिसे एम्पलीफायर

ಆ ಆಂಪ್ಲಿಫೈಯರ್ನ (amplifier)ಲಾಭವನ್ನು ನಾನು V ವ್ರೆಸ್ V ಐ ಕರ್ವ್ನ

के रूप में इस्तेमाल किया जा सकता है।

ಇಳಿಜಾರು ನಿರ್ಧರಿಸುತ್ತದೆ. ಈ ಪ್ರಯೋಜನವು ವಿವಿಧ ನಿಯತಾಂಕಗಳಿಂದ ಹೇಗೆ ಪರಿಣಾಮ ಬೀರುತ್ತದೆ ಎಂಬುದನ್ನು ನಾವು ಈಗ

उस एम्पलीफायर का लब्धि(gain) VO बनाम Vi वक्र

ನೋಡೋಣ; ಅದು ಪ್ರತಿರೋಧಗಳು (resistance)ಮತ್ತು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್

की स्लोप (slope) द्वारा निर्धारित किया जाता

(transistor)ಬೀಟಾ. ಅದರ ನಂತರ ನಾವು ಕಲೆಕ್ಟರ್ (collector)ಪ್ರಸ್ತುತ

है। अब हम देखेंगे कि यह लब्धि(gain) विभिन्न

ಅಲೆಗಳ ಮೇಲೆ DC ಬಯಾಸ್ನ ಪರಿಣಾಮವನ್ನು ನೋಡುತ್ತೇವೆ,

मानकों से कैसे प्रभावित होता है; वह प्रतिरोध(resistance)

ಸಿನುಸೈಡಲ್ ಬೇಸ್ ಹೊರಸೂಸುವ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (voltage)ಅನ್ನು

और ट्रांजिस्टर(transistor) बीटा(beta) है। उसके बाद हम कलेक्टर विधुत धारा(collector current) तरंगों(waveform) पर DC बायस(bias) के प्रभाव को देखेंगे जब एमिटर(emitter)

ಅನ್ವಯಿಸಿದಾಗ. ಸಂಗ್ರಾಹಕ ಪ್ರವಾಹದ ಒಂದು ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಮೌಲ್ಯದಲ್ಲಿ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ (transistor)ಅನ್ನು ಪಕ್ಷಪಾತ ಮಾಡಲು ಸರಳವಾದ ಯೋಜನೆಯನ್ನು ನಾವು ನೋಡೋಣ, ನಾವು ಪ್ರಾರಂಭಿಸೋಣ.

वोल्टेज के साइनसॉइडल(sinusoidal) बेस (base)लागू होते हैं। हम कलेक्टर विधुत धारा(collector current)

ನಾವು ಸ್ವಲ್ಪ ಹೆಚ್ಚು ವಿವರವಾಗಿ ಅದೇ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ (circuit)ನೋಡೋಣ.

के विशिष्ट मान पर ट्रांजिस्टर(transistor) को बायस(bias) के लिए एक सरल योजना देखेंगे,

ಆರ್ಬಿ 0.5 ಕೆ ಅಥವಾ 1 ಕೆ ಅಥವಾ 2 ಕೆ ಆರ್ಬಿ

आइए शुरू करें। आइए विस्तृत रूप में उसी सर्किट को देखें । यहां RC 0.5 k या 1 k या 2 k लिए RB 1 k या

1 ಕೆ ಅಥವಾ 5 ಕೆ ಅಥವಾ 10 ಕೆ ಮತ್ತು ಬೀಟಾ 50 ಅಥವಾ 100 ಅಥವಾ 200 ಆಗಿರಬೇಕು. ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ (transistor)ರೇಖೀಯ ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿ ಇದ್ದರೆ

5 k या 10 k लिए विकल्प हैं और बीटा(beta) 50 या

ಮತ್ತು ನಂತರ ವಿ ಸಿಸಿ ಮೈನಸ್ ಐಸಿ, ಆರ್ಸಿ

100 या 200 हो सकता है। और यदि ट्रांजिस्टर(transistor)

(RC)ಮತ್ತು ಐಸಿ ಬೀಟಾ ಬಾರಿ ಐಬಿ ರೇಖೀಯ ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿದೆ.

रैखिक क्षेत्र में है तो VO द्वारा दिया जाता है VCC माइनस IC, RC और IC रैखिक क्षेत्र

ಆದ್ದರಿಂದ, ನಾವು ಇಲ್ಲಿ ಆರ್ಬಿ ಬಾರಿ ಬೀಟಾ ಬಾರಿ ಐಬಿಯನ್ನು ಪಡೆದುಕೊಳ್ಳುತ್ತೇವೆ, ಮತ್ತು ಐಬಿಯು ಅಂದಾಜು

में बीटा(beta) गुणाIB है। इसलिए, हमें यहां RC गुणा बीटा(beta) गुणा IB मिलते हैं, और IB लगभग

ವಿ ಐ ಮೈನಸ್ 0.7 ಆಗಿರುತ್ತದೆ ಏಕೆಂದರೆ ವಿ BE ಯು ಸರಿಸುಮಾರು

Vi माइनस से 0.7 है क्योंकि V BE लगभग 0.7 RB द्वारा

0.7 ಆರ್ಬಿ ಮೂಲಕ ಭಾಗಿಸಲ್ಪಡುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಇದು ವಿ ಐ ವಿ ಪ್ಲೇನ್ನಲ್ಲಿ ನೇರ ರೇಖೆಯಾಗಿದೆ.

विभाजित है और यह Vi VOप्लेन में सीधी

ಏಕೆಂದರೆ ನಾನು ಇಲ್ಲಿ ಸ್ಥಿರ ಗುಣಾಂಕದೊಂದಿಗೆ ಬರುತ್ತದೆ. ಈ ಸಮೀಕರಣದ (equal)ಮಿತಿಗಳು, ಈ ಸಮೀಕರಣದ (equal)ಸಿಂಧುತ್ವ

रेखा है। क्योंकि Vi यहां निरंतर गुणांक

ಏನು? ಮೊದಲ ವಿ 0.7 ಕ್ಕಿಂತ ಕಡಿಮೆಯಿದ್ದಾಗ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್

के साथ आता है। इस समीकरण की सीमाएं

(transistor)ಕಟ್ ಆಫ್ ಮೋಡ್ನಲ್ಲಿದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ಈ ಸಮೀಕರಣವು (equal)ಮಾನ್ಯವಾಗಿಲ್ಲ.

क्या हैं, इस समीकरण की वैधता क्या है?

ಮತ್ತು ವಿ ವಿ ಸಿ ಸಿಟ್ ಆಗುತ್ತದೆ ಅಥವಾ 0.2

सबसे पहले Vi<0.7 है जब ट्रांजिस्टर(transistor) कट ऑफ(cut-off) मोड(cut-off mode) में है। तो, यह समीकरण मान्य नहीं है। और जब VO VCE sat या 0.2 वोल्ट

ವೋಲ್ಟ್ (volt)ಆಗ, ಈ ಸಮೀಕರಣವು (equal)ನಮಗೆ ಮಾನ್ಯ ಎಂದು ನೋಡುತ್ತದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ (transistor)ಆ 2 ಮಿತಿಗಳ ನಡುವಿನ ಮಿತಿಗಳು ರೇಖೀಯ ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿದೆ ಮತ್ತು ನಾವು ಈ ಸಮೀಕರಣವನ್ನು

बन जाता है, तो यह समीकरण हमें वैध मानता है। तो, उन 2 सीमाओं के बीच सीमाएं

ಬಳಸಬಹುದು. ಈಗ ನಾವು ವಿ ವಿರುದ್ಧ ವಿ ಮತ್ತು ಇತರ ಪ್ರಮಾಣಗಳನ್ನು ಲೆಕ್ಕಾಚಾರ ಮಾಡೋಣ ಮತ್ತು ಇವು ಗ್ರಾಫ್ಗಳು.

हैं जो ट्रांजिस्टर(transistor) रैखिक क्षेत्र में

ಆದ್ದರಿಂದ, ಅದು V ವಿರುದ್ಧ ವರ್ಸಸ್ ನಾನು, ನಾವು

है और हम इस समीकरण का उपयोग कर सकते

ಕೊನೆಯ ಸ್ಲೈಡ್ನಲ್ಲಿ ನೋಡಿದ್ದೇವೆ ಎಂದು ತಿಳಿದಿದೆ.

हैं। आइए अब VO बनाम Vi और अन्य मात्रा

ಈ ಇತರ ಪ್ರಮಾಣಗಳಲ್ಲಿ ನಾವು ಸ್ಪಷ್ಟವಾಗಿ ಕಾಣಲಿಲ್ಲ. ಆದ್ದರಿಂದ, ಈಗ ಇವುಗಳನ್ನು ನೋಡೋಣ.

गणना करें और ये ग्राफ(graph) हैं। तो, यह VO बनाम Vi है, परिचित लग रहा है कि हमने पिछली

ಐಸಿ ಬಗ್ಗೆ, ಐಸಿ ವರ್ಸಸ್ ವಿ ಇನ್? ಇದು ಆರಂಭದಲ್ಲಿ 0 ಆಗಿದೆ ಏಕೆಂದರೆ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ (transistor)ಕಟ್ ಆಫ್ ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿದೆ, ವಿ ನಾನು 0.7 ವೋಲ್ಟ್ಗಳಿಗಿಂತ

स्लाइड में देखा है। ये अन्य मात्रा

(volts)ಕಡಿಮೆಯಿದ್ದಾಗ. ನಂತರ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ (transistor)ಎಲ್ಲಾ ರೇಖೀಯ

जिन्हें हमने स्पष्ट रूप से नहीं देखा

ಪ್ರದೇಶವನ್ನು ಪ್ರವೇಶಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಇದನ್ನು ಈ ಸಮೀಕರಣದ

था। तो, अब हम इन्हें देखें। IC, IC बनाम Vin

(equal)ಮೂಲಕ ಸುಮಾರು ವಿವರಿಸಲಾಗಿದೆ. ಹಾಗಾಗಿ ಐಸಿ ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ, ಕೆಲವು ಹಂತದಲ್ಲಿ ವಿ

के बारे में क्या? शुरुआत में यह 0 है

ಸಿಸಿ ಮೈನಸ್ ಐಸಿಆರ್ಸಿ (RC)0.2 ಕ್ಕೆ ಸಮನಾಗಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ (transistor)ಪ್ರವೇಶಿಸುವ

क्योंकि ट्रांजिस्टर(transistor) कट ऑफ(cut-off) क्षेत्र में है, जब Vi < 0.7 वोल्ट है। फिर ट्रांजिस्टर(transistor) इस सब रैखिक क्षेत्र में प्रवेश करता है और यह लगभग इस समीकरण द्वारा वर्णित है।

ಪೃಥಕ್ಕರಣ ಮತ್ತು ಅದು ಇಲ್ಲಿದೆ. ಇದರ ನಂತರ ಈ ವಿ ಸಿಇ ನಿಜವಾಗಿಯೂ ಬದಲಾಗುವುದಿಲ್ಲ 0 ಮತ್ತು 0.2 ವೋಲ್ಟ್ಗಳ (volt)ನಡುವೆ ಉಳಿದಿದೆ ಮತ್ತು ಆದ್ದರಿಂದ, ಐಸಿ ಸುಮಾರು ಸ್ಥಿರವಾಗಿರುತ್ತದೆ.

ಅದು ಸ್ಥಿರವಾಗಿರುತ್ತದೆ, ಈ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ ಅದು

और इसलिए IC बढ़ता रहता है, किसी बिंदु

5 ವೋಲ್ಟ್ (volt)ಮೈನಸ್ ಆಗಿದೆ, ನಾವು ಆರ್.ಸಿ.ನಿಂದ

पर VCC - ICRC =0.2 हो जाता है और यही वह बिंदु है जहां ट्रांजिस्टर(transistor) संतृप्ति में प्रवेश

ಭಾಗಿಸಿದ 0.2 ವೋಲ್ಟ್ (volt)4.8 ವೋಲ್ಟ್ಗಳನ್ನು (volt)ಹೇಳೋಣವೇ? ಆರ್ಸಿ (RC)1 ಕೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ಸುಮಾರು 4.8 ಮಿಲಿಯಾಂಪ್ಗಳು, ಮತ್ತು ಅದು ಇದೇ ಆಗಿದೆ.

करता है और वह यहां है। और उसके बाद यह

ಇದು 2 ಮಿಲಿಯಂಪ್ಗಳು, 4 ಮಿಲಿಯಾಂಪ್ಗಳು.

VCE वास्तव में बहुत ज्यादा नहीं बदलता

ಆದ್ದರಿಂದ, ಸುಮಾರು 5 ಮಿಲಿಯಾಂಪ್ಗಳು ಅಥವಾ 4.8 ಮಿಲಿಯಾಂಪ್ಗಳು.

है, यह 0 और 0.2 वोल्ट के बीच रहता है और

ಈಗ ವಿ ವಿ ವಿರುದ್ಧ ವಿ ನೋಡೋಣ. ಆರಂಭದಲ್ಲಿ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ (transistor)ಆಫ್ ಆಗಿದೆ.

इसलिए, IC लगभग स्थिर रहता है। यह स्थिरता

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ (transistor)ಕಡಿದುಹೋಗುವಲ್ಲಿ ನಾವು ಈಗ ಈ ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿ ಅಥವಾ ಈ ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿದ್ದೇವೆ.

क्या है? , इस मामले में आइए कहें यह 5

ಮತ್ತು ವಿ ಮತ್ತು ವಿಬಿ ಒಂದೇ ಆಗಿವೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ಆದ್ದರಿಂದ, V BE ಯು ನಾನು V ಗೆ ಸಮಾನವಾಗಿರುತ್ತದೆ.

वोल्ट - 0.2 वोल्ट के बराबर 4.8 वोल्ट , RC द्वारा विभाजित है,RC के बराबर 1 k । तो, लगभग 4.8 मिलियंप(milliamp),

ಮತ್ತು ಇದು ಮೂಲದ ಮೂಲಕ ಹಾದು ಹೋಗುವ 1 ನ ಇಳಿಜಾರಿನೊಂದಿಗೆ ಸರಳವಾದ ರೇಖಾತ್ಮಕವಾಗಿದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ಅದು ಏನು. ಮತ್ತು ಈ ಸಮಯದಲ್ಲಿ

और यही वह है। यह 2 मिलियंप(milliamp), 4 मिलियंप(milliamp)है।

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ (transistor)ರೇಖೀಯ ಪ್ರದೇಶವನ್ನು ಪ್ರವೇಶಿಸುತ್ತದೆ; ಮೂಲ ಹೊರಸೂಸುವ ಜಂಕ್ಷನ್ ಸಾಕಷ್ಟು ಮುಂದೆ ಪಕ್ಷಪಾತಿಯಾಗಿರುತ್ತದೆ.

तो, यह लगभग 5 मिलियंप(milliamp) या 4.8 मिलियंप(milliamp)

ಆದ್ದರಿಂದ, ಈ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (voltage)ಡ್ರಾಪ್ 0.62 ಅಥವಾ

है। आइए अब V BE बनाम Vin देखें। शुरुआत

0.75 ವೋಲ್ಟ್ಗಳಂತೆಯೇ (volt)ಇರುತ್ತದೆ, ಒಮ್ಮೆ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ (transistor)ನಡೆಸುವುದು ಪ್ರಾರಂಭವಾಗುತ್ತದೆ.

में ट्रांजिस्टर(transistor) बंद है। अब हम इस क्षेत्र

ಆದ್ದರಿಂದ, ನಾವು ಇಲ್ಲಿ ಮತ್ತು ಅಂತಿಮವಾಗಿ ನೋಡುತ್ತಿದ್ದೇವೆ. ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ (transistor)ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ ಪ್ರದೇಶಕ್ಕೆ ಪ್ರವೇಶಿಸಿದಾಗ

या इस क्षेत्र में हैं जहां ट्रांजिस्टर(transistor)

ಮೂಲ ಹೊರಸೂಸುವ ಜಂಕ್ಷನ್ ಮುಂದೆ ಪಕ್ಷಪಾತದ ಅಡಿಯಲ್ಲಿ ಉಳಿದಿದೆ, ಆದ್ದರಿಂದ V BE ಇನ್ನೂ 0.7 ಅಥವಾ ಅಲ್ಲಿದೆ.

काट दिया गया है। और Vi और V BE एक ही हैं।

ಇಲ್ಲಿ ಈ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (voltage)ಏನು, ಇದು 1 ವೋಲ್ಟ್ (volt)0.2 0.4 0.6 0.8? ಆದ್ದರಿಂದ, ಅದು 0.7 ವೋಲ್ಟ್ಗಳಂತಿದೆ. ವಿ ಕ್ರಿ.ಪೂ. ಬಗ್ಗೆ ಏನು?

इसलिए, इसलिए, V BE के बराबर Vi है । और यह

ವಿ ಕ್ರಿ.ಪೂ. ಮೂಲ ಬೇಸ್ ಸಂಗ್ರಾಹಕ ಜಂಕ್ಷನ್ನ ಮುಂದಕ್ಕೆ ಬಯಾಸ್ (bias)ಆಗಿದೆ, ಆರಂಭದಲ್ಲಿ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್

उत्पत्ति के माध्यम से गुज़रने वाली

(transistor)ಕಟ್ ಆಫ್ ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿ ವಿಬಿ ಯು ವಿಗೆ ಸಮನಾಗಿರುತ್ತದೆ

1 की स्लोप (slope) वाली सीधी रेखा है। तो,

ಏಕೆಂದರೆ ಈ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (voltage)ಡ್ರಾಪ್ 0. ಆಗಿದೆ ಮತ್ತು ವಿ ಸಿ ಯನ್ನು ವಿ ಸಿಸಿಗೆ

यही वह है। और इस बिंदु पर ट्रांजिस्टर(transistor)

ಎಳೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ, ಏಕೆಂದರೆ ಇಸಿಆರ್ಸಿ (RC)ಡ್ರಾಪ್ ಇಲ್ಲ ಇಲ್ಲಿ ಮೇಲೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ವಿ ಕ್ರಿ.ಪಿಯು

रैखिक क्षेत्र में प्रवेश करता है; बेस

ವಿ ಸಿ ಮೈನಸ್ ವಿ ಸಿ ಸಿಸಿ ಆಗಿದೆ.

एमिटर जंक्शन(base emitter junction) पर्याप्त फॉरवर्ड

ಆದ್ದರಿಂದ, ಇದು ಮತ್ತೆ 1 ನ ಇಳಿಜಾರಿನೊಂದಿಗೆ ನೇರವಾದ ರೇಖೆಯಾಗಿದೆ, ಅದು ಅಲ್ಲಿ ಭಾಗವಾಗಿದೆ.

बायस (forward bias) है। तो, ट्रांजिस्टर(transistor)

ಈ ಹಂತದಲ್ಲಿ, ಇಲ್ಲಿರುವ ಈ ಸ್ಥಳ ಅಥವಾ ಇಲ್ಲಿರುವ

शुरू होने के बाद, यह वोल्टेज ड्रॉप(drop)

ಈ ಸ್ಥಳವು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ (transistor)ತಿರುಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ರೇಖೀಯ ಪ್ರದೇಶವನ್ನು ಪ್ರವೇಶಿಸುತ್ತದೆ;

0.62 या 0.75 वोल्ट की तरह कुछ होने जा रहा है।

ಮತ್ತು ಈಗ V ಗೆ ನಮಗೆ ಈ ಸಮೀಕರಣವಿದೆ. ವಿಬಿ ಈ ಹಂತಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚಾಗಿ ಬದಲಾಗುವುದಿಲ್ಲ, ಇದು ಸುಮಾರು 0.7 ವೋಲ್ಟ್ಗಳಲ್ಲಿ ಉಳಿಯುತ್ತದೆ ಮತ್ತು

तो, हम यहां और आखिरकार देखते हैं। जब ट्रांजिस्टर(transistor)

ಆದ್ದರಿಂದ, ವಿ ಕ್ರಿ.ಪೂ. ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ. ಮತ್ತು ಈ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (voltage)ಬೀಳುವ ಕಾರಣದಿಂದಾಗಿ

संतृप्ति क्षेत्र में प्रवेश करता है तो बेस एमिटर जंक्शन(base emitter junction) फॉरवर्ड बायस

ಈ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (voltage)ಸ್ಥಿರವಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ವಿ ಕ್ರಿ.ಪೂ. ಹೆಚ್ಚಾಗುವುದನ್ನು ಪ್ರಾರಂಭಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಅದು ಇಲ್ಲಿ ಕಾಣುವಂತಿದೆ.

(forward bias) के तहत रहता है और इसलिए, VBE अभी भी 0.7 या इसके बारे में है। यह वोल्टेज

ಅಂತಿಮವಾಗಿ, ಆ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ (transistor)ಪ್ರವೇಶಿಸಿದಾಗ ಶುದ್ಧತ್ವವನ್ನು ಪ್ರವೇಶಿಸುವಾಗ ಬೇಸ್ ಕಲೆಕ್ಟರ್ (collector)ಜಂಕ್ಷನ್ ಬೇಸ್ ಕಲೆಕ್ಟರ್ (collector)ಜಂಕ್ಷನ್ ಸಾಕಷ್ಟು ಮುಂದೆ ಪಕ್ಷಪಾತಿಯಾಗಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಇಲ್ಲಿ ಈ ಹಂತದಲ್ಲಿ ನಡೆಯುತ್ತಿದೆ.

यहाँ क्या है?, यह 1 वोल्ट 0.2 0.4 0.6 0.8 है तो,

ಆದ್ದರಿಂದ, ಇದು 1 ವೋಲ್ಟ್ (volt)ಆಗಿದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ಇದು ಸುಮಾರು 0.6 ವೋಲ್ಟ್ಗಳು ಮತ್ತು

यह 0.7 वोल्ट की तरह कुछ है। V BC के बारे

ತರುವಾಯ V ಯಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ. ನಾನು ಬೇಸ್ ಸಂಗ್ರಾಹಕ ಜಂಕ್ಷನ್ ಇಲ್ಲಿ ಪೂರ್ತಿ

में क्या? V BC बेस कलेक्टर जंक्शन (base collector junction)पर

ಪಕ್ಷಪಾತವನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದೇನೆ. ಈಗ ಆನಿಮೇಷನ್ ಅನ್ನು ಪ್ರಾರಂಭಿಸೋಣ. ಮೊದಲು ನಾವು ಕಟ್ ಆಫ್ ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿದ್ದೇವೆ,

फॉरवर्ड बायस (forward bias) है, शुरुआत में

ಸಂಗ್ರಾಹಕ ಪ್ರವಾಹವು 0 ಆಗಿದೆ.

ट्रांजिस्टर(transistor) कट ऑफ(cut-off) क्षेत्र में है VBEके बराबर Vi है क्योंकि यह वोल्टेज

ಸಂಗ್ರಾಹಕ ಪ್ರವಾಹವು 0 ವಿ ಅಥವಾ ವಿ CC ಗೆ ಎಳೆಯಲ್ಪಟ್ಟರೆ ಅದು ನಾವು ಇಲ್ಲಿ ನೋಡುವುದು. ಬೇಸ್ ಕಲೆಕ್ಟರ್ (collector)ಜಂಕ್ಷನ್ ರಿವರ್ಸ್ ಬಯಾಸ್ (bias)ವಿ

ड्रॉप(drop) 0 है और VC को VCC तक खींचा गया है क्योंकि ICRC ड्रॉप(drop) नहीं है यहाँ पर।

ವಿ BC ಯಿಂದ ಮೈನಸ್ 5 ಮತ್ತು ಮೈನಸ್ 4 ರ ನಡುವೆ ಇರುತ್ತದೆ.

तो, V BC तब Vi माइनस VCC है। तो, यह फिर से

ಮತ್ತು ವಿ BE ಯು ಸಕಾರಾತ್ಮಕವಾಗಿದೆ, ಆದರೆ ಡಯೋಡ್ ಅನ್ನು ಬೇಸ್ ಎಮಿಟರ್ ಡಯೋಡ್ ಅನ್ನು ಪೂರ್ವಪಾವತಿ

1 की स्लोप (slope) वाली सीधी रेखा है। इस बिंदु पर, जो इस बिंदु के समान है या यहां

ಮಾಡುವಂತೆ ಮಾಡಲು ಸಾಕಷ್ಟು ದೊಡ್ಡದಾಗಿದೆ, ಆದ್ದರಿಂದ ಸಂಗ್ರಹಕಾರರ ವಿದ್ಯುತ್ ಇನ್ನೂ ಚಿಕ್ಕದಾಗಿದೆ. ನಮಗೆ ಮುಂದುವರೆಸೋಣ ಮತ್ತು ಈಗ ನಾವು ರೇಖಾತ್ಮಕ

इस बिंदु पर ट्रांजिस्टर(transistor) चालू हो जाता है और रैखिक क्षेत्र में प्रवेश करता है; और

ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿ ರೇಖೀಯ ಪ್ರದೇಶವನ್ನು ಪ್ರವೇಶಿಸಿದ್ದೇವೆ ಸಂಗ್ರಾಹಕ ಪ್ರವಾಹವು ಪ್ರಾರಂಭವಾಯಿತು ಮತ್ತು ಇದರ ಕಾರಣದಿಂದಾಗಿ ಈ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (voltage)ಡ್ರಾಪ್ ಹೆಚ್ಚಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಆದ್ದರಿಂದ, VO ಚಿಕ್ಕದಾಗಿದೆ.

अब VO के लिए हमारे पास यह समीकरण है।

ವಿ ಸಿಸಿ ಮೈನಸ್ ಐಸಿಆರ್ಸಿ (RC)ಚಿಕ್ಕದಾಗಿದೆ.

VB इस बिंदु से बहुत ज्यादा नहीं बदलेगा,

ಮತ್ತು ನಾವು ಇಲ್ಲಿ ನೋಡುತ್ತಿದ್ದೇವೆ. ವಿ ಕ್ರಿ.ಪೂ. ಇನ್ನೂ 0.7 ಗಿಂತ ಕಡಿಮೆಯಿದೆ.

यह लगभग 0.7 वोल्ट पर रहेगा और इसलिए V BC

ವಾಸ್ತವವಾಗಿ, ಈ ಹಂತದಲ್ಲಿ ಋಣಾತ್ಮಕ ಮತ್ತು ಬೇಸ್ ಸಂಗ್ರಾಹಕ ಜಂಕ್ಷನ್ ಆದ್ದರಿಂದ ಇನ್ನೂ ರಿವರ್ಸ್

बढ़ने लगेगी। और ऐसा इसलिए है क्योंकि यह वोल्टेज गिर रहा है यह वोल्टेज निरंतर है। इसलिए, VBC बढ़ने लगेगी और यही वह है

ಪಕ್ಷಪಾತದಲ್ಲಿದೆ. V BE ಈಗ 0.6 ರಿಂದ 0.7 ವೋಲ್ಟ್ಗಳಂತಿದೆ ಮತ್ತು ನಾನು ಗಣನೀಯ I ಸಿ ಗೆ ಹೆಚ್ಚಿಸಲು ಸಾಕಷ್ಟು ದೊಡ್ಡದಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ನಾವು ಇಲ್ಲಿ ವೀಕ್ಷಿಸುತ್ತೇವೆ.

जो यहां देखा जाता है। अंत में, जब ट्रांजिस्टर(transistor) उस बिंदु पर संतृप्ति में प्रवेश करता

ಈ ಹಂತದಲ್ಲಿ ನಾವು ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ ಪ್ರಾಂತ್ಯಕ್ಕೆ ಪ್ರವೇಶಿಸೋಣ, ವಿಓ ಸಿ ಸಿ ಗೆ ಸಮಾನವಾಗಿರುತ್ತದೆ, ಏಕೆಂದರೆ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ (transistor)ಶುದ್ಧತ್ವವನ್ನು

है तो बेस कलेक्टर जंक्शन (base collector junction)पर्याप्त

ಪ್ರವೇಶಿಸಿದೆ V ಸಿ ಸಿಟ್ 0.2 ವೋಲ್ಟ್ಗಳು

फॉरवर्ड बायस (forward bias) है और यह इस बिंदु

ಅಥವಾ ಚಿಕ್ಕದಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ನಾವು ಇಲ್ಲಿ

पर हो रहा है। तो, यह 1 वोल्ट है। तो, यह लगभग 0.6 वोल्ट है और इसके बाद Vi आगे बढ़ने के साथ बेस कलेक्टर जंक्शन (base

ನೋಡುವುದು. ಐಸಿ ಗರಿಷ್ಠ ಮಟ್ಟವನ್ನು ತಲುಪಿದೆ, ಮತ್ತು ಇದು 5 ವೋಲ್ಟ್ಗಳ (volt)ಮೈನಸ್ ಸುಮಾರು 0.2 ವೋಲ್ಟ್ಗಳಾಗಿ ಆರ್ಸಿ (RC)ಯಿಂದ 1 ಕೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ಸುಮಾರು

4.8 ಮಿಲಿಯಾಂಪ್ಗಳು.

collector junction)यहां पूरे फॉरवर्ड बायस (forward

ಬೇಸ್ ಕಲೆಕ್ಟರ್ (collector)ಜಂಕ್ಷನ್ ಈಗ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ ಪಕ್ಷಪಾತದಲ್ಲಿದೆ,

bias) रहता है। आइए अब एनीमेशन शुरू करें।

ಏಕೆಂದರೆ ವಿ ಕ್ರಿ.ಪೂ. 0.6 ವೋಲ್ಟ್ಗಳಂತೆಯೇ

सबसे पहले हम कट ऑफ(cut-off) क्षेत्र में है। यदि कलेक्टर विधुत धारा(collector current) 0 है।

(volt)ಮಾರ್ಪಟ್ಟಿದೆ. ಮೂಲ ಹೊರಸೂಸುವ ಜಂಕ್ಷನ್ ಮುಂದುವರಿದ ಬಯಾಸ್ನಲ್ಲಿ ಮುಂದುವರಿಯುತ್ತದೆ, ಮತ್ತು ಈ ಹಂತದ ಆಚೆಗೆ ನಿಜವಾಗಿಯೂ ಇನ್ಪುಟ್ (input)ವೋಲ್ಟೇಜ್ (voltage)ಹೊರತುಪಡಿಸಿ

VO VCC तक पहुंचा जाता है जो हम यहां देखते

ಬದಲಾಗುವುದಿಲ್ಲ. ಹೆಚ್ಚುವರಿ ವೋಲ್ಟೇಜ್ಗೆ (voltage)ಏನಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು

हैं। बेस कलेक्टर जंक्शन (base collector junction)रिवर्स

ನಿರಂತರವಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತಿದೆ?

बायस(reverse bias) V BC के तहत है, - 5 से - 4 के बीच है।

ಹಾಗಾಗಿ, ಹೆಚ್ಚುವರಿ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (voltage)ಆರ್ ಬಿಗೆ ಅಡ್ಡಲಾಗಿ ನಿಲ್ಲಿಸುತ್ತದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ಈ ವಿಷಯದ ನಂತರ ವಿಷಯಗಳನ್ನು

और V BE सकारात्मक है, लेकिन यह डायोड को

ನಿಜಕ್ಕೂ ಬದಲಾಗುವುದಿಲ್ಲ. ಈ ವಕ್ರಾಕೃತಿಗಳಲ್ಲಿ ಆರ್ಸಿಆರ್ಬಿ ಮತ್ತು

बेस एमिटर डायोड(base emitter diode) को पक्षपातपूर्ण बनाने के लिए पर्याप्त रूप से बड़ा नहीं

ಬೀಟಾಗಳ ಪರಿಣಾಮವನ್ನು ನೋಡೋಣ. ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ನಾವು ಆರ್ಸಿ (RC)1 ರಿಂದ 0.5 ಕ್ಕೆ ಬದಲಾಯಿಸಿದರೆ, ನಾವು ಏನನ್ನು ನಿರೀಕ್ಷಿಸಬಹುದು;

है, और इसलिए, कलेक्टर विधुत धारा(collector current)

ನಾವು ಈ ಭಾಗ ಬದಲಾವಣೆಯನ್ನು ಬದಲಾಯಿಸುವುದಿಲ್ಲ

है अभी भी बहुत छोटा आइए जारी रखें और

ಏಕೆಂದರೆ ಅದು ಮೂಲ ಹೊರಸೂಸುವ ಡಯೋಡ್ನ (diode)ವೋಲ್ಟೇಜ್ನಲ್ಲಿ (voltage)ಮಾತ್ರ ಅವಲಂಬಿತವಾಗಿರುತ್ತದೆ.

अब हमने रैखिक क्षेत्र में प्रवेश किया

ಈ ಭಾಗವು ಹೇಗೆ ಬದಲಾಗುವುದಿಲ್ಲ, ಏಕೆಂದರೆ ಅದು ಕೇವಲ

है, रैखिक क्षेत्र में कलेक्टर विधुत

ವಿ ಸಿ ಸಿ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಾಗಿ (transistor)ಕುಳಿತುಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ?

धारा(current) ने बढ़ाना शुरू कर दिया है और इस वजह से यह वोल्टेज ड्रॉप(drop) बढ़ गया

ಆದ್ದರಿಂದ, ಈ ಭಾಗವು ಏನು ಬದಲಾಗುತ್ತದೆ, ರೇಖೀಯ ಪ್ರದೇಶಕ್ಕೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿರುವ ಒಂದು ಮತ್ತು ಅದಕ್ಕಾಗಿ ನಾವು ಆ ಪ್ರದೇಶದ ಸಮೀಕರಣದಲ್ಲಿ

है और इसलिए, VOछोटा हो गया है। VOके बराबरVCC - ICRC है जो छोटा हो गया है। और यही वह है जिसे हम यहां देखते हैं। V BC अभी भी 0.7 से कम है।

(equations)ಇಲ್ಲಿ RC ಯನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದೇವೆ. ಹಾಗಾಗಿ, ಆರ್ ಐ ವಿರುದ್ಧ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳ ವಿರುದ್ಧದ ಇಳಿಜಾರುಗಳನ್ನು RC ನಿಯಂತ್ರಿಸುತ್ತದೆ. ಇದು ಆರ್ ಬಿ ಯಿಂದ ಬೀಟಾ ಬಾರಿ ಆರ್ಸಿ (RC)ಆಗಿದೆ,

ಆದ್ದರಿಂದ ನಾವು ಆರ್ಸಿ (RC)ಚಿಕ್ಕದಾದಿದ್ದರೆ ಇಳಿಜಾರು ಚಿಕ್ಕದಾಗುತ್ತವೆ, ಇದು ಇನ್ನೂ ಋಣಾತ್ಮಕ

वास्तव में, यह इस बिंदु पर नकारात्मक

ಎಂದು ಗಮನಿಸಿ. ಆದ್ದರಿಂದ, ಈ ಬದಲಾವಣೆಯು ಕಡಿಮೆ ಕಡಿದಾಗಿದೆ.

है और बेस कलेक्टर जंक्शन (base collector junction)इसलिए,

ಹಾಗಾಗಿ, ಅದು ಸಂಭವಿಸಿದರೆ ಮತ್ತು ಅದನ್ನೇ ಈ ಇತರ ವಕ್ರಾಕೃತಿಗಳು ಬದಲಾಗುತ್ತವೆಯೇ ಎಂದು ನೋಡೋಣ.

रिवर्स बायस(reverse bias) के तहत है। V BE अब 0.6 से 0.7 वोल्ट की तरह कुछ है और यह पर्याप्त I C को बढ़ाने के लिए काफी बड़ा है। और

ನಾವು ಆರ್ ಬಿ ಪರಿಣಾಮವನ್ನು ನೋಡೋಣ. ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ನಾವು ಆರ್ಬಿ ಅನ್ನು 5 ಕೆ ನಿಂದ 10 ಕೆ ಗೆ ಬದಲಾಯಿಸಿದರೆ. ಏನು ಸಂಭವಿಸಬಹುದು?

ಈ ಸಮೀಕರಣವನ್ನು ಮತ್ತೊಮ್ಮೆ ನೋಡೋಣ.

यही वह है जिसे हम यहां देखते हैं। आइए जारी रखें, इस बिंदु पर हम संतृप्ति क्षेत्र में प्रवेश करते हैं, VO=VCE बन गया

ಇಳಿಜಾರು RB ಬೀಟಾ RC ಯಿಂದ RB ಯಿಂದ ಮೈನಸ್ ಚಿಹ್ನೆಯೊಂದಿಗೆ ಅವಲಂಬಿಸಿರುತ್ತದೆ. ಮತ್ತು ಆರ್ಬಿ ಅನ್ನು 5 ರಿಂದ 10 ಕೆ ಗೆ ದ್ವಿಗುಣಗೊಳಿಸಿದರೆ,

है क्योंकि ट्रांजिस्टर(transistor) संतृप्ति में प्रवेश कर चुका है VCE satके बराबर0.2 वोल्ट या छोटी की

ಇಳಿಜಾರು ನಂತರ ಅರ್ಧಮಟ್ಟಕ್ಕಿಳಿಸಲಾಯಿತು. ಆದ್ದರಿಂದ, ಮತ್ತೊಮ್ಮೆ ಈ ಪ್ರದೇಶವು ಇದಕ್ಕಿಂತ ಕಡಿಮೆಯಿರುತ್ತದೆ. ಮತ್ತು ಅದನ್ನು ನಾವು ಪರಿಶೀಲಿಸೋಣ.

तरह है और यही वह है जिसे हम यहां देखते

ಅದು ಸಹಜವಾಗಿಯೇ ಮಾಡುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಇತರ ವಕ್ರಾಕೃತಿಗಳು ಸಹ ಬದಲಾಗುತ್ತವೆ.

हैं। IC पहुंच गया है यह अधिकतम मान है, और यह RC द्वारा विभाजित, 5 वोल्ट - 0.2

ಬೀಟಾ ಕುರಿತು ಏನು? ನಾವು 50 ರಿಂದ 100 ರವರೆಗೆ ಬೀಟಾವನ್ನು ಬದಲಿಸುತ್ತೇವೆ, ಮತ್ತೊಮ್ಮೆ ಈ ಸಮೀಕರಣವನ್ನು ನೋಡೋಣ.

वोल्ट के बराबर 1 k है। तो, यह लगभग 4.8

ಆದ್ದರಿಂದ, ಇಳಿಜಾರು ನೇರವಾಗಿ ಬೀಟಾದಂತೆ ಹೋಗುತ್ತದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ಬೀಟಾ ಹೆಚ್ಚಾಗಿದ್ದರೆ ಇಳಿಜಾರು ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ.

मिलियंप(milliamp) है। बेस कलेक्टर जंक्शन

ಆದ್ದರಿಂದ, ಈ ಪ್ರದೇಶವು ಈಗ ಹೆಚ್ಚು ಕಡಿದಾಗಿದೆ.

(base collector junction)अब फॉरवर्ड बायस (forward bias) के तहत है, क्योंकि V BCके बराबर 0.6 वोल्ट की तरह कुछ बन गया है। बेस एमिटर जंक्शन(base collector junction)

ಮತ್ತು ಅದನ್ನು ನಾವು ಪರಿಶೀಲಿಸೋಣ. ಇದು ಹೆಚ್ಚು ಕಡಿದಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಈ ಎಲ್ಲಾ ಇತರ ಪ್ಲಾಟ್ಗಳಲ್ಲಿಯೂ ಸಹ ಒಂದು ಅನುಗುಣವಾದ ಬದಲಾವಣೆ ಇದೆ. ಈ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ (circuit)ಇದನ್ನು BJT ಇನ್ವರ್ಟರ್

(inverter)ಎಂದೂ ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ.

फॉरवर्ड बायस (forward bias) में जारी है, और

ಈ ಪದದ ಇನ್ವರ್ಟರ್ (inverter)ಡಿಜಿಟಲ್ ತರ್ಕದಿಂದ ಬರುತ್ತದೆ, ಮತ್ತು ಇನ್ಪುಟ್ (input)ವೋಲ್ಟೇಜ್

इस बिंदु से परे चीजें इनपुट वोल्टेज को

(voltage)ಕಡಿಮೆಯಾಗಿದ್ದರೆ ಔಟ್ಪುಟ್ (output)ವೋಲ್ಟೇಜ್ (voltage)ಕಡಿಮೆಯಾಗಿದ್ದರೆ ಮತ್ತು ಇನ್ಪುಟ್ (input)ವೋಲ್ಟೇಜ್

छोड़कर वास्तव में बदलने जा रही हैं।

(voltage)ಹೆಚ್ಚಾಗಿದ್ದರೆ ಔಟ್ಪುಟ್ (output)ವೋಲ್ಟೇಜ್ (voltage)ಕಡಿಮೆಯಾಗಿದ್ದರೆ ಮತ್ತು ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್

अतिरिक्त वोल्टेज का क्या होता है?,

(circuit)ನಿಖರವಾಗಿರುವುದು ಮಾಡುವುದು ಮತ್ತು ಅದಕ್ಕಾಗಿಯೇ ಇದು BJT ಇನ್ವರ್ಟರ್ (inverter)ಆಗಿದೆ.

यह बढ़ रहा है यह निरंतर है तो, अतिरिक्त RB

ಇದು ಒಂದು ವರ್ಧಕವಾಗಿದೆ, ಏಕೆಂದರೆ ಈ ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿ V ಯಲ್ಲಿನ ಸಣ್ಣ ಬದಲಾವಣೆಯು ಇದೆ, ನಂತರ ವೋದಲ್ಲಿ

वोल्टेज में बंद हो जाता है, तो चीजें

ದೊಡ್ಡ ಬದಲಾವಣೆ ಇದೆ. ಅದಕ್ಕಾಗಿಯೇ ಇದು ಆಂಪ್ಲಿಫೈಯರ್

वास्तव में इस बिंदु के बाद नहीं बदलती

(amplifier)ಆಗಿದ್ದು, ನಾವು ಅದನ್ನು ಹೆಚ್ಚು ವಿವರವಾಗಿ ನೋಡೋಣ. ಆಪ್ಲಿಫೈಯರ್ನಲ್ಲಿ (amplifier)ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸಲು

हैं।

ಈ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗೆ ನಾವು ಅಗತ್ಯವಿರುವ ದೊಡ್ಡದಾದ

आइए अब इन घटताओं पर RCRB और बीटा(beta) के

ಸಾಕಷ್ಟು ಲಾಭವಾಗಿದೆ, ಇದನ್ನು dV o ನಿಂದ dV i

प्रभाव को देखें। उदाहरण के लिए, यदि

ನಿಂದ ನೀಡಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು ಈ V ಒ ವಿರುದ್ಧ

हम RC को 1 से 0.5 तक बदलते हैं, तो हम क्या उम्मीद

V i ಕರ್ವ್ನ ಇಳಿಜಾರು. ಮತ್ತು ಇಳಿಜಾರು ಗರಿಷ್ಠ ಇಲ್ಲಿ ಎಲ್ಲೋ ಇಲ್ಲಿದೆ ಎಂಬುದು ಸ್ಪಷ್ಟವಾಗಿದೆ. V ಯು ಸುಮಾರು ಸ್ಥಿರವಾಗಿರುತ್ತದೆ ಏಕೆಂದರೆ 0.7 ವೋಲ್ಟ್ಗಳಿಗಿಂತ

करते हैं; हम इस भाग को बदल देंगे जो बदलेगा

(volts)ನಾನು ಕಡಿಮೆ ಮತ್ತು ಅದು ಕತ್ತರಿಸಿರುವುದರಿಂದ ನಡೆಯುತ್ತದೆ ಮತ್ತು V ವು ಸುಮಾರು 1.3 ವೋಲ್ಟ್ಗಳಿಗಿಂತ

नहीं क्योंकि यह केवल बेस एमिटर डायोड(base

(volts)ಹೆಚ್ಚಿನದಾಗಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಈ 1.3 ವೋಲ್ಟ್ಗಳು

emitter diode) के वोल्टेज पर निर्भर करता है।इस भाग के बारे में भी वह नहीं बदलेगा क्योंकि यह केवल ट्रांजिस्टर(transistor) के लिए VCEsat है। तो,

ಸಹಜವಾಗಿರುತ್ತವೆ, ಕೆಲವು ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಆರ್ಸಿಆರ್ಬಿ ಮತ್ತು ವಿ ಸಿ ಸಿಸಿ ಮೌಲ್ಯಗಳು, ಈ 2 ಮರುಈ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ (circuit)ಆಂಪ್ಲಿಫೈಯರ್ (amplifier)ಆಗಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುವುದಿಲ್ಲ, ಏಕೆಂದರೆ ಇಲ್ಲಿ ಈ

यह हिस्सा यहां क्या होगा, जो रैखिक क्षेत्र

ಇಳಿಜಾರು ಮತ್ತು ಇಳಿಜಾರು ಸುಮಾರು 0 ಆಗಿದೆ.

से मेल खाता है और ऐसा इसलिए है क्योंकि

ಆದ್ದರಿಂದ, ಇದು ವರ್ಧನೆಗೆ ನಿಜವಾಗಿಯೂ ಉಪಯುಕ್ತವಲ್ಲ.

हमारे पास उस क्षेत्र के समीकरण में RC है। तो, RC VO बनाम Vi की स्लोप (slope) को नियंत्रित करता है। यह बीटा(beta) गुणाRC/RB है, इसलिए,

ವಿಚ್ಛೇದನವಿಲ್ಲದೆ V ನಲ್ಲಿ ದೊಡ್ಡ ಸ್ವಿಂಗ್ ಪಡೆಯಲು, ಡಿ ನ ಡಿ.ಸಿ ಬಯಾಸ್ (bias)ನಾನು ವರ್ಧಿಸುವ ಪ್ರದೇಶದ ಮಧ್ಯಭಾಗದಲ್ಲಿರಬೇಕು. ಆದ್ದರಿಂದ, ಇದು ನಾವು ಉತ್ತಮವಾದ ಸಾಕಷ್ಟು

ಇಳಿಜಾರು ಡಿವಿ ಒ ಡಿವಿ ಐ ಹೊಂದಿರುವ ಸ್ಥಳವನ್ನು

यदि हम RC को छोटा करते हैं तो स्लोप (slope) छोटा हो जाएगा, ध्यान दें कि यह अभी भी नकारात्मक है। तो, यह बदलाव कम खड़ा हो जाएगा। तो,

ವರ್ಧಿಸುವ ಪ್ರದೇಶವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಈ ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿ ನಾವು ಮಾತ್ರ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸಬಾರದು ಎಂದು ನಾವು ಈಗ ಹೇಳುತ್ತೇವೆ, ಆದರೆ ಈ ಪ್ರದೇಶದ ಮಧ್ಯಭಾಗದಲ್ಲಿ ನಾವು ಎಲ್ಲೋ ಕಾರ್ಯ

चलिए देखते हैं कि ऐसा होता है, जैसे

ನಿರ್ವಹಿಸಬೇಕು ಮತ್ತು ಈ ಹಂತವು ಮುಂದಿನ ಸ್ಲೈಡ್ನಲ್ಲಿ

कि और संगत रूप से इन अन्य घटता भी बदल जाएंगे। आइए अब RB के प्रभाव को देखें। उदाहरण के लिए, यदि हम RB को 5 k से 10 k बीच

ಹೆಚ್ಚು ಸ್ಪಷ್ಟವಾಗುತ್ತದೆ. ಈ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ನಲ್ಲಿ ವರ್ಧನೆಯು ಹೇಗೆ ನಡೆಯುತ್ತದೆ ಎಂಬುದನ್ನು ವಿವರಿಸುವ V i ಮತ್ತು V ಒ ಗ್ರ್ಯಾಫ್ಗಳು ಒಂದೇ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ (circuit)ಒಂದೇ ಮತ್ತು ಸ್ಲೈಡ್ ಆಗಿದೆ.

बदलते हैं। क्या हुआ होगा? आइए फिर

ಇಲ್ಲಿಂದ ಇನ್ಪುಟ್ (input)ವೋಲ್ಟೇಜ್ (voltage)ಮಾರ್ಗ ಯಾವುದು, ಸುಮಾರು 1 ವೋಲ್ಟ್ನಲ್ಲಿ DC ಅಂಶವಿದೆ?

इस समीकरण को देखें। स्लोप (slope) RB , बीटा(beta) RC/RB पर ऋण चिह्न के साथ निर्भर करता

ಆದ್ದರಿಂದ, ಈ ಇನ್ಪುಟ್ (input)ವೋಲ್ಟೇಜ್ (voltage)ಸುಮಾರು 1 ಇನ್ ವೋಲ್ಟ್ (volt)ಅನ್ನು ಪ್ರವೇಶಿಸಿ ನಾವು ಇನ್ಪುಟ್

है। और यदि RB को 5 के से 10 के बीच दोगुना

(input)ವೋಲ್ಟೇಜ್ (voltage)ಅನ್ನು ಇಷ್ಟಪಡುತ್ತೇವೆ, ಇನ್ಪುಟ್ (input)ವೋಲ್ಟೇಜ್ನ ವೈಶಾಲ್ಯವು 1 ರಿಂದ 1.05 ವರೆಗೆ 50 ಮಿಲಿವೊಲ್ಟ್ಗಳಷ್ಟು

कर दिया जाता है तो स्लोप (slope) आधा हो जाएगा।

ಮತ್ತು ಇನ್ಪುಟ್ನ ಗರಿಷ್ಠ ಮೌಲ್ಯಕ್ಕೆ ಗರಿಷ್ಠವಾಗಿದೆ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (voltage)ನೂರು ಮಿಲಿವೊಲ್ಟ್ ಅಥವಾ

तो, एक बार फिर यह क्षेत्र अब उससे

0.1 ವೋಲ್ಟ್ (volt)ಆಗಿದೆ. ಔಟ್ಪುಟ್ (output)ವೋಲ್ಟೇಜ್ (voltage)ಬಗ್ಗೆ ಏನು? ಔಟ್ಪುಟ್ (output)ವೋಲ್ಟೇಜ್ (voltage)ಇಲ್ಲಿದೆ.

कम ढलानवाला (steep) हो जाएगा। और हम इसे जांचें। यह निश्चित रूप से करता है और संगत रूप से, अन्य वक्र भी बदल जाएगा।

ಔಟ್ಪುಟ್ (output)ವೋಲ್ಟೇಜ್ (voltage)ಬಗ್ಗೆ ನಾವು ಗಮನಿಸಬೇಕಾದ ಮೊದಲನೆಯದು, ಅದು ಮುಖಾಮುಖಿಯಾಗಿದ್ದು, V ಯನ್ನು ನಾನು ಭೇಟಿ ಮಾಡಿದೆ, ವಿ ಐ ಮತ್ತು ವೋ ನಡುವಿನ 180 ಡಿಗ್ರಿಗಳ ಮುಖ ವ್ಯತ್ಯಾಸವಿದೆ.

बीटा(beta) के बारे में क्या? मान लीजिए, हम

ಮತ್ತು ನಾನು V ನ್ನು ಕಡಿಮೆಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ

50 से 100 तक बीटा(beta) बदलते हैं, आइए हम एक बार

V ಎಂದು ಅರ್ಥಮಾಡಿಕೊಳ್ಳುವುದು ಸುಲಭವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಅದಕ್ಕಾಗಿಯೇ ಡಿ ವಿ ಓ ಡಿಟಿ ಡಿ ವಿ ನಾನು

फिर इस समीकरण को देखें। तो, स्लोप (slope) सीधे बीटा(beta) के रूप में चला जाता

ನಕಾರಾತ್ಮಕವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಇದು ವಿ ಒ ಮತ್ತು ವಿ ಐ ನಡುವಿನ ಈ ಮುಖ ಸಂಬಂಧದಲ್ಲಿ ಮೂಲಭೂತವಾಗಿ ಪ್ರತಿಫಲಿಸುತ್ತದೆ. V ಯ ವೈಶಾಲ್ಯದ ಬಗ್ಗೆ, ಇಲ್ಲಿ ಗರಿಷ್ಠ ವೋಲ್ಟೇಜ್ಗೆ

है। इसलिए, यदि बीटा(beta) में वृद्धि हुई है

(voltage)ಗರಿಷ್ಠ ಉತ್ತುಂಗವನ್ನು ನೋಡೋಣ 2.4 ರಿಂದ 3.4 ರಷ್ಟಿದೆ.

तो स्लोप (slope) में वृद्धि होगी। इसलिए, यह क्षेत्र अब और अधिक ढलानवाला (steep) हो जाएगा। और हम इसे जांचें। यह और अधिक ढलानवाला (steep)

ಆದ್ದರಿಂದ, ಸುಮಾರು 1 ವೋಲ್ಟ್ (volt)ಸ್ವಲ್ಪ ಕಡಿಮೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ನಾವು 0.1 ವೋಲ್ಟ್ (volt)ಅಥವಾ 10 ಕ್ಕಿಂತ 10 ಕ್ಕಿಂತ ಸ್ವಲ್ಪ ಕಡಿಮೆ ಇರುವ 1 ವೋಲ್ಟ್ (volt)ಆಟವಿದೆ

ಎಂದು ನಾವು ನೋಡುತ್ತೇವೆ ಮತ್ತು ಅದು ವರ್ಧನೆಯ

हो गया है और इन सभी अन्य भूखंडों में

ಮೂಲಕ ನಾವು ಅರ್ಥೈಸಿಕೊಳ್ಳುತ್ತೇವೆ. ಈಗ ನಾವು ಇನ್ಪುಟ್ (input)ವೋಲ್ಟೇಜ್ಗೆ (voltage)ಇನ್ನೊಂದು

भी एक समान परिवर्तन है। इस सर्किट को

ಡಿಸಿ ಅಥವಾ ಬೈಯಾಸ್ ಮೌಲ್ಯವನ್ನು ಪರಿಗಣಿಸೋಣ ಮತ್ತು ಈ ಲೈನ್ ಇಲ್ಲಿ ನೀಡಲಾಗಿದೆ.

जिस तरह से इसे BJT इन्वर्टर(Inverter) भी कहा जाता है। यह शब्द इन्वर्टर(Inverter) डिजिटल(digital) तर्क से

ಮತ್ತು ನಾವು ಏನು ಮಾಡಲಿದ್ದೇವೆ ಎಂಬುದು ಈ ಹಂತದ ಬಗ್ಗೆ ಬದಲಾಗುವ ಇನ್ಪುಟ್ (input)ವೋಲ್ಟೇಜ್ (voltage)ಅನ್ನು ಅನ್ವಯಿಸುತ್ತದೆ.

आता है, और इसका अर्थ यह है कि अगर इनपुट

ನಂತರ ಔಟ್ಪುಟ್ (output)ವೋಲ್ಟೇಜ್ (voltage)ಹೇಗೆ ಕಾಣುತ್ತದೆ ಎಂಬುದನ್ನು ನೋಡಿ. ಆದ್ದರಿಂದ, ಈಗ ಇನ್ಪುಟ್

वोल्टेज कम हो तो आउटपुट वोल्टेज अधिक हो, और यदि इनपुट वोल्टेज उच्च है तो आउटपुट

(input)ವೋಲ್ಟೇಜ್ (voltage)ಆಗಿದೆ, ಈ ಡಿ.ಸಿ ಬಯಾಸ್ (bias)0.75 ವೋಲ್ಟ್ಗಳು ಈ ಲೈನ್ಗೆ ಅನುಗುಣವಾಗಿರುತ್ತದೆ, ಅದು ಇಲ್ಲಿ 0.75 ವೋಲ್ಟ್ಗಳಾಗಿರುತ್ತದೆ, ಇದರಿಂದಾಗಿ ಈ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ

वोल्टेज कम है, और यही वह है जो सर्किट

ಇನ್ಪುಟ್ (input)ವೋಲ್ಟೇಜ್ (voltage)ಡಿ.ಸಿ. ಪಕ್ಷಪಾತದಲ್ಲಿ ಇನ್ಪುಟ್ (input)ವೋಲ್ಟೇಜ್ (voltage)ಆಗಿರುತ್ತದೆ ವೈಶಾಲ್ಯ

है कर रहा है और यही कारण है कि यह एक BJT

ಇನ್ನೂ ಒಂದೇ. ಆದ್ದರಿಂದ, ಇದು 0.1 ವೋಲ್ಟ್ (volt)ಅಥವಾ 100 ಮಿಲಿವೊಲ್ಟ್ಗಳ ಉತ್ತುಂಗಕ್ಕೆ ಏರಿಕೆಯಾಗಿದೆ.

इन्वर्टर(Inverter) भी है। यह एक एम्पलीफायर

ಇನ್ಪುಟ್ (input)ವೋಲ್ಟೇಜ್ಗೆ (voltage)ಇಲ್ಲಿ ಡಿ.ಸಿ. ಪಕ್ಷಪಾತವು ಬದಲಾಗಿದೆ.

भी है, क्योंकि इस क्षेत्र में Vi में

ಮತ್ತು ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ ಔಟ್ಪುಟ್ (output)ವೋಲ್ಟೇಜ್ (voltage)ಈ ರೀತಿ ಕಾಣುತ್ತದೆ.

एक छोटा सा परिवर्तन है, फिर VO में एक बड़ा

ಇದು ವಿರೂಪಗೊಳ್ಳುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಅಸ್ಪಷ್ಟತೆಯು ಏಕೆ ನಡೆಯುತ್ತಿದೆ ಎಂಬುದನ್ನು ನೋಡುವುದು ಸುಲಭ. ಈ ಸಾಲನ್ನು ನೋಡೋಣ.

बदलाव है। और यही कारण है कि यह एक एम्पलीफायर भी है, साथ ही हम जल्द ही इसे और अधिक विस्तार से देखेंगे।

ನಾವು ಲೈನ್ನ ಬಲಕ್ಕೆ ಹೋದರೆ ಅದು ವಿ ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತಿದೆ ನಾವು ಚಿತ್ರದ ಎಡಭಾಗಕ್ಕೆ ಹೋದರೆ ಚಿತ್ರ ಭಿನ್ನವಾಗಿದೆ ಎಂದು ನಾವು ನೋಡುತ್ತೇವೆ. ಈ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ ಹಿಂದಿನ ಪ್ರಕರಣದಲ್ಲಿ ನಾವು

इस सर्किट के लिए एम्पलीफायर के रूप

ಎರಡೂ ದಿಕ್ಕುಗಳಲ್ಲಿ ಒಂದೇ ಲಾಭವನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದೇವೆ.

में कार्य करने के लिए, हमें जो चाहिए वह काफी बड़ा लब्धि(gain) है, जो dVO/dVi दिया जाता

ಮತ್ತು ಈಗ ಚಿತ್ರ ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ಭಿನ್ನವಾಗಿದೆ. ನಾವು ಬಲಕ್ಕೆ ಹೋದರೆ ಕೆಲವು ಲಾಭವಿದೆ, ಮತ್ತು ನಾವು ಎಡಕ್ಕೆ ಹೋದರೆ ಲಾಭವು ಚಿಕ್ಕದಾಗಿದೆ

है, यह वक्र VO बनाम Vi इसकी स्लोप (slope) है। और यह स्पष्ट है कि स्लोप (slope) में कहीं

ಮತ್ತು ಇಲ್ಲಿ ಈ ಅಸ್ಪಷ್ಟತೆಗೆ ಪ್ರತಿಬಿಂಬಿಸುತ್ತದೆ. ಈ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಯು ಖಂಡಿತವಾಗಿಯೂ ಅಪೇಕ್ಷಣೀಯವಲ್ಲ ಮತ್ತು ಆದ್ದರಿಂದ, ನಾವು ಈ ಡಿ.ಸಿ. ಬಯಾಸ್ನಲ್ಲಿ

भी स्लोप (slope) अधिकतम है। चूंकि VO लगभग स्थिर है Vi< 0.7 वोल्ट के लिए , और यह कट ऑफ(cut-off)

ಆಂಪ್ಲಿಫೈಯರ್ (amplifier)ಅನ್ನು ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುವುದಿಲ್ಲ. ಈ ಲೈನ್ ಸಿ ಇಲ್ಲಿ ನೀಡಲಾದ ಮತ್ತೊಂದು ಬಿಯಾಸ್

के कारण होता है और Vi भी 1.3 वोल्ट से अधिक

ಪಾಯಿಂಟ್ ಅನ್ನು ನಾವು ಪರಿಗಣಿಸೋಣ.

VO के लिए लगभग स्थिर है और यह 1.3 वोल्ट निश्चित रूप से कुछ उदाहरण के साथ इस उदाहरण के लिए विशिष्ट है इन 2 पुन: RC RB और VCC के मान(value) सर्जन सर्किट एम्पलीफायर के रूप

ನಾವು ಆ ಇನ್ವಾಸ್ಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (voltage)ಅನ್ನು ಅನ್ವಯಿಸಲಿದ್ದೇವೆ ಮತ್ತು ಅದು ಆ ಬಯಾಸ್

में काम नहीं करेगा, क्योंकि यहां स्लोप

(bias)ಪಾಯಿಂಟ್ ನ ಸುತ್ತ ಹೋಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು

(slope) के साथ-साथ स्लोप (slope) लगभग 0 है। इसलिए,

ಈಗ ಇನ್ಪುಟ್ (input)ಮತ್ತು ಔಟ್ಪುಟ್ (output)ತರಂಗರೂಪಗಳನ್ನು ನೋಡೋಣ.

यह प्रवर्धन के लिए वास्तव में उपयोगी

ಅಂದರೆ 1.3 ವೋಲ್ಟ್ಗಳ (volt)ಮಧ್ಯಭಾಗದಲ್ಲಿರುವ ಇನ್ಪುಟ್ (input)ವೋಲ್ಟೇಜ್ (voltage)ಈ ಮೌಲ್ಯವನ್ನು

नहीं है। विरूपण के बिना VOमें एक बड़ा स्विंग(swing) पाने के लिए, Vi के DC बायस(bias)

ಇಲ್ಲಿ ಹೊಂದಿದೆ. ಮತ್ತು ವೈಶಾಲ್ಯವು ಇನ್ನೂ ಒಂದೇ ಆಗಿರುತ್ತದೆ ಅದು 0.25 ರಿಂದ 1.35 ರವರೆಗೆ ಗರಿಷ್ಠ ಮಟ್ಟದ್ದಾಗಿದೆ.

प्रवर्धन क्षेत्र के केंद्र में होना

ಆದ್ದರಿಂದ, 0.1 ವೋಲ್ಟ್ಗಳ (volt)ಉತ್ತುಂಗಕ್ಕೆ ಗರಿಷ್ಠ

चाहिए। तो, यह प्रवर्धक क्षेत्र(Amplifier area) है जहां हमारे पास पर्याप्त बड़ी स्लोप (slope) dVo/

ಅಥವಾ 100 ಮಿಲಿವೊಲ್ಟ್ಗಳ ಉತ್ತುಂಗವು ಉತ್ತುಂಗಕ್ಕೇರಿತು.

dV i है और अब हम कह रहे हैं कि हमें न केवल

ಮತ್ತು ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ ಔಟ್ಪುಟ್ (output)ವೋಲ್ಟೇಜ್ (voltage)ಮತ್ತೊಮ್ಮೆ ಹೆಚ್ಚು ವಿರೂಪಗೊಳ್ಳುತ್ತದೆ

इस क्षेत्र में काम करना चाहिए, बल्कि

ಮತ್ತು ಅದು ಎಲ್ಲಿಂದ ಬರುತ್ತಿದೆ ಎಂಬುದನ್ನು

हमें इस क्षेत्र के केंद्र में कहीं

ಸುಲಭವಾಗಿ ನೋಡಬಹುದಾಗಿದೆ.

भी काम करना चाहिए और यह बिंदु बन जाएगा अगली स्लाइड में और अधिक स्पष्ट।

C ಯ ಎಡಭಾಗವು ಈಗ c ಯ ಬಲಭಾಗದಕ್ಕಿಂತ ಭಿನ್ನವಾಗಿದೆ.

यहां Vi और VOग्राफ(graph) हैं जो बताते हैं

ಇಲ್ಲಿ ನಾವು ಸಾಕಷ್ಟು ಲಾಭದಾಯಕವಾದ ಲಾಭವಿದೆ,

कि इस सर्किट में एम्पलीफिकेशन(Amplification) कैसा होता है, वही सर्किट एक और स्लाइड होता है। यहां से इनपुट वोल्टेज तरीका

ಇಲ್ಲಿ ಲಾಭ ಬಹಳ ಚಿಕ್ಕದಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಅದು ವಿರೂಪಗೊಳಿಸುವಿಕೆಯಿಂದ

क्या है, लगभग 1 वोल्ट का DC घटक है? इसलिए,

ಬರುತ್ತಿದೆ. ಹಾಗಾಗಿ, BJT ಆಂಪ್ಲಿಫೈಯರ್ನಲ್ಲಿ ಪಕ್ಷಪಾತ ಬಿಂದುವು

हम एक इनपुट वोल्टेज लागू कर रहे हैं जो

ಬಹಳ ಮುಖ್ಯವಾದುದು. ವಾಸ್ತವವಾಗಿ, ಯಾವುದೇ ಸಾಧನಗಳ ಆಧಾರದ ಮೇಲೆ

इस 1 वोल्ट के आसपास दर्ज किया गया है

ಆಂಪ್ಲಿಫೈಯರ್ಗಳ ಬಗ್ಗೆ ಇದು ಮೊಸ್ಫೆಟ್ ಜೆಫೆಟ್

इनपुट वोल्टेज समय के साथ ऐसा करने जा

ಅಥವಾ ಬಿಜೆಟಿ (BJT) ಆಗಿರಬಹುದು, ಈ ಉದಾಹರಣೆಯಲ್ಲಿ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್

रहा है, इनपुट वोल्टेज का आयाम(amplitude) 1 से 1.05

(circuit)ಫಾಯಿಲ್ ನಿಮಗೆ ಲಭ್ಯವಿರುತ್ತದೆ. ಈ ಕಾರಣಗಳನ್ನು ನೀವು ಪರಿಶೀಲಿಸಬಹುದು.

है जो 50 मिली वोल्ट है और इनपुट वोल्टेज

ನೀವು ಪ್ಯಾರಾಮೀಟರ್ ಮೌಲ್ಯಗಳನ್ನು ಬದಲಾಯಿಸಬಹುದು

के शिखर से शिखर तक (peak to peak) मान 100 मिली

ಮತ್ತು ಏನಾಗುತ್ತದೆ ಎಂಬುದನ್ನು ನೋಡಬಹುದು. ಆದ್ದರಿಂದ, ಈ BJT ಆಂಪ್ಲಿಫೈಯರ್ (amplifier)ಅನ್ನು ಆಚರಣೆಯಲ್ಲಿ ಅರಿತುಕೊಳ್ಳುವ ಪ್ರಮುಖ ಸವಾಲುಗಳು ಇಲ್ಲಿವೆ,

वोल्ट या 0.1 वोल्ट है। आउटपुट वोल्टेज

ಬಿ.ಜೆ.ಟಿ.ಟಿಯು ರೇಖೀಯ ಸಕ್ರಿಯ ವಲಯದಲ್ಲಿ

के बारे में क्या? आउटपुट वोल्टेज यहाँ है। आउटपुट वोल्टेज के बारे में पहली बात यह है कि यह फेज(phase)Vi से बाहर से मिलता

ಉಳಿದಿದೆ ಎಂದು ಖಚಿತಪಡಿಸಿಕೊಳ್ಳಲು ಡಿ.ಸಿ. ಅಥವಾ ಐ ಸಿ. ಮತ್ತು ಈ ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿ ಸರಿಸುಮಾರಾಗಿರುವ ಪಕ್ಷಪಾತ ಮೌಲ್ಯಕ್ಕೆ ಅನುಗುಣವಾಗಿದೆ ಎಂದು ನಾವು ನೋಡಿದ್ದೇವೆ,

है, Vi और VO के बीच 180 डिग्री का फेज(phase)

ಇಲ್ಲಿ ಅದು ಒಂದು ಸವಾಲಾಗಿದೆ.

अंतर होता है।और यह समझना आसान है क्योंकि Vi VOको कम करता है और यही कारण है कि d Vo/ dt d V i नकारात्मक है और यह मूल रूप से VOऔर Vi के बीच इस फेज(phase)में संबंध(relationship)प्रतिबिंबित

ಆದ್ದರಿಂದ, ನಾವು ಈ ಪ್ರದೇಶದ ಮಧ್ಯಭಾಗದಲ್ಲಿರುವ DC ಮೌಲ್ಯದ ಮೇಲೆ ಸವಾರಿ ಮಾಡುವ AC ವೋಲ್ಟೇಜ್ (voltage)ಅನ್ನು ಅನ್ವಯಿಸಬೇಕು.

होता है। VOके आयाम(amplitude) के बारे में क्या?

ಸಿಗ್ನಲ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ನೊಂದಿಗೆ (voltage)ಡಿಸಿ ಬಯಾಸ್ (bias)ಅನ್ನು

चलिए शिखर से शिखर तक (peak to peak) वोल्टेज को यहां देखें यह लगभग 2.4 से 3.4 है? तो, यह लगभग 1 वोल्ट थोड़ा कम है। और इसलिए, हम

ಇನ್ಪುಟ್ (input)ಮಾಡುವ ಮಿಶ್ರಣ ಎರಡನೆಯದು ಒಂದು ಸವಾಲು ಎಂಬುದನ್ನು ನಾವು ಹೇಗೆ ಖಾತ್ರಿಪಡಿಸುತ್ತೇವೆ?

देखते हैं कि 1 वोल्ट का एक गेम 0.1 वोल्ट से विभाजित है या लगभग 10 से थोड़ा कम 10 है और यही है कि हम प्रवर्धन द्वारा

ಆದ್ದರಿಂದ, ನಾವು ಇನ್ಪುಟ್ (input)ವೋಲ್ಟೇಜ್ಗೆ (voltage)2

इसका मतलब है। आइए अब इनपुट वोल्टेज के लिए एक और DC या बायस मान(bias value) पर विचार करें और यह इस लाइनA द्वारा यहां दिया गया है। और हम जो करने जा रहे हैं वह एक इनपुट

ಘಟಕಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದೇವೆ, ಇದು ಈ ಡಿಸಿ ಬಯಾಸ್

वोल्टेज लागू होता है जो इस बिंदु के बारे में भिन्न होता है। और फिर देखें कि आउटपुट वोल्टेज कैसा दिखता है। तो, यह अब इनपुट वोल्टेज है, यह DC बायस(bias) 0.75

(bias)ಆಗಿದ್ದು, ಈ ಪ್ರದೇಶದ ಮಧ್ಯಭಾಗದಲ್ಲಿರಬೇಕು

वोल्ट है जो इस लाइन A से मेल खाता है, यहां 0.75 वोल्ट है, इसके अलावा इस मामले में इनपुट वोल्टेज पहले के मामले में इनपुट वोल्टेज के समान है DC बायस(bias) आयाम(amplitude)

ಮತ್ತು ಇನ್ಪುಟ್ (input)ವೋಲ್ಟೇಜ್ (voltage)ಹೊಂದಲು ನಾವು ಬಯಸುತ್ತೇವೆ,

अभी भी वही है। तो, यह 0.1 वोल्ट या 100 मिलीवॉल शिखर से शिखर तक है। जो भी बदले गए हैं वो इनपुट वोल्टेज के लिए DC बायस(bias) है। और नतीजतन आउटपुट वोल्टेज इस तरह दिखता

ಈ 2 ಇನ್ಪುಟ್ (input)ಭಾಗಗಳನ್ನು ನೀವು ಹೇಗೆ ಸೇರಿಸುತ್ತೀರಿ?

है। यह विकृत हो गया है और यह देखना आसान

है कि विरूपण क्यों हो रहा है। आइए हम इस लाइनA को देखें। यदि हम लाइनA के दाहिने ओर जाते हैं जो Vi बढ़ रहा है, तो हम देखते

, ಮತ್ತು ಈಗ DC ಮತ್ತು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಸಂಕೇತ.

हैं कि अगर हमA के बाईं ओर जाते हैं तो तस्वीर अलग होती है। इस मामले में

ಇನ್ಪುಟ್ (input)ವೋಲ್ಟೇಜ್ನ ಡಿಸಿ ಬಯಾಸ್ (bias)ಅನ್ನು

पहले के मामले में हम दोनों दिशाओं में एक ही लब्धि(gain) था। और अब तस्वीर

ಸರಿಹೊಂದಿಸುವ ಮೊದಲ ಸಂಚಿಕೆಗೆ ಸೂಕ್ತವಾದ

पूरी तरह से अलग है। यदि हम दाईं ओर जाते

ಬಯಾಸಿಂಗ್ (biasing) ಯೋಜನೆಯನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಳ್ಳಲಾಗುತ್ತದೆ,

हैं तो कुछ लब्धि(gain) होता है, और यदि हम बाईं ओर जाते हैं तो लब्धि(gain) बहुत

ಮತ್ತು ನಾವು ಕೆಲವು ಬಯಾಸಿಂಗ್ (biasing) ಯೋಜನೆಗಳನ್ನು

छोटा होता है व्युत्पन्न यहां बहुत छोटा होता

ನೋಡುತ್ತೇವೆ ಮತ್ತು ಇನ್ಪುಟ್ (input)ಡಿಸಿ

है और यह मूल रूप से इस विरूपण में प्रतिबिंबित होता है। यह स्थिति निश्चित रूप से वांछनीय

ಅಂಶವನ್ನು ಮಿಶ್ರಣ ಮಾಡುವ ಎರಡನೇ ಸಂಚಿಕೆ

नहीं है और इसलिए, हम इस DC बायस(bias) पर

ಮತ್ತು ಸಂಯೋಜಕ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ಗಳನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಸಿಗ್ನಲ್

एम्पलीफायर संचालित नहीं करेंगे। आइए इस लाइन सी द्वारा दिए गए एक और बायस(bias)

ಅನ್ನು ಸಾಧಿಸಬಹುದು ಮತ್ತು ನಾವು ಅದನ್ನು

बिंदु पर विचार करें। और हम एक इनपुट वोल्टेज

ನೋಡೋಣ.

लागू करने जा रहे हैं जो उस तरह के बायस(bias)

ಈ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ನಲ್ಲಿ ತೋರಿಸಿರುವ ಈ ಸರಳ

बिंदु के आसपास जाता है और अब इनपुट और आउटपुट वेवफॉर्म(waveform) देखते हैं। यह इनपुट

ಬಯಾಸಿಂಗ್ (biasing) ಯೋಜನೆಯನ್ನು ನಾವು ಪರಿಗಣಿಸೋಣ.

वोल्ट 1.3 वोल्ट के आसपास केंद्रित है जो यह मान यहां है। और आयाम(amplitude) अभी भी

ಬಯಾಸಿಂಗ್ (biasing) ಎಂದರೆ ಇಲ್ಲಿ ಘಟಕಗಳ ಮೌಲ್ಯಗಳು

वही है जो 0.25 से 1.35 शिखर से शिखर तक (peak to peak) है। तो, 0.1 वोल्ट शिखर से शिखर तक या 100 मिलीवॉल

ಆರ್ಬಿ ಮತ್ತು ಆರ್ಸಿ (RC)ಆಯ್ಕೆ; DC ಮತ್ತು I C. ಯ ಒಂದು ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಮೌಲ್ಯಕ್ಕಾಗಿ ಮತ್ತು ನಾವು ಮೊದಲಿಗೆ ನೋಡಿದಂತೆ, V BE ಮೂಲದ ಹೊರಸೂಸುವ ವೋಲ್ಟೇಜ್ನ ನಿರ್ದಿಷ್ಟ DC ಮೌಲ್ಯವನ್ನು ಹೊಂದಿಸಲು

शिखर से शिखर तक । और नतीजतन आउटपुट वोल्टेज

ಸಮನಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ಐಸಿಗಾಗಿ 2 ಮಿಲಿಯಾಂಪ್ಗಳ ಡಿಸಿ

फिर से विकृत हो गया है और यह देखना आसान

ಮೌಲ್ಯವು 0.672 ರ ವಿ ಬಿ ಮೌಲ್ಯಕ್ಕೆ ಅನುರೂಪವಾಗಿರಬಹುದು;

है कि वह कहां से आ रहा है। C के बाईं

ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ಮತ್ತು ಈ ಹಂತದಲ್ಲಿ ಯಾವುದೇ ಸಿಗ್ನಲ್ ಅನ್ನು ಅನ್ವಯಿಸುವುದಿಲ್ಲ ಎಂದು ನೆನಪಿನಲ್ಲಿಡಿ.

तरफ अब C के दाहिने तरफ से काफी अलग है। यहां हमारे यहां कुछ उचित लब्धि(gain)

ಆದ್ದರಿಂದ, ಸಿಗ್ನಲ್ 0, ಮತ್ತು ಈ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ನ

है, लब्धि(gain) बहुत छोटा है और यही वह

ಪರಿಹಾರವು ನಮಗೆ DC ಅಥವಾ ಪಕ್ಷಪಾತ ಮೌಲ್ಯಗಳನ್ನು

जगह है जहां विकृति आ रही है। तो, घर ले

ಮಾತ್ರ ನೀಡುತ್ತದೆ. ಮುಂದಿನ ಸಿಗ್ನಲ್ ಹೇಗೆ ಮುಂದಿನದು ಎಂದು ನಾವು ಚಿಂತಿಸುತ್ತೇವೆ.

जाने का मुद्दा यह है कि BJT एम्पलीफायर

ಈಗ, ಸಮಾನವಾಗಿ ನಾವು V CE ಯ ನಿರ್ದಿಷ್ಟ DC ಮೌಲ್ಯಕ್ಕೆ ವಿ ವೋಲ್ಟೇಜ್, V CE ಗೆ ವರ್ಧಿಸಬಹುದು ಮತ್ತು ನಾವು ಇದನ್ನು ಏಕೆ ಮಾಡಬಹುದು ಮತ್ತು IC

में बायस(bias) बिंदु बेहद महत्वपूर्ण

ಮತ್ತು V CE ಗಳು ಉದಾಹರಣೆಗೆ ಇದಕ್ಕೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿವೆ, ಈ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ (circuit)V CE ಮತ್ತು ICRC ಯಲ್ಲಿ V CC ಗೆ ಸಮಾನವಾಗಿರುತ್ತದೆ.

है। असल में, यह किसी भी डिवाइस के आधार

ಹಾಗಾಗಿ, V ಸಿಇ ಮತ್ತು ಐ ಸಿ ನಡುವಿನ ಸಂಬಂಧವಿದೆ. ಕೆಲವೊಮ್ಮೆ ಐಸಿ ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಮೌಲ್ಯವನ್ನು ಒತ್ತಾಯಿಸುವ ಬದಲು ವಿ ಸಿಇ ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (voltage)ಆಗಿರಬೇಕು ಎಂದು ಹೇಳಬಹುದು.

ಉದಾಹರಣೆಗಾಗಿ ಆರ್ಸಿ (RC)1 ಕೆ ಮತ್ತು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ (transistor)100 ಬೀಟಾವನ್ನು ಹೊಂದಲು ಅವಕಾಶ ಮಾಡಿಕೊಡಿ.

पर एम्पलीफायरों के बारे में सच है

ಈ ಸ್ಥಿತಿಯೊಂದಿಗೆ, ಐಸಿ 3.3 ಮಿಲಿಯಾಂಪ್ಗಳಿಗೆ ಸಮನಾದ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಇಲ್ಲಿ ನಾವು ಲೆಕ್ಕಹಾಕೋಣ ಮತ್ತು ಸಕ್ರಿಯ ಮೋಡ್ನಲ್ಲಿ ಕಾರ್ಯ ನಿರ್ವಹಿಸಲು ನಾವು BJT ಯನ್ನು ತೆಗೆದುಕೊಳ್ಳುತ್ತೇವೆ.

चाहे यह एक मॉस्फेट(Mosfet)जेफेट(Jfet) या BJT सर्किट(circuit) पन्नी

ಮತ್ತು ಸಹಜವಾಗಿ, ನಾವು ಮರಳಿ ಬರಬೇಕು ಮತ್ತು ಆ ಸ್ಥಿತಿಯು ನಿಜಕ್ಕೂ ತೃಪ್ತಿ ಹೊಂದಿದೆಯೇ ಎಂದು ಪರಿಶೀಲಿಸಬೇಕು. ಐಸಿ ನಿಮಗೆ ತಿಳಿದಿದ್ದರೆ ನಿಮಗೆ ಐಬಿ ತಿಳಿದಿದ್ದರೆ

ಸರಳ ಲೆಕ್ಕ, ನಾವು ಐಬಿಐಸಿ ಬೀಟಾದಿಂದ ವಿಂಗಡಿಸಲಾಗಿದೆ,

है, इस उदाहरण के लिए आपके लिए उपलब्ध

3.3 ಮಿಲಿಯಾಂಪ್ಸ್ ನೂರು 33 ಮೈಕ್ರೋ ಆಂಪ್ಸ್ನಿಂದ ಮತ್ತು ಐಬಿ ಈ ಪ್ರವಾಹವು ಯಾವುದು ಮತ್ತು ಅದು ಆರ್ ಬಿ ಬಿ ವಿಂಗಡಿಸಿದ 15 ವೋಲ್ಟ್ (volt)ಮೈನಸ್ ವಿ ಬಿ ಎಂದು ತಿಳಿಯುತ್ತದೆ.

ಆರ್ ಬಿ ಬಿ ವಿಂಗಡಿಸಲಾಗಿದೆ 15 ಮೈನಸ್ 0.7 ಆಗಿದೆ, ಆದ್ದರಿಂದ ನಾವು ಆರ್ಬಿಗಾಗಿ ಸಮೀಕರಣವನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದೇವೆ, ಈ ಸಂಖ್ಯೆಗಳನ್ನು

है। आप इन कारणों को देख सकते हैं।

ನಾವು ಆರ್ ಬಿ ಲೆಕ್ಕ ಮಾಡಬಹುದು. ಹಾಗಾಗಿ, ಆರ್ಬಿ 430 ಕಿಲೋ ಆಂಪ್ಸ್ ಆಗಿರುತ್ತದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ನಾವು 430 ಕಿಲೋ ಆಂಪ್ಸ್ಗೆ ಸಮಾನವಾದ ಆರ್ಬಿ ಹೊಂದಿದ್ದರೆ ಮತ್ತು ಆರ್ಸಿ (RC)1 ಕೆ

ಗೆ ಸಮನಾಗಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್

आप पैरामीटर मान भी बदल सकते हैं और

(transistor)ಬೀಟಾ 100 ಕ್ಕಿಂತಲೂ ಸಮಾನವಾಗಿರುತ್ತದೆ, ನಾವು ಸಂಗ್ರಾಹಕ ಪ್ರವಾಹವು 3.3 ಮಿಲಿಯಾಂಪ್ಗಳಾಗಿರಬೇಕು ಎಂದು ನಿರೀಕ್ಷಿಸಬಹುದು, ಈ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ (transistor)ವಾಸ್ತವವಾಗಿ ಇದರೊಂದಿಗೆ ಸಕ್ರಿಯ

ಮೋಡ್ನಲ್ಲಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತದೆ ಘಟಕ ಮೌಲ್ಯಗಳು, ಇದು

देख सकते हैं कि क्या होता है।

ಪರಿಶೀಲಿಸಲು ಸುಲಭ. ನಾವು ವಿಸಿ ವಿ ಸಿ ಸಿಸಿ 15 ವೋಲ್ಟ್ಗಳನ್ನು (volt)ಲೆಕ್ಕಹಾಕೋಣ ಐಸಿಆರ್ಸಿ (RC)3.3 ಪಟ್ಟು 1 ಆಗಿದೆ; ಆದ್ದರಿಂದ 3.3 ವೋಲ್ಟ್ಗಳು. ಆದ್ದರಿಂದ, ವಿಸಿ 15 ಮೈನಸ್ 3.3 ಸುಮಾರು 12

ವೋಲ್ಟ್ (volt)ವಿಬಿ ಯು ಸುಮಾರು 0.7 ಆಗಿದೆ.

तो, अभ्यास में इस BJT एम्पलीफायर को महसूस करने में महत्वपूर्ण चुनौतियां हैं,

ಆದ್ದರಿಂದ, ಇದು ap ಆಗಿದೆ, ಪ್ರದೇಶ p ಪ್ರದೇಶವು

एक DC बायस(bias) इनपुट को समायोजित करने

0.7 ವೋಲ್ಟ್ (volt)n ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿ 12 ವೋಲ್ಟ್ಗಳಷ್ಟಿರುತ್ತದೆ,

के लिए यह सुनिश्चित करने के लिए कि BJT रैखिक

ಆದ್ದರಿಂದ ಖಂಡಿತವಾಗಿಯೂ ಈ BC ಮೂಲ ಸಂಗ್ರಾಹಕ ಜಂಕ್ಷನ್ ಹಿಮ್ಮುಖ ಪಕ್ಷಪಾತವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು

सक्रिय क्षेत्र में बना हुआ है, V BE के कुछ

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ (transistor)ನಿಜವಾಗಿ ರೇಖೀಯ ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತಿದೆ.

बायस मान(bias value) के साथ या iC। और हमने

ನಾವು ಸಂಕ್ಷಿಪ್ತಗೊಳಿಸೋಣ.

देखा कि यह बायस मान(bias value) के अनुरूप है जो

ನಾವು ಕೊನೆಯ ಸ್ಲೈಡ್ನಲ್ಲಿ ಲೆಕ್ಕಾಚಾರ ಮಾಡಿದ

इस क्षेत्र के केंद्र में है, यहां एक चुनौती है। इसलिए, हमें एक AC वोल्टेज लागू करना है जो DC मान पर आरोहण (riding on) कर रहा है जो लगभग इस क्षेत्र के केंद्र में है।

ಆರ್ಬಿ 430 ಕ್ಕಿಂತ ಸಮಾನವಾಗಿರುತ್ತದೆ; ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ (transistor)ಬೀಟಾ

हम कैसे सुनिश्चित करते हैं कि यह एक चुनौती है, दूसरा सिग्नल वोल्टेज के साथ इनपुट DC बायस(bias) मिश्रण? इसलिए, हमारे पास इनपुट वोल्टेज में 2 घटक हैं, एक यह

100 ಆಗಿದ್ದರೆ ಐಸಿ 3.3 ಮಿಲಿಯಾಂಪ್ಗಳಾಗಿರಬೇಕು

DC बायस(bias) है जिसे हम इस क्षेत्र के केंद्र में रखना चाहते हैं, और इसके

ಎಂದು ನಾವು ನಿರೀಕ್ಷಿಸುತ್ತೇವೆ.

शीर्ष पर हम इनपुट वोल्टेज चाहते हैं, आप इन 2 इनपुट घटकों DC को कैसे मिलाते हैं , और अब DC और सामान्य रूप से संकेत। इनपुट वोल्टेज के DC बायस(bias) को समायोजित

ಈಗ ಅದು ದೊಡ್ಡ ಎಫ್ ಆಗಿದ್ದರೆ ಅದು ಹೊರಹೊಮ್ಮುತ್ತದೆ.

करने वाला पहला मुद्दा एक उपयुक्त बायस(bias)

योजना का उपयोग करके संबोधित किया जाता है, और हम कुछ बायस(bias) योजनाएं देखेंगे,

ಏಕೆ ಎಂದು ನೋಡೋಣ.

और इनपुट DC घटक मिश्रण करने का दूसरा मुद्दा और युग्मन कैपेसिटर्स(coupling capacitors) का उपयोग करके सिग्नल प्राप्त किया जाएगा और हम इसे भी

ಆಚರಣೆಯಲ್ಲಿ ಬೀಟಾ ಮೌಲ್ಯದಲ್ಲಿ ಗಣನೀಯ

देखेंगे। आइए इस सर्किट में दिखाए गए इस सरल बायस(bias) योजना पर विचार करें। बायिसिंग(Biasing) का अर्थ है RB और RC घटकों के मान का चयन; DC और IC के

ವ್ಯತ್ಯಾಸವಿದೆ, ಉದಾಹರಣೆಗೆ BC 107 ನಂತಹ ಅದೇ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್

एक निश्चित मान के लिए और जैसा कि हमने पहले देखा है कि V BE के एक निश्चित DC

मान को बेस (base)एमिटर(emitter) वोल्टेज स्थापित करने के बराबर है। उदाहरण के लिए, IC के लिए 2 मिलीएम्प(milliamp) का DC मान 0.672 के V BE मान

(transistor)ಪ್ರಕಾರಕ್ಕೆ ಸಹ. ತಯಾರಕ 100 ರಂತೆ ಬೀಟಾದ ಅತ್ಯಲ್ಪ ಮೌಲ್ಯವನ್ನು ಸೂಚಿಸಬಹುದು, ಆದರೆ

के अनुरूप हो सकता है; उदाहरण के लिए, और हमें याद रखें कि इस अवस्था में कोई सिग्नल लागू नहीं होता है। तो, संकेत(signal) 0 है, और इस सर्किट का समाधान

ವಾಸ್ತವಿಕ ಮೌಲ್ಯವು 150 ಆಗಿರಬಹುದು, ಉದಾಹರಣೆಗೆ

केवल हमें DC या बायस मान (bias value) देगा। और

हम इस बारे में चिंता करेंगे कि सिग्नल अगले बाद कैसे होगा। अब, समकक्ष हम VE के एक निश्चित DC मान के लिए एक एम्पलीफायर बायस(bias) कर सकते हैं, इस VCE वोल्टेज, और हम

ವಿಶಾಲವಿದೆ ಬದಲಾವಣೆಯು ಸಾಧ್ಯವಿದೆ ಮತ್ತು

ऐसा क्यों कर सकते हैं क्योंकि IC और VCE उदाहरण के लिए संबंधित हैं, इस सर्किट में VCE + ICRC के बराबर VCC है। और इसलिए, VCE और IC के बीच एक रिश्ता है, इसलिए कभी-कभी IC के

ಅದು ಬಿಜೆಟಿ (BJT)ಯ ತಯಾರಿಕಾ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯೊಂದಿಗೆ

एक निश्चित मान पर जोर देने की बजाय

ಮಾಡಬೇಕಾಗಿದೆ.

हम कह सकते हैं कि VCE निश्चित वोल्टेज होना चाहिए। एक उदाहरण के रूप में RC 1 k होने दें और ट्रांजिस्टर(transistor) का बीटा(beta) 100होना चाहिए। IC 3.3 मिलीमीटर के लिए प्रतिरोध(resistance)

ಆದ್ದರಿಂದ, ಬೀಟಾದಲ್ಲಿನ ಈ ವೈವಿಧ್ಯಮಯ ಬದಲಾವಣೆಯೊಂದಿಗೆ,

को इन स्थितियों के साथ हम RB की गणना

करते हैं और हम BJT को सक्रिय मोड में परिचालन करने के लिए मानेंगे। और निश्चित रूप से, हमें वापस आने और जांचने की आवश्यकता है कि वह स्थिति वास्तव में संतुष्ट है या

ನಾವು ಇನ್ನೂ ನಮ್ಮ ಸಂಖ್ಯೆಯನ್ನು ನಂಬಬಹುದೇ?

नहीं। यदि आप IC को जानते हैं तो सरल गणना अगर आप IC को बीटा(beta) द्वारा विभाजित करते हैं, तो 3.3 मिलीएम्पस(milli amps)100 द्वारा विभाजित

ಬೀಟಾ 150 ಕ್ಕಿಂತಲೂ ಸಮನಾಗಿರುತ್ತದೆ, ಇದು ಐಸಿ ಬೀಟಾ ಬಾರಿ ಐಬಿ ಆಗಿದೆ, ಇದು ವಿ ಸಿಸಿ

हैं, 33 माइक्रोएम्पस(micro amps) और IB यह विधुत धारा(current) क्या है और यह VCC- VBE RBद्वारा विभाजित

ಮೈನಸ್ ವಿ ಬಿ ಆರ್ ಆರ್ ಮೂಲಕ ಮತ್ತು 150 ಬಾರಿ

है। तो, RB द्वारा विभाजित 15 - 0.7 है। इसलिए, हमारे

ಮೈನಸ್ 0.7 430 ಕೆ ಆಗಿದೆ.

पास RB के लिए समीकरण है, इन संख्याओं का उपयोग करके हम RB की गणना कर सकते हैं, इसलिए RB 430 किलो एम्पस (kilo amps) बन गया है। इसलिए,

ನಾವು ಈ ಆರ್ಬಿ ಅನ್ನು ನಮ್ಮ ಬೀಟಾ 100 ಎಂದು

अगर हमारे पास RB के बराबर 430 किलो एम्पस(kilo-ohms)

ಈಗಾಗಲೇ ಊಹಿಸಿದ್ದೇವೆ, ಆದರೆ ಈ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ನ

है और RC के बराबर 1 k है और ट्रांजिस्टर(transistor) बीटा(beta) के बराबर 100 है तो हम कलेक्टर विधुत धारा(current)के बराबर 3.3मिलीएम्पस(milli

ನಿಜವಾದ ಬೀಟಾ 150 ಆಗಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಪ್ರಸ್ತುತವು

amps) होने की उम्मीद कर सकते हैं, यह है कि ट्रांजिस्टर(transistor) वास्तव में इनके साथ सक्रिय मोड में काम कर रहा है घटक मान, जो जांचना आसान है। आइए VC VCC की गणना

ಆ ಅಭಿವ್ಯಕ್ತಿ ಅಥವಾ 5 ಮಿಲಿಯಾಂಪ್ಗಳಾಗುತ್ತದೆ.

करेंVCCके बराबर 15 वोल्ट, ICRCके बराबर 3.3 गुना 1k है; तो 3.3 वोल्ट। तो, VC के बराबर 15 - 3.3 लगभग

ಈಗ ಈ ಪ್ರವಾಹವು ಗಮನಾರ್ಹವಾಗಿ ವಿಭಿನ್ನವಾಗಿದೆ; ನಿಸ್ಸಂಶಯವಾಗಿ, ನಂತರ ಉದ್ದೇಶಿತ ಮೌಲ್ಯ 3.3 ಮಿಲಿಯಾಂಪ್ಗಳು. ಆದ್ದರಿಂದ, 3.3 ಮಿಲಿಯಾಂಪ್ಗಳ ಸಂಗ್ರಾಹಕ ಪ್ರವಾಹಕ್ಕೆ

12 वोल्ट है, VB लगभग 0.7 है। तो, यह p- क्षेत्र 0.7 वोल्ट, n- क्षेत्र में 12 वोल्ट पर है, इसलिए, निश्चित रूप से, यह BC बेस कलेक्टर

ನಾವು ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ (circuit)ಅನ್ನು ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸುತ್ತೇವೆ ಆದರೆ ನಾವು ಇದನ್ನು ಕೆಲಸ ಮಾಡುವಾಗ ಸಂಗ್ರಹಿಸಿದ ಪ್ರವಾಹದಲ್ಲಿ ನಾವು 5 ಮಿಲಿಯಾಂಪ್ಗಳನ್ನು ಕಂಡುಹಿಡಿಯಬಹುದು, ಏಕೆಂದರೆ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್

जंक्शन (base collector junction)रिवर्स बायस ( reverse bias) है और

(transistor)ಬೀಟಾವು ನಾವು ನಿರೀಕ್ಷಿಸಿದದ್ದಲ್ಲ.

ट्रांजिस्टर(transistor) वास्तव में रैखिक क्षेत्र में परिचालन कर रहा है। हमें संक्षेप में बताएं। RB के बराबर

ಆದ್ದರಿಂದ, ಇದು ಸಮಸ್ಯೆಯಾಗಿದೆ, ಆಚರಣೆಯಲ್ಲಿ ಅತ್ಯಂತ

430 k है जिसे हमने अंतिम स्लाइड में गणना की थी; हम उम्मीद करते हैं कि ICके बराबर

ಸೂಕ್ತ ಸಮಸ್ಯೆ ಮತ್ತು ಖಂಡಿತವಾಗಿಯೂ ಬಯಾಸಿಂಗ್ (biasing) ಯೋಜನೆ ಅಗತ್ಯವಿದ್ದಾಗ; ಬೀಟಾ ಮೌಲ್ಯಕ್ಕೆ ಆದ್ದರಿಂದ ಸೂಕ್ಷ್ಮವಾಗಿದೆ.

3.3 मिलीएम्पस(milli amps) है, अगर ट्रांजिस्टर(transistor) बीटा(beta)के बराबर 100 है। अब यह पता चला

ಸಂಕ್ಷಿಪ್ತವಾಗಿ, BJT ಆಂಪ್ಲಿಫಯರ್ (Amplifier)ಸರಿಯಾಗಿ

है कि अगर यहां बड़ा f है। चलो देखते हैं क्यों। व्यावहारिक रूप से बीटा(beta) 107 में एक ही ट्रांजिस्टर(transistor) प्रकार के लिए बीटा(beta) मान में काफी भिन्नता है। निर्माता बीटा(beta)

ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸಲು DC ಪಕ್ಷಪಾತವು ಬಹಳ ಮುಖ್ಯ

के नाममात्र मान को 100 के रूप में निर्दिष्ट कर सकता है, लेकिन वास्तविक मान उदाहरण

के लिए 150 हो सकता है, एक विस्तृत है भिन्नता संभव है और इसे BJT के लिए विनिर्माण प्रक्रिया के साथ करना है। तो, बीटा(beta) में इस बहुत

ಎಂದು ನಾವು ನೋಡಿದ್ದೇವೆ.

व्यापक भिन्नता के साथ, क्या हम अभी भी हमारी संख्या पर भरोसा कर सकते हैं, हम जांचें। बीटा(beta) 150 है, वास्तविक IC बीटा(beta) गुणाIB है जो RB द्वारा VCC - V BE है और यह 430 के

ನಾವು ಸರಳ ಬಯಾಸಿಂಗ್ (biasing) ಯೋಜನೆಯನ್ನು ನೋಡಿದ್ದೇವೆ

द्वारा 150 x 15 - 0.7 है। हमने पहले ही इस RB को यह माना है कि हमारा बीटा(beta) 100 है, लेकिन इस ट्रांजिस्टर(transistor) का वास्तविक बीटा(beta) 150 होता है, और विधुत धारा(current) तब अभिव्यक्ति

या 5 मिलीमीटर होगा। अब यह विधुत धारा(current) काफी अलग है; जाहिर है, तो इच्छित मान 3.3 मिलीमीटर(mA) है। इसलिए, हम सर्किट को 3.3 मिलीमीटर(mA) के कलेक्टर विधुत धारा(current)

ಮತ್ತು ಅದು ಮಿತಿಯಾಗಿದೆ ಎಂದು ಗಮನಿಸಿದ್ದೇವೆ.

के लिए डिज़ाइन करते हैं, लेकिन जब हम इसे

काम करते हैं तो हम एकत्रित विधुत धारा(current) में मिल सकते हैं 5 मिलीएम्पस(milli amps), क्योंकि ट्रांजिस्टर(transistor) बीटा(beta) वह नहीं है जिसे हम उम्मीद करते हैं। तो, यह समस्या

ಮುಂದಿನ ತರಗತಿಯಲ್ಲಿ ನಾವು ಸುಧಾರಿತ ಬಯಾಸಿಂಗ್

है, अभ्यास में बहुत प्रासंगिक समस्या है और निश्चित रूप से जब एक बायस(bias) योजना

की आवश्यकता है जो नहीं है; बीटा(beta) मान के प्रति बहुत संवेदनशील है। संक्षेप में, हमने देखा है कि BJT एम्पलीफायर के लिए ठीक से काम करने के लिए DC बायस(bias) बहुत

(biasing) ಯೋಜನೆಯನ್ನು ನೋಡುತ್ತೇವೆ.

महत्वपूर्ण है। हमने सरल बायस(bias) योजना को देखा और देखा कि यह सीमाएं हैं। अगली कक्षा में हम एक बेहतर बायस(bias) योजना देखेंगे। आपको अगली कक्षा में मिलते हैं।

ಮುಂದಿನ ತರಗತಿಯಲ್ಲಿ ನಿಮ್ಮನ್ನು ನೋಡಿ.